Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a V_DS range of 80V to 100V and an R_DS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 74

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 6.872,97 1.524En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB029N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB029N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.524En existencias	Cinta cortada $ 6.872,97 $ 3.479,98 $ 3.149,38 $ 2.435,99 Envase tipo carrete $ 2.435,99 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	2.9 mOhms	20 V	2.1 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPF016N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 9.830,95 5.751En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF016N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF016N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	5.751En existencias	Cinta cortada $ 9.830,95 $ 5.132,97 $ 4.680,58 $ 3.967,18 Envase tipo carrete $ 3.967,18 Ver $ 3.949,78 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	60 V	223 A	1.7 mOhms	20 V	2.1 V	108 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 4.819,78 3.328En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD038N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD038N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	3.328En existencias	Cinta cortada $ 4.819,78 $ 2.366,39 $ 2.140,19 $ 1.710,41 $ 1.658,21 Envase tipo carrete $ 1.508,57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	3.85 mOhms	20 V	2.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 11.257,74 770En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF012N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF012N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	770En existencias	Cinta cortada $ 11.257,74 $ 5.689,77 $ 4.784,98 $ 4.750,18 Envase tipo carrete $ 4.750,18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	60 V	282 A	1.2 mOhms	20 V	2.1 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 10.631,35 777En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB013N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB013N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	777En existencias	Cinta cortada $ 10.631,35 $ 5.306,97 $ 4.454,38 $ 4.402,18 Envase tipo carrete $ 4.402,18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	198 A	1.3 mOhms	20 V	2.1 V	203 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPD029N04NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 4.001,98 2.943En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD029N04NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD029N04NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	2.943En existencias	Cinta cortada $ 4.001,98 $ 1.948,79 $ 1.738,25 $ 1.385,03 $ 1.301,51 Envase tipo carrete $ 1.169,27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	131 A	2.9 mOhms	20 V	2.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPB015N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 9.917,95 2.047En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB015N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB015N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	2.047En existencias	Cinta cortada $ 9.917,95 $ 5.185,17 $ 4.732,78 $ 4.019,38 Envase tipo carrete $ 4.019,38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	195 A	1.5 mOhms	20 V	2.1 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP016N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: $ 7.899,56 1.990En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP016N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP016N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.990En existencias	$ 7.899,56 $ 4.193,38 $ 3.636,58 $ 3.097,18 $ 2.870,99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	80 V	196 A	1.6 mOhms	20 V	3.8 V	170 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP016N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: $ 4.732,78 1.665En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP016N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-P016N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.665En existencias	$ 4.732,78 $ 2.522,99 $ 2.279,39 $ 1.826,99 Ver $ 1.724,33 $ 1.715,63 $ 1.632,11	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	194 A	1.6 mOhms	20 V	2.1 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPT012N08NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 10.300,75 1.648En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT012N08NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT012N08NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.648En existencias	Cinta cortada $ 10.300,75 $ 5.411,37 $ 4.941,58 $ 4.471,78 $ 4.228,18 Envase tipo carrete $ 4.228,18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	80 V	351 A	1.23 mOhms	20 V	2.2 V	170 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: $ 4.680,58 8.552En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP019N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-P019N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	8.552En existencias	$ 4.680,58 $ 2.296,79 $ 2.070,59 $ 1.651,25 Ver $ 1.520,75 $ 1.447,67	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	185 A	1.9 mOhms	20 V	2.1 V	108 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies 1: $ 9.152,35 5.167En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS7434TRL7PP N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7434TRL7PP	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	5.167En existencias	Cinta cortada $ 9.152,35 $ 4.750,18 $ 4.332,58 $ 3.601,78 Envase tipo carrete $ 3.601,78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	240 A	1 mOhms	20 V	3 V	210 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPF009N04NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 7.012,17 943En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF009N04NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF009N04NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	943En existencias	Cinta cortada $ 7.012,17 $ 3.566,98 $ 3.218,98 $ 2.505,59 Envase tipo carrete $ 2.505,59 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	302 A	900 uOhms	20 V	2.1 V	210 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: $ 5.672,37 1.335En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP050N10NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP050N10NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.335En existencias	$ 5.672,37 $ 2.836,19 $ 2.557,79 $ 2.070,59 $ 2.000,99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	110 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPF017N08NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 10.004,95 415En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF017N08NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF017N08NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	415En existencias	Cinta cortada $ 10.004,95 $ 5.237,37 $ 4.784,98 $ 4.071,58 Envase tipo carrete $ 4.019,38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	80 V	259 A	1.7 mOhms	20 V	2.2 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPF050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 5.863,77 1.206En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF050N10NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF050N10NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.206En existencias	Cinta cortada $ 5.863,77 $ 2.940,59 $ 2.644,79 $ 2.035,79 Envase tipo carrete $ 1.966,19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	100 V	117 A	5.05 mOhms	20 V	2.2 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPF039N08NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 6.559,77 768En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF039N08NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF039N08NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	768En existencias	Cinta cortada $ 6.559,77 $ 3.305,98 $ 2.992,79 $ 2.314,19 Envase tipo carrete $ 2.296,79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	80 V	126 A	3.9 mOhms	20 V	2.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 4.402,18 777En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB023N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB023N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	777En existencias	Cinta cortada $ 4.402,18 $ 2.140,19 $ 1.826,99 $ 1.445,93 Envase tipo carrete $ 1.277,15 Ver $ 1.251,05 $ 1.231,91 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	119 A	2.35 mOhms	20 V	2.35 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPB012N04NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 6.246,57 1.301En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB012N04NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB012N04NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.301En existencias	Cinta cortada $ 6.246,57 $ 3.688,78 $ 2.836,19 $ 2.174,99 Envase tipo carrete $ 2.157,59 $ 2.087,99 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	197 A	1.25 mOhms	20 V	2.1 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 4.610,98 8.801En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD020N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD020N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	8.801En existencias	Cinta cortada $ 4.610,98 $ 2.957,99 $ 2.018,39 $ 1.708,67 Envase tipo carrete $ 1.430,27 Ver $ 1.513,79 $ 1.357,19	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	143 A	2.05 mOhms	20 V	2.35 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 4.228,18 2.818En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD023N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD023N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	2.818En existencias	Cinta cortada $ 4.228,18 $ 2.070,59 $ 1.844,39 $ 1.472,03 Envase tipo carrete $ 1.308,47 Ver $ 1.433,75 $ 1.259,75	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	137 A	2.35 mOhms	20 V	2.35 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB018N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 5.672,37 711En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB018N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB018N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	711En existencias	Cinta cortada $ 5.672,37 $ 2.836,19 $ 2.557,79 $ 1.966,19 Envase tipo carrete $ 1.879,19	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	125 A	1.8 mOhms	20 V	2.35 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 5.620,17 774En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB020N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB020N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	774En existencias	Cinta cortada $ 5.620,17 $ 2.801,39 $ 2.522,99 $ 1.931,39 Envase tipo carrete $ 1.844,39	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	122 A	2.05 mOhms	20 V	2.35 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD030N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 3.880,18 3.415En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD030N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD030N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	3.415En existencias	Cinta cortada $ 3.880,18 $ 1.879,19 $ 1.680,83 $ 1.338,05 Envase tipo carrete $ 1.165,79 Ver $ 1.289,33 $ 1.122,29	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	99 A	3.05 mOhms	20 V	2.35 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 3.253,78 3.693En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD040N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD040N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	3.693En existencias	Cinta cortada $ 3.253,78 $ 1.552,07 $ 1.386,77 $ 1.094,45 Envase tipo carrete $ 939,60 Ver $ 1.056,17 $ 878,70	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	73 A	4.05 mOhms	20 V	2.35 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape