Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 39

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba 1: $ 7.725,56 39.631En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ200F04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ200F04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	39.631En existencias	Cinta cortada $ 7.725,56 $ 3.949,78 $ 3.584,38 $ 3.044,98 Envase tipo carrete $ 2.870,99 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	TO-220SM-3	P-Channel	1 Channel	40 V	200 A	1.8 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	460 nC		+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A XPN12006NC,L1XHQ Toshiba 1: $ 3.288,58 56.440En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPN12006NC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPN12006NCL1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A Obtenga más información sobre Toshiba xpn12006nc mosfets	Hoja de datos	56.440En existencias	Cinta cortada $ 3.288,58 $ 1.574,69 $ 1.405,91 $ 1.110,11 Envase tipo carrete $ 916,98 Ver $ 1.042,25 $ 1.023,11 $ 894,36	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	20 A	23.7 mOhms	20 V	2.5 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ40S04M3L,LXHQ Toshiba 1: $ 3.010,19 46.125En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ40S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	46.125En existencias	Cinta cortada $ 3.010,19 $ 1.425,05 $ 1.270,19 $ 1.000,50 $ 911,76 Envase tipo carrete $ 870,00	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	40 A	9.1 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	83 nC		+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK1R4S04PB,LXHQ Toshiba 1: $ 4.993,78 25.771En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK1R4S04PB,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4S04PB,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	25.771En existencias	Cinta cortada $ 4.993,78 $ 2.470,79 $ 2.227,19 $ 1.792,19 $ 1.726,07 Envase tipo carrete $ 1.588,61	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	1.35 mOhms	20 V	3 V	103 nC		+ 175 C	180 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ8S06M3L,LXHQ Toshiba 1: $ 2.505,59 43.787En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ8S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	43.787En existencias	Cinta cortada $ 2.505,59 $ 1.172,75 $ 1.042,25 $ 814,32 Envase tipo carrete $ 699,48 Ver $ 800,40 $ 619,44 $ 609,00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	8 A	104 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	19 nC		+ 175 C	27 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ10S04M3L,LXHQ Toshiba 1: $ 2.505,59 17.713En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ10S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ10S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	17.713En existencias	Cinta cortada $ 2.505,59 $ 1.172,75 $ 1.042,25 $ 814,32 Envase tipo carrete $ 676,86 Ver $ 800,40 $ 619,44 $ 609,00	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	10 A	44 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	19 nC		+ 175 C	27 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ80S04M3L,LXHQ Toshiba 1: $ 4.071,58 4.019En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ80S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	4.019En existencias	Cinta cortada $ 4.071,58 $ 1.983,59 $ 1.774,79 $ 1.414,61 Envase tipo carrete $ 1.200,59 Ver $ 1.318,91 $ 1.198,85 $ 1.184,93	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	80 A	5.2 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	158 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba 1: $ 4.558,78 16.682En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPW1R104PB,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-TPW1R104PB,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	16.682En existencias	Cinta cortada $ 4.558,78 $ 2.244,59 $ 2.018,39 $ 1.607,75 Ver Envase tipo carrete $ 1.400,69 $ 1.541,63 $ 1.478,99 $ 1.400,69	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	DSOP-Advance-8	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	1.14 mOhms	20 V	3 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK90S06N1L,LXHQ Toshiba 1: $ 4.193,38 17.433En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK90S06N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	17.433En existencias	Cinta cortada $ 4.193,38 $ 2.053,19 $ 1.844,39 $ 1.463,33 $ 1.391,99 Envase tipo carrete $ 1.249,31	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	90 A	3.3 mOhms	20 V	2.5 V	81 nC		+ 175 C	157 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba 1: $ 6.385,77 1.831En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK1R4F04PB,LXGQ N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4F04PB,LXGQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	1.831En existencias	Cinta cortada $ 6.385,77 $ 3.218,98 $ 2.905,79 $ 2.366,39 Envase tipo carrete $ 2.209,79	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	TO-220SM-3	N-Channel	1 Channel	40 V	160 A	1.35 mOhms	20 V	3 V	103 nC		+ 175 C	205 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK65S04N1L,LXHQ Toshiba 1: $ 3.288,58 11.131En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK65S04N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	11.131En existencias	Cinta cortada $ 3.288,58 $ 1.574,69 $ 1.405,91 $ 1.110,11 Envase tipo carrete $ 934,38 Ver $ 1.073,57 $ 894,36	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	65 A	4.3 mOhms	20 V	2.5 V	39 nC		+ 175 C	107 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TPWR7904PB,L1XHQ Toshiba 1: $ 5.480,97 2.941En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPWR7904PB,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-TPWR7904PB,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	2.941En existencias	Cinta cortada $ 5.480,97 $ 2.731,79 $ 2.470,79 $ 1.983,59 Ver Envase tipo carrete $ 1.792,19 $ 1.913,99 $ 1.826,99 $ 1.792,19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	DSOP-Advance-8	N-Channel	1 Channel	40 V	150 A	790 uOhms	20 V	3 V	85 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK40S06N1L,LXHQ Toshiba 1: $ 2.992,79 2.100En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK40S06N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK40S06N1L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2.100En existencias	Cinta cortada $ 2.992,79 $ 1.416,35 $ 1.263,23 $ 993,54 Envase tipo carrete $ 833,46 Ver $ 974,40 $ 770,82	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	40 A	10.5 mOhms	20 V	2.5 V	26 nC		+ 175 C	88.2 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK33S10N1Z,LXHQ Toshiba 1: $ 3.653,98 1.752En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK33S10N1Z,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK33S10N1Z,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	1.752En existencias	Cinta cortada $ 3.653,98 $ 1.774,79 $ 1.574,69 $ 1.249,31 Envase tipo carrete $ 1.056,17 Ver $ 1.150,13 $ 1.033,55	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	33 A	9.7 mOhms	20 V	4 V	28 nC		+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK33S10N1L,LQ Toshiba 1: $ 4.889,38 968En existencias 2.000Se espera el 16/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TK33S10N1L,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TK33S10N1LLQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	968En existencias 2.000Se espera el 16/11/2026	Cinta cortada $ 4.889,38 $ 2.418,59 $ 2.174,99 $ 1.757,39 $ 1.632,11 Envase tipo carrete $ 1.541,63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	33 A	9.7 mOhms	20 V	1.5 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVIII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK15S04N1L,LQ Toshiba 1: $ 4.054,18 1.682En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK15S04N1L,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TK15S04N1LLQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	1.682En existencias	Cinta cortada $ 4.054,18 $ 1.966,19 $ 1.774,79 $ 1.404,17 Envase tipo carrete $ 1.191,89 Ver $ 1.324,13 $ 1.190,15 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	15 A	13.7 mOhms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVIII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba 1: $ 4.402,18 23.346En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPH3R114MC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPH3R114MC,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	23.346En existencias	Cinta cortada $ 4.402,18 $ 2.157,59 $ 1.931,39 $ 1.539,89 Ver Envase tipo carrete $ 1.331,09 $ 1.498,13 $ 1.454,63 $ 1.331,09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	P-Channel	1 Channel	40 V	100 A	3.1 mOhms	- 20 V, 10 V	2.1 V	230 nC		+ 175 C	170 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba 1: $ 2.731,79 4.412En existencias 2.000Se espera el 6/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ15S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ15S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	4.412En existencias 2.000Se espera el 6/11/2026	Cinta cortada $ 2.731,79 $ 1.285,85 $ 1.144,91 $ 896,10 Envase tipo carrete $ 748,20 $ 687,30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	15 A	50 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	36 nC		+ 175 C	41 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ90S04M3L,LXHQ Toshiba 1: $ 4.489,18 3.609En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ90S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ90S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	3.609En existencias	Cinta cortada $ 4.489,18 $ 2.261,99 $ 1.966,19 $ 1.612,97 Envase tipo carrete $ 1.362,41 Ver $ 1.517,27 $ 1.310,21	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	90 A	4.3 mOhms	- 20 V, 10 V	2 V	172 nC		+ 175 C	180 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK100S04N1L,LXHQ Toshiba 1: $ 4.193,38 4.390En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK100S04N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	4.390En existencias	Cinta cortada $ 4.193,38 $ 2.053,19 $ 1.844,39 $ 1.459,85 $ 1.419,83 Envase tipo carrete $ 1.247,57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.3 mOhms	20 V	2.5 V	76 nC		+ 175 C	180 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK1R5R04PB,LXGQ Toshiba 1: $ 6.333,57 7.786En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK1R5R04PB,LXGQ N.º de artículo de Mouser 757-TK1R5R04PB,LXGQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosix h	Hoja de datos	7.786En existencias	Cinta cortada $ 6.333,57 $ 3.184,18 $ 2.888,39 $ 2.348,99 Envase tipo carrete $ 2.192,39	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	160 A	1.5 mOhms	20 V	3 V	103 nC		+ 175 C	205 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK55S10N1,LXHQ Toshiba 1: $ 4.141,18 3.798En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK55S10N1,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK55S10N1,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	3.798En existencias	Cinta cortada $ 4.141,18 $ 2.018,39 $ 1.809,59 $ 1.435,49 $ 1.393,73 Envase tipo carrete $ 1.221,47	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	55 A	6.5 mOhms	20 V	4 V	49 nC		+ 175 C	157 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 XPH4R714MC,L1XHQ Toshiba 1: $ 3.723,58 3.061En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPH4R714MC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPH4R714MC,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	3.061En existencias	Cinta cortada $ 3.723,58 $ 1.879,19 $ 1.593,83 $ 1.292,81 Ver Envase tipo carrete $ 1.040,51 $ 1.191,89 $ 1.150,13 $ 1.040,51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	P-Channel	1 Channel	40 V	60 A	4.7 mOhms	- 20 V, 10 V	2.1 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ30S06M3L,LXHQ Toshiba 1: $ 3.462,58 307En existencias 2.000Se espera el 6/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ30S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ30S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	307En existencias 2.000Se espera el 6/11/2026	Cinta cortada $ 3.462,58 $ 1.659,95 $ 1.484,21 $ 1.174,49 Envase tipo carrete $ 990,06 Ver $ 1.143,17 $ 960,48	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	30 A	21.8 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	80 nC		+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba 1: $ 2.696,99 700En existencias 16.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante TJ20S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ20S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	700En existencias 16.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: TJ20S04M3L,LXHQ Existencias: 700 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2.000 Se espera el 16/11/2026 4.000 Se espera el 11/12/2026 10.000 Se espera el 2/4/2027 Plazo de entrega de fábrica: 24 Semanas	Cinta cortada $ 2.696,99 $ 1.275,41 $ 1.134,47 $ 889,14 Envase tipo carrete $ 741,24 $ 680,34	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	20 A	22.2 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	37 nC		+ 175 C	41 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape