Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R055CFD7XTMA1
Infineon Technologies
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726-IPT60R055CFD7XTM

Infineon Technologies

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Envase tipo carrete

$ 5.802,23

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44 A

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236 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.852,98
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IPD60R170CFD7ATMA1

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726-IPD60R170CFD7ATM

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$ 5.852,98

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$ 2.622,00

$ 2.182,18

$ 2.029,94

Envase tipo carrete

$ 1.894,61

MouseReel Disponible

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPL60R160CFD7AUMA1
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Envase tipo carrete

$ 2.622,00

MouseReel Disponible

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Enhancement

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IPZA65R029CFD7XKSA1
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IPZA65R029CFD7XKSA1

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726-IPZA65R029CFD7XK

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TO-247-4

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Tube

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$ 3.433,97

MouseReel Disponible

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Envase tipo carrete

$ 2.266,76

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IPL60R075CFD7AUMA1
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$ 5.633,07

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VSON-4

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IPP60R170CFD7XKSA1
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IPP60R170CFD7XKSA1

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CoolMOS

Tube

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IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
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IPT60R075CFD7XTMA1

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$ 5.446,99

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Enhancement

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IPW60R024CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 26.642,91
343En existencias

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IPW60R024CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CFD7XKS

Infineon Technologies

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343En existencias

$ 26.642,91

$ 16.324,07

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TO-247-3

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Enhancement

Tube

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Infineon Technologies
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2.061En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R055CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R055CFD7ATM

NRND

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$ 14.344,88

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4.5 V

79 nC

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178 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 8.694,89
688En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

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688En existencias

$ 8.694,89

$ 4.499,69

$ 4.093,70

$ 3.366,31

$ 3.349,39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

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N-Channel

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600 V

11 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

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32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 16.882,30
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R041CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R041CFD7XKS

Infineon Technologies

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$ 16.882,30

$ 10.944,74

$ 9.523,78

$ 7.916,75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

41 mOhms

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102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

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IPA60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 6.258,97
946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

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946En existencias

$ 6.258,97

$ 3.197,15

$ 2.892,66

$ 2.351,34

$ 2.199,10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 12.348,78
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R070CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R070CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

831En existencias

Cinta cortada

$ 12.348,78

$ 7.713,76

$ 6.123,64

$ 5.869,90

Envase tipo carrete

$ 5.497,74

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 20.214,78
136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R029CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

136En existencias

$ 20.214,78

$ 14.869,28

$ 13.380,66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 14.175,72
268En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R060CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R060CFD7SA1

NRND

Infineon Technologies

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Hoja de datos

268En existencias

$ 14.175,72

$ 9.371,54

$ 7.713,76

$ 6.952,53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 16.273,32
1.959En existencias
4.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

Infineon Technologies

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1.959En existencias

4.000En pedido

Cinta cortada

$ 16.273,32

$ 11.147,73

$ 8.525,73

$ 8.373,48

Envase tipo carrete

$ 8.035,16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 11.350,72
642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

642En existencias

$ 11.350,72

$ 6.614,21

$ 5.480,83

$ 4.854,93

$ 4.313,61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 32.935,71
215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R018CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

215En existencias

$ 32.935,71

$ 20.536,18

$ 19.368,97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

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1 Channel

600 V

101 A

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+ 150 C

416 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 15.884,25
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

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Hoja de datos

428En existencias

$ 15.884,25

$ 10.826,32

$ 8.931,72

$ 7.426,18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

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- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.817,20
3.166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3.166En existencias

Cinta cortada

$ 6.817,20

$ 4.465,86

$ 3.146,40

$ 2.588,17

Envase tipo carrete

$ 2.435,92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 13.600,57
760En existencias
3.000Se espera el 24/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R060CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R060CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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760En existencias

3.000Se espera el 24/8/2026

Cinta cortada

$ 13.600,57

$ 9.219,29

$ 6.749,54

$ 6.546,54

$ 6.174,39

Envase tipo carrete

$ 6.174,39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 40 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 12.517,94
840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

840En existencias

$ 12.517,94

$ 6.715,70

$ 6.140,56

$ 5.463,91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
8 A
9 A
11 A
14 A
16 A
18 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
31 A
33 A
36 A
38 A
40 A
44 A
50 A
52 A

18 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms
125 mOhms
144 mOhms

24 W
26 W
32 W
52 W
75 W
76 W
83 W
85 W
92 W
95 W
106 W
124 W
125 W
127 W
140 W
147 W
156 W
160 W
171 W
178 W