Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a V_DS range of 80V to 100V and an R_DS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD028N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
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726-IPD028N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Envase tipo carrete

$ 1.742,36

MouseReel Disponible

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: 2.000

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB029N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.191,30
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IPB029N06NF2SATMA1

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726-IPB029N06NF2SATM

Infineon Technologies

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Cinta cortada

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$ 2.571,25

$ 2.368,26

Envase tipo carrete

$ 2.368,26

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

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- 20 V, 20 V

2.1 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPP011N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
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3.429En existencias

$ 7.493,85

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$ 3.383,23

$ 2.858,83

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TO-220-3

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Enhancement

Tube

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IPF009N04NF2SATMA1
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$ 2.419,01

MouseReel Disponible

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302 A

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375 W

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StrongIRFET

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IPB015N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
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StrongIRFET

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$ 3.044,90

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Reel, Cut Tape

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Infineon Technologies
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Envase tipo carrete

$ 4.618,10

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StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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Infineon Technologies
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IPB013N06NF2SATMA1

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726-IPB013N06NF2SATM

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$ 10.335,76

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Envase tipo carrete

$ 4.279,78

MouseReel Disponible

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Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD029N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $ 3.653,88
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IPD029N04NF2SATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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$ 1.569,82

$ 1.309,31

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Envase tipo carrete

$ 1.136,76

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD038N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $ 4.685,77
3.394En existencias

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IPD038N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD038N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Cinta cortada

$ 4.685,77

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$ 1.612,11

Envase tipo carrete

$ 1.466,63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

3.85 mOhms

- 20 V, 20 V

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45 nC

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107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $ 3.907,63
1.851En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP082N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1.851En existencias

$ 3.907,63

$ 1.742,36

$ 1.513,99

$ 1.326,22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

77 A

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- 20 V, 20 V

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100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP019N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $ 4.550,44
8.699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP019N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-P019N06NF2SAKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

8.699En existencias

$ 4.550,44

$ 2.232,93

$ 2.013,02

$ 1.605,34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

185 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

IRFS7434TRL7PP
Infineon Technologies
1: $ 8.356,57
5.212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7434TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7434TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

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5.212En existencias

Cinta cortada

$ 8.356,57

$ 4.618,10

$ 4.195,20

$ 3.501,64

Envase tipo carrete

$ 3.501,64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

240 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

210 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP014N06NF2SAKMA2
Infineon Technologies
1: $ 4.448,94
985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP014N06NF2SAKMA2

N.º de artículo de Mouser
726-P014N06NF2SAKMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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985En existencias

$ 4.448,94

$ 2.757,33

$ 2.469,76

$ 2.013,02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

198 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF039N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.089,81
768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF039N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF039N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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768En existencias

Cinta cortada

$ 6.089,81

$ 3.112,57

$ 2.808,08

$ 2.131,43

Envase tipo carrete

$ 2.131,43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

126 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB023N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $ 4.279,78
782En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB023N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB023N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

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Hoja de datos

782En existencias

Cinta cortada

$ 4.279,78

$ 2.080,68

$ 1.776,19

$ 1.405,73

Envase tipo carrete

$ 1.241,64

$ 1.234,88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

119 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB018N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.514,66
737En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB018N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB018N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

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Hoja de datos

737En existencias

Cinta cortada

$ 5.514,66

$ 2.757,33

$ 2.486,67

$ 1.911,52

Envase tipo carrete

$ 1.826,94

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

125 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.463,91
774En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

Obtenga más información

Hoja de datos

774En existencias

Cinta cortada

$ 5.463,91

$ 2.723,50

$ 2.452,84

$ 1.877,69

Envase tipo carrete

$ 1.793,11

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

122 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $ 4.482,77
8.961En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD020N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD020N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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Hoja de datos

8.961En existencias

Cinta cortada

$ 4.482,77

$ 2.875,74

$ 1.962,27

$ 1.661,16

Envase tipo carrete

$ 1.390,51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

143 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD023N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $ 4.110,62
2.819En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD023N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD023N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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Hoja de datos

2.819En existencias

Cinta cortada

$ 4.110,62

$ 2.013,02

$ 1.793,11

$ 1.431,10

Envase tipo carrete

$ 1.272,09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

137 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD030N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
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IPD030N03LF2SATMA1

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

99 A

3.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

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IPD040N03LF2SATMA1
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: 2.000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

73 A

4.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT015N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
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IPT015N10NF2SATMA1

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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

315 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPB012N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
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IPB012N04NF2SATMA1

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726-IPB012N04NF2SATM

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

197 A

1.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPD023N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
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12.000Se espera el 24/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD023N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD023N04NF2SATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

143 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

46 A
52 A
53 A
71 A
73 A
77 A
78 A
80 A
83 A
94 A
98 A
99 A
107 A
110 A
115 A
117 A
118 A
119 A
120 A
121 A

900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.23 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.75 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms

3 nC
10 nC
13 nC
16 nC
18.6 nC
19 nC
21 nC
24 nC
27 nC
28 nC
33 nC
36 nC
38 nC
42 nC
45 nC
46 nC
50 nC
51 nC
54 nC
57 nC

3.8 W
35 W
41 W
65 W
71 W
75 W
83 W
99 W
100 W
107 W
136 W
143 W
150 W
167 W
188 W
208 W
214 W
245 W
250 W
300 W