Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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NVMFD5877NLWFT1G-UM
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-FD5877NLWFT1G-UM
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onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
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N.º de artículo de Mouser 241-MBR1060DCAUR26A1
Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 781-SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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Módulos IGBT IGBT 1700V 450A
FF450R17ME4
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 641-FF450R17ME4
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT 1700V 450A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
SH63N65DM6AG
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser 511-SH63N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
174 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
XP3832CMT
YAGEO XSemi
1:
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N.º de artículo de Mouser 603-XP3832CMT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KE6TB1
ROHM Semiconductor
1:
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N.º de artículo de Mouser 755-HP8KE6TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
4.860 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HT8KE6TB1
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-HT8KE6TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
5.917 En existencias
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
NCP51560BBDWR2G
onsemi
1:
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N.º de artículo de Mouser 863-NCP51560BBDWR2G
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
BSM250D17P2E004
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-BSM250D17P2E004
ROHM Semiconductor
Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
44 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L14FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
210.370 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
PMD2001D,115
Nexperia
1:
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184.867 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMD2001D115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
184.867 En existencias
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$ 224,98
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
PMP4201Y,135
Nexperia
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N.º de artículo de Mouser 771-PMP4201Y135
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
288.027 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
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110.643 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
$ 304,49
301.513 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
301.513 En existencias
1
$ 304,49
10
$ 294,34
3.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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71.040 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
71.040 En existencias
1
$ 1.065,72
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$ 1.050,49
3.000
$ 1.050,49
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
$ 930,39
28.792 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
28.792 En existencias
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1
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3.000
$ 927,00
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Detalles
Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
CAB008A12GM3T
Wolfspeed
1:
$ 357.201,02
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N.º de artículo de Mouser 941-CAB008A12GM3T
Wolfspeed
Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
13 En existencias
1
$ 357.201,02
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$ 317.972,51
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V,Diodos de Conmutación de Señal Baja,SOT-23,4A
BAV99_R1_00001
Panjit
1:
$ 304,49
944.321 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-BAV99_R1_00001
Panjit
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V,Diodos de Conmutación de Señal Baja,SOT-23,4A
944.321 En existencias
1
$ 304,49
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$ 131,95
100
$ 115,03
500
$ 84,58
3.000
$ 59,21
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Ver
1.000
$ 79,51
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$ 57,51
9.000
$ 49,06
24.000
$ 38,91
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Carrete :3.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
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FDS8949
onsemi
1:
$ 2.605,08
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N.º de artículo del Fabricante
FDS8949
N.º de artículo de Mouser 512-FDS8949
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
58.932 En existencias
1
$ 2.605,08
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$ 857,65
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Carrete :2.500
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 120V 200mA
BAS31
onsemi
1:
$ 778,14
403.599 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BAS31
N.º de artículo de Mouser 512-BAS31
onsemi
Diodos de Conmutación de Señal Baja 120V 200mA
403.599 En existencias
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1
$ 778,14
10
$ 348,47
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$ 304,49
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$ 228,37
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$ 169,16
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Carrete :3.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
FDMS86300DC
onsemi
1:
$ 6.918,70
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N.º de artículo de Mouser 512-FDMS86300DC
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
34.452 En existencias
1
$ 6.918,70
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$ 3.586,22
100
$ 3.163,32
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$ 2.588,17
1.000
$ 2.503,59
3.000
$ 2.503,59
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Máx.: 1.500
Carrete :3.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
$ 625,90
47.622 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
47.622 En existencias
1
$ 625,90
10
$ 614,06
2.500
$ 614,06
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2.500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
$ 1.167,21
24.647 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
24.647 En existencias
1
$ 1.167,21
10
$ 1.165,52
2.500
$ 1.165,52
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2.500
Detalles
