Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 116

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 18.670,11 12.646En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R037P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R037P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12.646En existencias	$ 18.670,11 $ 9.622,15 $ 9.187,15	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4.000	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	76 A	30 mOhms	20 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 150 C	255 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 5.863,77 3.700En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R360P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R360P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3.700En existencias	Cinta cortada $ 5.863,77 $ 2.940,59 $ 2.644,79 $ 2.140,19 $ 2.087,99 Envase tipo carrete $ 1.966,19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	13 A	310 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	84 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies 1: $ 14.041,73 3.413En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R065P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R065P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3.413En existencias	Cinta cortada $ 14.041,73 $ 7.621,16 $ 6.994,77 $ 6.803,37 $ 6.420,57 Envase tipo carrete $ 6.420,57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	41 A	53 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 40 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 3.323,38 5.276En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5.276En existencias	Cinta cortada $ 3.323,38 $ 1.590,35 $ 1.421,57 $ 1.122,29 $ 1.057,91 Envase tipo carrete $ 906,54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 3.114,58 8.650En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	8.650En existencias	Cinta cortada $ 3.114,58 $ 1.480,73 $ 1.320,65 $ 1.040,51 Envase tipo carrete $ 845,64 Ver $ 963,96 $ 826,50	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	4.5 A	1 Ohms	20 V	2.5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 12.284,34 3.408En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3.408En existencias	$ 12.284,34 $ 6.403,17 $ 5.863,77 $ 5.341,77	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 3.810,58 3.866En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3.866En existencias	Cinta cortada $ 3.810,58 $ 1.844,39 $ 1.644,29 $ 1.306,73 $ 1.212,77 Envase tipo carrete $ 1.089,23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R099P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 9.291,55 1.132En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R099P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R099P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.132En existencias	Cinta cortada $ 9.291,55 $ 4.906,78 $ 4.332,58 $ 3.897,58 Envase tipo carrete $ 3.445,18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	117 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $ 2.975,39 4.850En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN70R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R600P7SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4.850En existencias	$ 2.975,39 $ 1.407,65 $ 1.254,53 $ 998,76 Ver $ 796,92 $ 791,70	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	490 mOhms	30 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	24.9 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 2.418,59 9.128En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R2K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R2K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	9.128En existencias	Cinta cortada $ 2.418,59 $ 1.134,47 $ 1.009,20 $ 786,48 Envase tipo carrete $ 629,88 Ver $ 767,34 $ 584,64	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	2.5 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	7.5 nC	- 55 C	+ 150 C	22 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 3.775,78 4.448En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R750P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R750P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4.448En existencias	Cinta cortada $ 3.775,78 $ 1.826,99 $ 1.630,37 $ 1.296,29 $ 1.202,33 Envase tipo carrete $ 1.078,79	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	640 mOhms	20 V	2.5 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	51 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R900P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 3.497,38 7.416En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R900P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R900P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7.416En existencias	Cinta cortada $ 3.497,38 $ 1.680,83 $ 1.501,61 $ 1.190,15 $ 1.134,47 Envase tipo carrete $ 972,66	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	770 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies 1: $ 5.724,57 3.631En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R185P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R185P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3.631En existencias	Cinta cortada $ 5.724,57 $ 2.853,59 $ 2.575,19 $ 2.087,99 $ 2.053,19 Envase tipo carrete $ 1.896,59 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	19 A	149 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 40 C	+ 150 C	81 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 2.662,19 7.343En existencias 9.000Se espera el 3/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPN80R1K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN80R1K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7.343En existencias 9.000Se espera el 3/12/2026	Cinta cortada $ 2.662,19 $ 1.249,31 $ 1.111,85 $ 870,00 Envase tipo carrete $ 692,52 Ver $ 683,82 $ 662,94 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R900P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 3.949,78 1.216En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R900P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R900P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.216En existencias	$ 3.949,78 $ 1.913,99 $ 1.712,15 $ 1.308,47 Ver $ 1.191,89 $ 1.148,39	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	770 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon Technologies 1: $ 1.722,59 4.033En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN70R1K4P7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN70R1K4P7SATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4.033En existencias	Cinta cortada $ 1.722,59 $ 788,22 $ 696,00 $ 546,36 Envase tipo carrete $ 426,30 Ver $ 403,68 $ 365,40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	700 V	4 A	1.15 Ohms	16 V	2.5 V	4.7 nC	- 40 C	+ 150 C	6.2 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies 1: $ 3.532,18 1.411En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPU80R900P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU80R900P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.411En existencias	$ 3.532,18 $ 1.583,39 $ 1.421,57 $ 1.190,15 Ver $ 1.104,89 $ 1.103,15 $ 1.010,94	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $ 3.497,38 1.649En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN70R360P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R360P7SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.649En existencias	$ 3.497,38 $ 1.677,35 $ 1.499,87 $ 1.230,17 Ver $ 1.052,69 $ 1.023,11 $ 970,92	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	12.5 A	300 mOhms	30 V	2.5 V	16.4 nC	- 40 C	+ 150 C	26.5 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZA60R045P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 17.104,12 195En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPZA60R045P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZA60R045P7XKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	195En existencias	$ 17.104,12 $ 9.221,95 $ 8.508,56 $ 8.299,76	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	61 A	45 mOhms	20 V	3.5 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 2.505,59 Plazo de entrega 26 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega 26 Semanas	Cinta cortada $ 2.505,59 $ 1.466,81 $ 1.251,05 $ 993,54 Envase tipo carrete $ 793,44 Ver $ 882,18 $ 756,90	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	1.4 Ohms	30 V	3 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R600P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 4.628,38 1.318En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R600P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R600P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.318En existencias	$ 4.628,38 $ 2.279,39 $ 2.035,79 $ 1.597,31 Ver $ 1.480,73 $ 1.426,79	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	8 A	510 mOhms	20 V	2.5 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 2.975,39 2.007En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPN95R2K0P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R2K0P7ATMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW	Hoja de datos	2.007En existencias	Cinta cortada $ 2.975,39 $ 1.407,65 $ 1.254,53 $ 984,84 Envase tipo carrete $ 809,10 Ver $ 943,08 $ 756,90 $ 730,80 $ 716,88	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	4 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 2.923,19 2.815En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPN80R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN80R1K2P7ATMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW	Hoja de datos	2.815En existencias	Cinta cortada $ 2.923,19 $ 1.383,29 $ 1.233,65 $ 969,18 Envase tipo carrete $ 803,88 Ver $ 882,18 $ 774,30 $ 756,90	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4.5 A	1 Ohms	30 V	3 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	6.8 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $ 2.853,59 56.328En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA70R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA70R600P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	56.328En existencias	$ 2.853,59 $ 1.346,75 $ 1.198,85 $ 983,10 Ver $ 751,68 $ 730,80	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	600 mOhms	16 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	24.9 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 14.563,73 4.688En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R045P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R045P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4.688En existencias	Cinta cortada $ 14.563,73 $ 9.743,95 $ 6.681,57 $ 6.594,57 Envase tipo carrete $ 6.472,77 Ver $ 6.333,57 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	120 V	61 A	45 mOhms	20 V	1.7 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel