U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Resultados: 86
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V 13.744En existencias
Cinta cortada
$ 1.061,39
$ 475,02
$ 417,60
$ 314,94
Envase tipo carrete
$ 208,80
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms 8 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
5.309En existencias
Cinta cortada
$ 4.228,18
$ 2.070,59
$ 1.861,79
$ 1.473,77
$ 1.388,51
Envase tipo carrete
$ 1.245,83
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
4.054En existencias
Cinta cortada
$ 4.193,38
$ 2.053,19
$ 1.844,39
$ 1.482,47
$ 1.388,51
Envase tipo carrete
$ 1.231,91
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF 455En existencias
Cinta cortada
$ 1.200,59
$ 535,92
$ 469,80
$ 294,06
Envase tipo carrete
$ 214,02
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 250 mOhms 8 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
86.515En existencias
Cinta cortada
$ 1.148,39
$ 518,52
$ 455,88
$ 344,52
Envase tipo carrete
$ 262,74
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package
19.012En existencias
Cinta cortada
$ 661,20
$ 288,84
$ 252,30
$ 187,92
Envase tipo carrete
$ 120,06
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Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000
Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 4 Ohms - 8 V, 6 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W 5.829En existencias
Cinta cortada
$ 1.809,59
$ 835,20
$ 739,50
$ 568,98
Envase tipo carrete
$ 506,34
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 7 A 33 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD 9.093En existencias
Cinta cortada
$ 887,40
$ 403,68
$ 351,48
$ 280,14
Envase tipo carrete
$ 229,68
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
190.719En existencias
Cinta cortada
$ 1.096,19
$ 494,16
$ 435,00
$ 328,86
Envase tipo carrete
$ 240,12
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF 58.063En existencias
Cinta cortada
$ 678,60
$ 299,28
$ 261,00
$ 194,88
Envase tipo carrete
$ 142,68
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V 11.734En existencias
Cinta cortada
$ 1.531,19
$ 701,22
$ 619,44
$ 473,28
Envase tipo carrete
$ 365,40
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5.4 A 14 mOhms 6 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel 15.579En existencias
Cinta cortada
$ 1.148,39
$ 518,52
$ 455,88
$ 344,52
Envase tipo carrete
$ 262,74
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.5 A 24.9 mOhms 8 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
24.945En existencias
36.000Se espera el 28/9/2026
Cinta cortada
$ 1.513,79
$ 1.059,65
$ 669,90
$ 414,12
Envase tipo carrete
$ 271,44
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.3 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC 50.703En existencias
Cinta cortada
$ 678,60
$ 299,28
$ 262,74
$ 194,88
Envase tipo carrete
$ 144,42
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 311 mOhms 8 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF 56.059En existencias
Cinta cortada
$ 748,20
$ 327,12
$ 287,10
$ 214,02
Envase tipo carrete
$ 158,34
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 150 mOhms 8 V 1 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS 29.344En existencias
87.000Se espera el 5/10/2026
Cinta cortada
$ 748,20
$ 454,14
$ 287,10
$ 214,02
Envase tipo carrete
$ 158,34
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
105.060En existencias
Cinta cortada
$ 1.130,99
$ 509,82
$ 447,18
$ 337,56
Envase tipo carrete
$ 257,52
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH VDSS:-30V VGSS:-12/+6V ID
173.726En existencias
Cinta cortada
$ 713,40
$ 438,48
$ 332,34
$ 247,08
Envase tipo carrete
$ 179,22
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 205.888En existencias
Cinta cortada
$ 748,20
$ 327,12
$ 287,10
$ 278,40
Envase tipo carrete
$ 161,82
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000
Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 390 mOhms 8 V 300 mV 1.6 nC + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 37.110En existencias
12.000Se espera el 21/9/2026
Cinta cortada
$ 870,00
$ 386,28
$ 337,56
$ 254,04
Envase tipo carrete
$ 184,44
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V 112.221En existencias
Cinta cortada
$ 1.043,99
$ 727,32
$ 459,36
$ 288,84
Envase tipo carrete
$ 167,04
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V 89.373En existencias
Cinta cortada
$ 1.217,99
$ 551,58
$ 485,46
$ 367,14
Envase tipo carrete
$ 280,14
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 20 V 10 A 15.3 mOhms 8 V 300 mV 29.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF 26.581En existencias
Cinta cortada
$ 1.513,79
$ 694,26
$ 612,48
$ 468,06
Envase tipo carrete
$ 382,80
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 14.188En existencias
Cinta cortada
$ 1.287,59
$ 584,64
$ 513,30
$ 389,76
Envase tipo carrete
$ 297,54
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package
18.064En existencias
Cinta cortada
$ 1.357,19
$ 614,22
$ 541,14
$ 412,38
Envase tipo carrete
$ 316,68
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 157 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 6.74 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel