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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3.440En existencias
Cinta cortada
$ 13.989,53
$ 7.551,56
$ 6.942,57
$ 6.733,77
$ 6.350,97
Envase tipo carrete
$ 6.350,97
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 60 mOhms 20 V 3.5 V 79 nC - 40 C + 150 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.321En existencias
Cinta cortada
$ 9.030,56
$ 4.680,58
$ 4.262,98
$ 3.897,58
$ 3.758,38
Envase tipo carrete
$ 3.532,18
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 105 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.695En existencias
Cinta cortada
$ 7.394,96
$ 4.367,38
$ 3.566,98
$ 2.975,39
$ 2.870,99
Envase tipo carrete
$ 2.696,99
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
518En existencias
Cinta cortada
$ 13.154,33
$ 7.064,37
$ 6.472,77
$ 6.211,77
$ 5.863,77
Envase tipo carrete
$ 5.863,77
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 66 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 40 C + 150 C 189 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
816En existencias
Cinta cortada
$ 12.928,14
$ 6.925,17
$ 6.350,97
$ 6.055,17
Envase tipo carrete
$ 5.724,57
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3.336En existencias
Cinta cortada
$ 6.229,17
$ 3.375,58
$ 2.801,39
$ 2.435,99
$ 2.348,99
Envase tipo carrete
$ 2.348,99
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
697En existencias
$ 18.339,51
$ 9.952,75
$ 9.100,16
$ 8.978,36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3.5 V 109 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.492En existencias
Cinta cortada
$ 13.467,53
$ 7.238,36
$ 6.646,77
$ 6.385,77
$ 6.037,77
Envase tipo carrete
$ 6.037,77
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 55 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.980En existencias
Cinta cortada
$ 12.736,74
$ 6.820,77
$ 6.246,57
$ 5.933,37
$ 5.602,77
Envase tipo carrete
$ 5.602,77
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 75 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
678En existencias
$ 8.943,56
$ 4.628,38
$ 4.210,78
$ 3.688,78
$ 3.462,58
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
712En existencias
$ 5.881,17
$ 2.940,59
$ 2.662,19
$ 2.140,19
$ 2.035,79
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
95En existencias
$ 20.723,30
$ 14.128,73
$ 13.763,33
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
577En existencias
Cinta cortada
$ 17.887,11
$ 9.900,55
$ 9.308,95
$ 9.291,55
$ 8.804,36
Envase tipo carrete
$ 8.804,36
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 45 mOhms 20 V 4 V 79 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
268En existencias
$ 15.973,12
$ 9.413,35
$ 7.934,36
$ 7.690,76
$ 7.238,36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
290En existencias
$ 17.365,11
$ 11.866,74
$ 9.796,15
$ 8.769,56
$ 8.247,56
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.939En existencias
Cinta cortada
$ 8.160,56
$ 5.376,57
$ 4.906,78
$ 4.193,38
Envase tipo carrete
$ 4.193,38
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 95 mOhms 20 V 3.5 V 51 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
420En existencias
Cinta cortada
$ 9.100,16
$ 4.715,38
$ 4.297,78
$ 3.793,18
Envase tipo carrete
$ 3.566,98
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
4.378En existencias
3.000Se espera el 12/11/2026
Cinta cortada
$ 16.808,32
$ 9.413,35
$ 8.752,16
$ 8.612,96
Envase tipo carrete
$ 8.160,56
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3.632En existencias
Cinta cortada
$ 6.664,17
$ 3.566,98
$ 3.236,38
$ 2.662,19
Envase tipo carrete
$ 2.505,59
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.341En existencias
Cinta cortada
$ 9.830,95
$ 5.132,97
$ 4.680,58
$ 4.210,78
Envase tipo carrete
$ 3.967,18
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms 20 V 4.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.404En existencias
Cinta cortada
$ 6.055,17
$ 3.062,38
$ 2.818,79
$ 2.279,39
Envase tipo carrete
$ 1.966,19
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
638En existencias
$ 12.875,94
$ 6.907,77
$ 6.316,17
$ 5.689,77
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
622En existencias
$ 12.336,54
$ 7.655,96
$ 6.942,57
$ 5.898,57
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
180En existencias
$ 33.877,63
$ 20.183,90
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 101 A 18 mOhms 20 V 3.5 V 251 nC - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
480En existencias
$ 27.665,86
$ 15.677,32
$ 15.555,52
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube