Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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Resultados: 26

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260MPBF
Infineon Technologies
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IRFP260MPBF

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942-IRFP260MPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

IRFS4127TRLPBF
Infineon Technologies
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IRFS4127TRLPBF

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942-IRFS4127TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

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$ 5.142,50

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Envase tipo carrete

$ 3.027,99

$ 2.960,32

MouseReel Disponible

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: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V

IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies
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IRFB4332PBFXKMA1

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726-IRFB4332PBFXKMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V

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: 1.000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4768PBFXKMA1
Infineon Technologies
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IRFP4768PBFXKMA1

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726-IRFP4768PBFXKMA1

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TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

250 V

93 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4127PBFXKMA1
Infineon Technologies
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IRFB4127PBFXKMA1

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726-IRFB4127PBFXKMA1

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$ 3.653,88

$ 3.383,23

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1 Channel

200 V

76 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NPBF
Infineon Technologies
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IRF640NPBF

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942-IRF640NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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TO-220-3

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1 Channel

200 V

18 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
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IRFP4227PBFXKMA1

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726-IRFP4227PBFXKMA1

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
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4.000Se espera el 11/2/2027

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IRFB4227PBFXKMA1

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
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942En existencias
1.000Se espera el 3/12/2026

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IRFB4229PBFXKMA1

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726-IRFB4229PBFXKMA1

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$ 2.858,83

$ 2.757,33

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1 Channel

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72 nC

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+ 175 C

330 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies
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13.433En existencias
13.200Se espera el 28/1/2027

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IRFP4668PBFXKMA1

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$ 5.430,08

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TO-247AC-3

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1 Channel

200 V

130 A

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3 V

161 nC

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+ 175 C

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NSTRLPBF
Infineon Technologies
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IRF640NSTRLPBF

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942-IRF640NSTRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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Envase tipo carrete

$ 1.013,28

$ 999,74

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
1: $ 4.093,70
2.542En existencias
4.000Se espera el 10/12/2026

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IRF7820TRPBF

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942-IRF7820TRPBF

Infineon Technologies

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$ 4.093,70

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$ 1.725,45

$ 1.404,04

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Envase tipo carrete

$ 1.204,43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4.000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

200 V

3.7 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFB38N20DPBF
Infineon Technologies
1: $ 4.990,26
4.359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB38N20DPBF

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942-IRFB38N20DPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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$ 4.990,26

$ 3.078,74

$ 2.199,10

$ 1.426,03

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

1.8 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

IRFB4020PBF
Infineon Technologies
1: $ 4.364,36
6.482En existencias
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IRFB4020PBF

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942-IRFB4020PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

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2.000Se espera el 18/8/2026

$ 4.364,36

$ 2.131,43

$ 1.793,11

$ 1.505,54

$ 1.327,92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250NPBF
Infineon Technologies
1: $ 5.565,41
3.966En existencias
17.600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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3.966En existencias

17.600En pedido

$ 5.565,41

$ 3.501,64

$ 2.503,59

$ 2.046,85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260NPBF
Infineon Technologies
1: $ 6.664,96
2.100En existencias
2.400Se espera el 20/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP260NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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2.100En existencias

2.400Se espera el 20/8/2026

$ 6.664,96

$ 3.823,05

$ 3.112,57

$ 3.061,82

$ 2.402,09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: $ 4.601,19
4.457En existencias
15.000Se espera el 10/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFR4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFR4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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4.457En existencias

15.000Se espera el 10/9/2026

Cinta cortada

$ 4.601,19

$ 2.977,24

$ 1.962,27

$ 1.629,02

$ 1.512,30

Envase tipo carrete

$ 1.431,10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

IRFS4227TRLPBF
Infineon Technologies
1: $ 7.730,67
4.250En existencias
6.400Se espera el 20/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4227TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4227TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

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4.250En existencias

6.400Se espera el 20/8/2026

Cinta cortada

$ 7.730,67

$ 5.108,67

$ 3.603,14

$ 2.892,66

Envase tipo carrete

$ 2.892,66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

62 A

26 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

70 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

IRFS4229TRLPBF
Infineon Technologies
1: $ 7.832,17
2.961En existencias
3.200Se espera el 4/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4229TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4229TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

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Hoja de datos

2.961En existencias

3.200Se espera el 4/2/2027

Cinta cortada

$ 7.832,17

$ 5.176,34

$ 3.653,88

$ 2.960,32

Envase tipo carrete

$ 2.960,32

$ 2.926,49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

45 A

48 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFS4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: $ 5.869,90
6.041En existencias
20.800Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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Hoja de datos

6.041En existencias

20.800Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

$ 5.869,90

$ 3.823,05

$ 2.655,83

$ 2.046,85

Envase tipo carrete

$ 1.996,10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

77.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250MPBF
Infineon Technologies
1: $ 5.446,99
3.125En existencias
2.400Se espera el 3/9/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250MPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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3.125En existencias

2.400Se espera el 3/9/2026

$ 5.446,99

$ 3.027,99

$ 2.452,84

$ 1.962,27

$ 1.759,28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
1: $ 1.285,63
9.937En existencias
12.000Se espera el 28/1/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRF5801TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF5801TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

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9.937En existencias

12.000Se espera el 28/1/2027

Cinta cortada

$ 1.285,63

$ 793,37

$ 510,87

$ 389,07

Envase tipo carrete

$ 297,72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

200 V

600 mA

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.946,69
534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4229PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4229PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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Hoja de datos

534En existencias

$ 9.946,69

$ 5.768,40

$ 4.736,52

$ 4.076,79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

250 V

44 A

46 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

310 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFS38N20DTRLP
Infineon Technologies
1: $ 7.172,44
483En existencias
2.400Se espera el 26/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS38N20DTRLP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS38N20DTRLP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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Hoja de datos

483En existencias

2.400Se espera el 26/8/2026

Cinta cortada

$ 7.172,44

$ 4.736,52

$ 3.518,56

$ 2.808,08

Envase tipo carrete

$ 2.808,08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

320 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

IRF630NPBF
Infineon Technologies
1: $ 2.486,67
108En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRF630NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF630NPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

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Hoja de datos

108En existencias

$ 2.486,67

$ 1.231,49

$ 928,70

$ 751,08

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

9.3 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

Tube

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

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