Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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$ 3.484,72
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3.000 Se espera el 10/8/2026
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ768ELP-T1_GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
VS-SC200FA120
Vishay
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N.º de artículo de Mouser 78-VS-SC200FA120
Vishay
Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
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Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
FF600R12KE7EHPSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-FF600R12KE7EHPSA
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
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Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NSVT5551DW1T1G
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onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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N.º de artículo de Mouser 689-DN2625DK6-G
Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
1:
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N.º de artículo de Mouser 241-MBR1060DCAUR26A1
Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
6.227 En existencias
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$ 1.996,10
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800
$ 639,43
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
1:
$ 629.990,55
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N.º de artículo de Mouser 726-DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
13 En existencias
1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
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41.533 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41.533 En existencias
1
$ 2.571,25
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
1:
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249.391 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
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1
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$ 226,68
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Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
1:
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N.º de artículo de Mouser 755-SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
1.258 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
$ 6.106,72
43.407 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
43.407 En existencias
1
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
1:
$ 372,15
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N.º de artículo de Mouser 757-1SS302ALF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
609.265 En existencias
1
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$ 67,66
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$ 55,82
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1:
$ 845,81
243.536 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L14FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
243.536 En existencias
1
$ 845,81
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Ver
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24.000
$ 133,64
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
PMD2001D,115
Nexperia
1:
$ 372,15
186.158 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMD2001D115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
186.158 En existencias
1
$ 372,15
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Ver
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$ 142,10
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$ 137,02
24.000
$ 135,33
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Carrete :3.000
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
PMP4201Y,135
Nexperia
1:
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N.º de artículo de Mouser 771-PMP4201Y135
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
286.240 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 1.116,46
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$ 441,51
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10.000
$ 218,22
1.000
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$ 238,52
10.000
$ 218,22
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :10.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
$ 3.230,98
110.643 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
110.643 En existencias
1
$ 3.230,98
10
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$ 996,36
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9.000
$ 869,49
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Carrete :3.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
$ 1.471,70
301.813 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
301.813 En existencias
1
$ 1.471,70
10
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100
$ 590,37
500
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Ver
1.000
$ 407,68
6.000
$ 319,71
9.000
$ 290,96
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
$ 3.755,38
71.040 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
71.040 En existencias
1
$ 3.755,38
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Ver
1.000
$ 1.179,05
6.000
$ 1.036,96
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
$ 3.349,39
28.794 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
28.794 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 3.349,39
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$ 947,30
9.000
$ 915,16
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
FDMS3669S
onsemi
1:
$ 4.685,77
42.678 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FDMS3669S
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
42.678 En existencias
1
$ 4.685,77
10
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Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3.000
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
BAV199T-7-F
Diodes Incorporated
1:
$ 575,15
330.764 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-BAV199T-F
Diodes Incorporated
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
330.764 En existencias
1
$ 575,15
10
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3.000
$ 137,02
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Carrete :3.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
+1 imagen
DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
1:
$ 845,81
365.618 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
365.618 En existencias
1
$ 845,81
10
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$ 142,10
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 3.000
Carrete :3.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
$ 710,48
140.156 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
140.156 En existencias
1
$ 710,48
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$ 321,41
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$ 294,34
9.000
$ 290,96
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Carrete :3.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
$ 2.029,94
110.353 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
110.353 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 2.029,94
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$ 1.273,78
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$ 837,35
500
$ 647,89
3.000
$ 509,18
6.000
Ver
1.000
$ 586,99
6.000
$ 470,27
9.000
$ 458,43
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3.000
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