Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Resultados: 55
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 67.356En existencias
Cinta cortada
$ 1.861,79
$ 857,82
$ 722,10
$ 584,64
Envase tipo carrete
$ 415,86
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: 3.000
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 2 A, 2.3 A 44 mOhms, 62 mOhms 20 V 1.5 V, 1.6 V 650 pC, 1.2 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 50.434En existencias
Cinta cortada
$ 2.174,99
$ 1.052,69
$ 852,60
$ 690,78
Envase tipo carrete
$ 490,68
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: 3.000
Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 43 mOhms 12 V 1.2 V 13.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 16.250En existencias
Cinta cortada
$ 1.078,79
$ 737,76
$ 468,06
$ 294,06
Envase tipo carrete
$ 220,98
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: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 107 mOhms 20 V 2 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 9.162En existencias
Cinta cortada
$ 2.035,79
$ 939,60
$ 833,46
$ 643,80
Envase tipo carrete
$ 502,86
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: 3.000
Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 30 V 5.5 A 52 mOhms 20 V 1.5 V 23.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 9.541En existencias
25.000En pedido
Cinta cortada
$ 1.948,79
$ 896,10
$ 772,56
$ 612,48
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$ 553,32
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: 1.000
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.2 A 329 mOhms 20 V 1.4 V 4.5 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2 140.206En existencias
228.000Se espera el 24/12/2026
Cinta cortada
$ 835,20
$ 368,88
$ 323,64
$ 241,86
Envase tipo carrete
$ 180,96
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: 3.000
Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 2 Channel 20 V 390 mA 1.2 Ohms 12 V 600 mV 500 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 29.960En existencias
Cinta cortada
$ 1.618,19
$ 742,98
$ 655,98
$ 502,86
Envase tipo carrete
$ 473,28
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 1.5 A, 1.5 A 108 mOhms, 173 mOhms 12 V 900 mV, 950 mV 73 pC, 3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 37.585En existencias
Cinta cortada
$ 1.461,59
$ 664,68
$ 586,38
$ 447,18
$ 443,70
Envase tipo carrete
$ 384,54
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 1.4 A, 1.5 A 113 mOhms, 119 mOhms 20 V 1.5 V, 1.6 V 600 pC, 2.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 10.383En existencias
Cinta cortada
$ 2.296,79
$ 976,14
$ 948,30
$ 737,76
Envase tipo carrete
$ 562,02
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Min.: 1
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: 4.000
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 600 V 120 mA 25 Ohms 20 V 1.9 V 4.4 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3 16.127En existencias
16.000Se espera el 24/12/2026
Cinta cortada
$ 2.279,39
$ 1.059,65
$ 941,34
$ 732,54
Envase tipo carrete
$ 650,76
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 400 V 170 mA 14.3 Ohms 20 V 1.9 V 4.54 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 67.256En existencias
27.000Se espera el 30/12/2026
Cinta cortada
$ 609,00
$ 269,70
$ 234,90
$ 174,00
Envase tipo carrete
$ 127,02
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Min.: 1
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: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 2.406 Ohms 20 V 1.3 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 21.757En existencias
Cinta cortada
$ 783,00
$ 344,52
$ 301,02
$ 224,46
Envase tipo carrete
$ 167,04
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 mA 500 Ohms 20 V 2.6 V 650 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3 81.001En existencias
48.000En pedido
Cinta cortada
$ 643,80
$ 287,10
$ 250,56
$ 186,18
Envase tipo carrete
$ 135,72
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 106 mOhms 12 V 950 mV 800 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 22.223En existencias
Cinta cortada
$ 1.235,39
$ 854,34
$ 541,14
$ 335,82
$ 247,08
Envase tipo carrete
$ 149,64
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 113 mOhms 20 V 2 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 143.467En existencias
Cinta cortada
$ 730,80
$ 327,12
$ 285,36
$ 212,28
Envase tipo carrete
$ 167,04
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 41 mOhms 8 V 550 mV 1.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 200mA SOT-23-3 168.105En existencias
Cinta cortada
$ 626,40
$ 280,14
$ 243,60
$ 180,96
Envase tipo carrete
$ 132,24
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 200 mA 5 Ohms 20 V 1.8 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3 180.306En existencias
Cinta cortada
$ 539,40
$ 247,08
$ 214,02
$ 165,30
Envase tipo carrete
$ 127,02
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 107 mOhms 8 V 550 mV 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH 907En existencias
15.000En pedido
Cinta cortada
$ 1.809,59
$ 829,98
$ 734,28
$ 565,50
Envase tipo carrete
$ 447,18
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.5 A 26 mOhms 12 V 950 mV 5.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3 65En existencias
9.000En pedido
Cinta cortada
$ 1.931,39
$ 1.071,83
$ 791,70
$ 610,74
Envase tipo carrete
$ 544,62
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.8 A 177 mOhms 20 V 2.1 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 826En existencias
21.000En pedido
Cinta cortada
$ 1.235,39
$ 854,34
$ 541,14
$ 335,82
Envase tipo carrete
$ 208,80
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 mA 500 Ohms 20 V 2.7 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 839En existencias
24.000En pedido
Cinta cortada
$ 643,80
$ 374,10
$ 229,68
$ 165,30
Envase tipo carrete
$ 125,28
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.6 Ohms 20 V 1.5 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 1.774En existencias
27.000En pedido
Cinta cortada
$ 1.304,99
$ 892,62
$ 565,50
$ 349,74
$ 259,26
Envase tipo carrete
$ 140,94
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 530 mA, 950 mA 266 mOhms, 745 mOhms 12 V 700 mV, 1.2 V 340 pC, 400 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 1.985En existencias
153.000En pedido
Cinta cortada
$ 1.165,79
$ 798,66
$ 504,60
$ 313,20
$ 231,42
Envase tipo carrete
$ 140,94
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 950 mA 266 mOhms, 415 mOhms 12 V 950 mV 320 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 3.743En existencias
Cinta cortada
$ 1.879,19
$ 863,04
$ 739,50
$ 588,12
Envase tipo carrete
$ 415,86
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4.7 A 94 mOhms 12 V 900 mV 12.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 4.592En existencias
6.000Se espera el 26/11/2026
Cinta cortada
$ 1.826,99
$ 840,42
$ 744,72
$ 572,46
Envase tipo carrete
$ 462,84
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 2 Channel 30 V 2 A 88 mOhms 20 V 1.5 V 5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel