Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
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20 V
1.5 V, 1.6 V
650 pC, 1.2 nC
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12 V
1.2 V
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BSS314PEH6327XT
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30 V
1.5 A
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2 V
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TSOP-6
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30 V
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20 V
1.5 V
23.4 nC
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SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
100 V
1.2 A
329 mOhms
20 V
1.4 V
4.5 nC
- 55 C
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SOT-363-6
P-Channel
2 Channel
20 V
390 mA
1.2 Ohms
12 V
600 mV
500 pC
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BSL215CH6327XTSA1
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20 V
1.5 A, 1.5 A
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12 V
900 mV, 950 mV
73 pC, 3 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
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BSL316CH6327XTSA1
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SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
30 V
1.4 A, 1.5 A
113 mOhms, 119 mOhms
20 V
1.5 V, 1.6 V
600 pC, 2.4 nC
- 55 C
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500 mW
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BSP125H6433XTMA1
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SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
600 V
120 mA
25 Ohms
20 V
1.9 V
4.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.8 W
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
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BSP324H6327XTSA1
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Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
400 V
170 mA
14.3 Ohms
20 V
1.9 V
4.54 nC
- 55 C
+ 150 C
1.8 W
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AEC-Q101
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BSS119NH6327XTSA1
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726-BSS119NH6327XTSA
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
100 V
190 mA
2.406 Ohms
20 V
1.3 V
600 pC
- 55 C
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500 mW
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AEC-Q100
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
BSS127IXTSA1
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726-BSS127IXTSA1
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21.757 En existencias
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SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
600 V
21 mA
500 Ohms
20 V
2.6 V
650 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
BSS214NWH6327XTSA1
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726-BSS214NWH6327XTS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
81.001 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
20 V
1.5 A
106 mOhms
12 V
950 mV
800 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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BSS315PH6327XT
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726-BSS315PH6327XTSA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
22.223 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
30 V
1.5 A
113 mOhms
20 V
2 V
2.3 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
+2 imágenes
BSS806NEH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
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143.467 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSS806NEH6327XTS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
143.467 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
20 V
2.3 A
41 mOhms
8 V
550 mV
1.7 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
+2 imágenes
SN7002NH6327XTSA2
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168.105 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-SN7002NH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
168.105 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
200 mA
5 Ohms
20 V
1.8 V
1 nC
- 55 C
+ 150 C
360 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
BSS816NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
$ 539,40
180.306 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-SP000917562
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
180.306 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
20 V
1.4 A
107 mOhms
8 V
550 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH
BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
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907 En existencias
15.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSL202SNH6327XTS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH
907 En existencias
15.000 En pedido
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9.000 Se espera el 21/10/2027
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8 Semanas
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Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
1 Channel
20 V
7.5 A
26 mOhms
12 V
950 mV
5.8 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
+2 imágenes
BSP373NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
$ 1.931,39
65 En existencias
9.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSP373NH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
65 En existencias
9.000 En pedido
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
100 V
1.8 A
177 mOhms
20 V
2.1 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.8 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
BSS126IXTSA1
Infineon Technologies
1:
$ 1.235,39
826 En existencias
21.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSS126IXTSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
826 En existencias
21.000 En pedido
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
600 V
21 mA
500 Ohms
20 V
2.7 V
1.4 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Depletion
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
+2 imágenes
2N7002 H6327
Infineon Technologies
1:
$ 643,80
839 En existencias
24.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-2N7002H6327
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
839 En existencias
24.000 En pedido
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Mult.: 1
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3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
300 mA
1.6 Ohms
20 V
1.5 V
600 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
+2 imágenes
BSD235CH6327XT
Infineon Technologies
1:
$ 1.304,99
1.774 En existencias
27.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSD235CH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
1.774 En existencias
27.000 En pedido
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1.774 Se puede enviar inmediatamente
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9.000 Se espera el 28/1/2027
18.000 Se espera el 11/2/2027
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37 Semanas
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
530 mA, 950 mA
266 mOhms, 745 mOhms
12 V
700 mV, 1.2 V
340 pC, 400 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
+2 imágenes
BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
1:
$ 1.165,79
1.985 En existencias
153.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSD235NH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
1.985 En existencias
153.000 En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
20 V
950 mA
266 mOhms, 415 mOhms
12 V
950 mV
320 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
$ 1.879,19
3.743 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSL211SPH6327XTS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
3.743 En existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
1 Channel
20 V
4.7 A
94 mOhms
12 V
900 mV
12.4 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
$ 1.826,99
4.592 En existencias
6.000 Se espera el 26/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSL308PEH6327XTS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
4.592 En existencias
6.000 Se espera el 26/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
2 Channel
30 V
2 A
88 mOhms
20 V
1.5 V
5 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel