Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
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IPD80R360P7ATMA1
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Enhancement

CoolMOS

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IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
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Envase tipo carrete

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IPL60R065P7AUMA1
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Envase tipo carrete

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IPAN70R600P7SXKSA1
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IPD80R750P7ATMA1
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IPA80R900P7XKSA1
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Tube

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IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
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IPN95R2K0P7ATMA1
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SOT-223-3

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CoolMOS

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IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPA80R450P7XKSA1

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726-IPA80R450P7XKSA1

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CoolMOS

Tube

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IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPD60R600P7ATMA1

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726-IPD60R600P7ATMA1

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$ 2.926,49

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$ 801,82

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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3 V

9 nC

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30 W

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CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
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1.441En existencias

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IPU80R900P7AKMA1

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726-IPU80R900P7AKMA1

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$ 3.433,97

$ 1.539,37

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1 Channel

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6 A

900 mOhms

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+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 3.400,14
1.669En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1.669En existencias

$ 3.400,14

$ 1.630,72

$ 1.458,17

$ 1.195,97

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

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- 30 V, 30 V

2.5 V

16.4 nC

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+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 16.002,66
220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R045P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R045P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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220En existencias

$ 16.002,66

$ 8.965,55

$ 8.271,99

$ 8.068,99

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

90 nC

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+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.554,34
2.153En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R3K7P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R3K7P7AKMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

2.153En existencias

$ 2.554,34

$ 1.130,00

$ 1.011,58

$ 910,09

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Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.841,91
2.815En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K2P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2.815En existencias

Cinta cortada

$ 2.841,91

$ 1.344,83

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$ 942,23

Envase tipo carrete

$ 752,77

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4.5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

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6.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 1.860,77
5.050En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R3K3P7ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

Hoja de datos

5.050En existencias

Cinta cortada

$ 1.860,77

$ 1.168,90

$ 766,30

$ 593,76

Envase tipo carrete

$ 478,73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

6.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 18.151,01
12.886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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12.886En existencias

$ 18.151,01

$ 9.862,10

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$ 9.050,13

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
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21.007En existencias
23.760Se espera el 29/4/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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21.007En existencias

23.760Se espera el 29/4/2027

$ 7.020,19

$ 3.467,81

$ 3.163,32

$ 2.622,00

$ 2.537,42

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.649,99
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N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$ 2.554,34

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Envase tipo carrete

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: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

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: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

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22.7 W

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

6.9 W

Enhancement

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.8 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W