Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 86

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: $ 4.228,18 5.219En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ30S06M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ30S06M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	5.219En existencias	Cinta cortada $ 4.228,18 $ 2.070,59 $ 1.861,79 $ 1.475,51 $ 1.388,51 Envase tipo carrete $ 1.263,23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	30 A	21.8 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	80 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 TJ40S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: $ 4.193,38 4.054En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ40S04M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	4.054En existencias	Cinta cortada $ 4.193,38 $ 2.053,19 $ 1.844,39 $ 1.505,09 $ 1.388,51 Envase tipo carrete $ 1.247,57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	40 A	9.1 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	83 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V SSM3J134TU,LF Toshiba 1: $ 1.061,39 13.744En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J134TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J134TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	13.744En existencias	Cinta cortada $ 1.061,39 $ 475,02 $ 417,60 $ 314,94 Envase tipo carrete $ 238,38 Ver $ 215,76 $ 193,14 $ 186,18	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	UFM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	3.2 A	93 mOhms	8 V	1 V	4.7 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET SSM3J351R,LXHF Toshiba 1: $ 1.130,99 80.262En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J351R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J351RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba automotive ssmx mosfets	Hoja de datos	80.262En existencias	Cinta cortada $ 1.130,99 $ 509,82 $ 447,18 $ 337,56 Envase tipo carrete $ 254,04 Ver $ 250,56 $ 222,72 $ 207,06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	60 V	3.5 A	164 mOhms	- 20 V, 10 V	2 V	15.1 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET SSM3J378R,LXHF Toshiba 1: $ 1.148,39 86.515En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J378R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J378RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba automotive ssmx mosfets	Hoja de datos	86.515En existencias	Cinta cortada $ 1.148,39 $ 518,52 $ 455,88 $ 344,52 Envase tipo carrete $ 262,74 Ver $ 227,94 $ 205,32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	29.8 mOhms	- 8 V, 6 V	1 V	12.8 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba 1: $ 1.200,59 445En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J213FE(TE85L,F N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J213FETE85LF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	445En existencias	Cinta cortada $ 1.200,59 $ 535,92 $ 469,80 $ 294,06 Envase tipo carrete $ 214,02 Ver $ 281,88 $ 184,44 $ 168,78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	ES6-6	P-Channel	1 Channel	20 V	2.6 A	250 mOhms	8 V	1 V	4.7 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW SSM6J212FE,LF Toshiba 1: $ 1.426,79 7.457En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J212FE,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J212FELF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	7.457En existencias	Cinta cortada $ 1.426,79 $ 645,54 $ 568,98 $ 433,26 Envase tipo carrete $ 292,32 Ver $ 426,30 $ 405,42 $ 276,66 $ 274,92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	ES6-6	P-Channel	1 Channel	20 V	4 A	94 mOhms	8 V	1 V	14.1 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET SSM3J377R,LXHF Toshiba 1: $ 730,80 20.351En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J377R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J377RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba automotive ssmx mosfets	Hoja de datos	20.351En existencias	Cinta cortada $ 730,80 $ 321,90 $ 281,88 $ 210,54 Envase tipo carrete $ 154,86 Ver $ 144,42 $ 137,46 $ 116,58 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	20 V	3.9 A	93 mOhms	- 8 V, 6 V	1 V	4.6 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package SSM3J66MFV,L3F Toshiba 1: $ 661,20 19.012En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J66MFV,L3F N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J66MFVL3F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	19.012En existencias	Cinta cortada $ 661,20 $ 288,84 $ 252,30 $ 187,92 Envase tipo carrete $ 120,06 Ver $ 182,70 $ 120,06 $ 102,66 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 8.000	Si	SMD/SMT	VESM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	800 mA	4 Ohms	- 8 V, 6 V	1 V	1.6 nC	- 55 C	+ 150 C	150 mW	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD SSM6N55NU,LF Toshiba 1: $ 1.165,79 8.938En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N55NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N55NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	8.938En existencias	Cinta cortada $ 1.165,79 $ 523,74 $ 459,36 $ 339,30 Envase tipo carrete $ 245,34 Ver $ 290,58 $ 224,46 $ 208,80 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si			N-Channel	2 Channel												U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF SSM3K324R,LF Toshiba 1: $ 748,20 10.540En existencias 39.000Se espera el 4/12/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3K324R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K324RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	10.540En existencias 39.000Se espera el 4/12/2026	Cinta cortada $ 748,20 $ 327,12 $ 287,10 $ 214,02 Envase tipo carrete $ 158,34 Ver $ 144,42 $ 132,24 $ 120,06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si			N-Channel	1 Channel												U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W TPC8132,LQ(S Toshiba 1: $ 1.809,59 5.829En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPC8132,LQ(S N.º de artículo de Mouser 757-TPC8132LQS	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	5.829En existencias	Cinta cortada $ 1.809,59 $ 835,20 $ 739,50 $ 568,98 Envase tipo carrete $ 567,24 Ver $ 567,24 $ 396,72 $ 389,76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	SOP-8	P-Channel	1 Channel	40 V	7 A	33 mOhms	- 25 V, 20 V	2 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	1.9 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS SSM3J351R,LF Toshiba 1: $ 1.096,19 182.543En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J351R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J351RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	182.543En existencias	Cinta cortada $ 1.096,19 $ 494,16 $ 435,00 $ 328,86 Envase tipo carrete $ 248,82 Ver $ 240,12 $ 215,76 $ 194,88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	60 V	3.5 A	164 mOhms	- 20 V, 10 V	800 mV	15.1 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF SSM3K56FS,LF Toshiba 1: $ 678,60 53.282En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3K56FS,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K56FSLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	53.282En existencias	Cinta cortada $ 678,60 $ 299,28 $ 261,00 $ 194,88 Envase tipo carrete $ 142,68 Ver $ 137,46 $ 121,80 $ 107,88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-416-3	N-Channel	1 Channel	20 V	800 mA	235 mOhms	8 V	400 mV	1 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V SSM3J130TU,LF Toshiba 1: $ 1.513,79 16.017En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J130TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J130TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	16.017En existencias	Cinta cortada $ 1.513,79 $ 683,82 $ 603,78 $ 459,36 Envase tipo carrete $ 353,22 Ver $ 441,96 $ 341,04 $ 302,76 $ 283,62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	UFM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	4.4 A	25.8 mOhms	8 V	1 V	24.8 nC	- 55 C	+ 150 C	800 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V SSM3J132TU,LF Toshiba 1: $ 1.531,19 11.224En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J132TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J132TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	11.224En existencias	Cinta cortada $ 1.531,19 $ 701,22 $ 619,44 $ 473,28 Envase tipo carrete $ 365,40 Ver $ 320,16 $ 309,72 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	UFM-3	P-Channel	1 Channel	12 V	5.4 A	14 mOhms	6 V	1 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel SSM3J133TU,LF Toshiba 1: $ 1.217,99 15.452En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J133TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J133TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	15.452En existencias	Cinta cortada $ 1.217,99 $ 549,84 $ 483,72 $ 365,40 Envase tipo carrete $ 278,40 Ver $ 241,86 $ 217,50 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	UFM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	5.5 A	24.9 mOhms	8 V	1 V	12.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V SSM3J168F,LF Toshiba 1: $ 1.513,79 35.838Se espera el 13/11/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3J168F,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J168FLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	35.838Se espera el 13/11/2026	Cinta cortada $ 1.513,79 $ 1.059,65 $ 669,90 $ 414,12 Envase tipo carrete $ 271,44 Ver $ 304,50 $ 234,90 $ 205,32 $ 167,04 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-346-3	P-Channel	1 Channel	60 V	400 mA	1.3 Ohms	- 20 V, 10 V	2 V	3 nC	- 55 C	+ 150 C	1.2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC SSM3J325F,LF Toshiba 1: $ 678,60 50.053En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J325F,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J325FLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	50.053En existencias	Cinta cortada $ 678,60 $ 299,28 $ 262,74 $ 194,88 Envase tipo carrete $ 144,42 Ver $ 121,80 $ 106,14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-346-3	P-Channel	1 Channel	20 V	2 A	311 mOhms	8 V	1 V	4.6 nC	- 55 C	+ 150 C	600 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF SSM3J331R,LF Toshiba 1: $ 748,20 56.059En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J331R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J331RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	56.059En existencias	Cinta cortada $ 748,20 $ 327,12 $ 287,10 $ 214,02 Envase tipo carrete $ 158,34 Ver $ 135,72 $ 120,06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	20 V	4 A	150 mOhms	8 V	1 V	10.4 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH VDSS:-30V VGSS:-12/+6V ID SSM3J372R,LF Toshiba 1: $ 713,40 169.916En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J372R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J372RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH VDSS:-30V VGSS:-12/+6V ID Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	169.916En existencias	Cinta cortada $ 713,40 $ 438,48 $ 332,34 $ 247,08 Envase tipo carrete $ 179,22 Ver $ 219,24 $ 172,26 $ 153,12 $ 120,06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	30 V	6 A	42 mOhms	- 12 V, 6 V	1.2 V	8.2 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET SSM3J56MFV,L3F Toshiba 1: $ 748,20 205.514En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J56MFV,L3F N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J56MFVL3F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	205.514En existencias	Cinta cortada $ 748,20 $ 327,12 $ 287,10 $ 278,40 Envase tipo carrete $ 161,82 Ver $ 243,60 $ 219,24 $ 182,70 $ 127,02 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 8.000	Si	SMD/SMT	SOT-723-3	P-Channel	1 Channel	20 V	800 mA	390 mOhms	8 V	300 mV	1.6 nC		+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V SSM3K345R,LF Toshiba 1: $ 870,00 44.868En existencias 3.000Se espera el 4/12/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3K345R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K345RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	44.868En existencias 3.000Se espera el 4/12/2026	Cinta cortada $ 870,00 $ 386,28 $ 337,56 $ 254,04 Envase tipo carrete $ 187,92 Ver $ 252,30 $ 175,74 $ 156,60 $ 137,46 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	N-Channel	1 Channel	20 V	4 A	25 mOhms	8 V	400 mV	3.6 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF SSM6J505NU,LF Toshiba 1: $ 1.513,79 16.741En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J505NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J505NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	16.741En existencias	Cinta cortada $ 1.513,79 $ 694,26 $ 612,48 $ 468,06 Envase tipo carrete $ 382,80 Ver $ 370,62 $ 334,08 $ 323,64 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si			P-Channel	1 Channel												U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS SSM6N57NU,LF Toshiba 1: $ 1.287,59 14.188En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N57NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N57NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	14.188En existencias	Cinta cortada $ 1.287,59 $ 584,64 $ 513,30 $ 389,76 Envase tipo carrete $ 297,54 $ 259,26 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si			N-Channel	2 Channel												U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel