UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are high-performance devices that deliver Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speeds, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.

Resultados: 29
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562En existencias
$ 22.933,09
$ 12.736,74
$ 12.005,94
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7 128En existencias
Cinta cortada
$ 42.560,19
$ 31.789,64
$ 27.491,86
$ 24.307,68
Envase tipo carrete
$ 24.307,68
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263 648En existencias
Cinta cortada
$ 24.412,08
$ 13.972,13
$ 13.223,93
Envase tipo carrete
$ 13.223,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO263 1.266En existencias
Cinta cortada
$ 13.693,73
$ 7.394,96
$ 7.325,36
$ 7.064,37
Envase tipo carrete
$ 7.064,37
$ 6.176,97
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247 1.242En existencias
$ 24.655,68
$ 16.060,12
$ 13.972,13
$ 12.545,34
$ 11.605,74
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO263-7 279En existencias
Cinta cortada
$ 51.468,95
$ 40.768,00
$ 37.496,81
$ 33.895,03
Envase tipo carrete
$ 33.895,03
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL 1.319En existencias
Cinta cortada
$ 88.809,16
$ 71.687,65
$ 65.528,08
Envase tipo carrete
$ 65.528,08
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL 634En existencias
Cinta cortada
$ 58.950,91
$ 43.064,79
$ 41.116,00
$ 40.211,20
Envase tipo carrete
$ 40.211,20
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL 2.497En existencias
Cinta cortada
$ 39.950,20
$ 25.908,47
$ 24.446,88
$ 22.828,69
Envase tipo carrete
$ 22.828,69
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL 2.815En existencias
Cinta cortada
$ 27.404,86
$ 16.234,12
$ 16.216,72
$ 15.155,33
Envase tipo carrete
$ 15.155,33
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL 2.570En existencias
Cinta cortada
$ 24.255,48
$ 13.850,33
$ 12.945,54
Envase tipo carrete
$ 12.945,54
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL 3.249En existencias
Cinta cortada
$ 20.027,30
$ 11.205,54
$ 10.787,95
$ 10.196,35
Envase tipo carrete
$ 10.196,35
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL 1.266En existencias
Cinta cortada
$ 33.407,83
$ 20.949,50
$ 19.557,50
Envase tipo carrete
$ 19.557,50
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 6.703En existencias
$ 27.039,47
$ 15.451,12
$ 14.372,33
$ 14.076,53
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/6MOSICFETG4TO247-4 384En existencias
$ 95.612,53
$ 68.207,66
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 626En existencias
$ 24.307,68
$ 13.954,73
$ 13.641,53
$ 12.493,14
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 252En existencias
600Se espera el 18/12/2026
$ 21.471,49
$ 11.831,94
$ 11.014,15
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 1.779En existencias
$ 22.341,49
$ 12.545,34
$ 11.640,54
$ 11.396,94
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263 306En existencias
Cinta cortada
$ 26.465,27
$ 15.503,32
$ 15.381,52
Envase tipo carrete
$ 14.476,73
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 187En existencias
$ 27.196,07
$ 15.381,52
$ 14.998,73
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 289En existencias
$ 29.614,65
$ 16.843,12
$ 15.694,72
$ 15.590,32
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 395En existencias
$ 21.227,90
$ 11.692,74
$ 10.857,55
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7 257En existencias
Cinta cortada
$ 58.289,71
$ 42.455,79
$ 39.637,00
Envase tipo carrete
$ 39.637,00
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO247-4 767En existencias
$ 34.451,83
$ 25.734,47
$ 22.254,49
$ 21.071,30
$ 19.661,90
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263 13En existencias
Cinta cortada
$ 35.060,83
$ 22.411,09
$ 21.140,90
$ 20.009,90
Envase tipo carrete
$ 20.009,90
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET