Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
SSM6L826R,LF
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
VS-SC200FA120
Vishay
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Vishay
Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
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Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
onsemi
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
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Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D
BUK7K15-80EX
Nexperia
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Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
181.173 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
SQ1922AEEH-T1_GE3
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
127.570 En existencias
1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
171.834 En existencias
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1
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$ 367,08
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
26.289 En existencias
1
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$ 998,05
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Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
VS-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductors
1:
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37.927 En existencias
N.º de artículo de Mouser 844-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductors
Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
37.927 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
NVTJD4001NT1G
onsemi
1:
$ 879,64
929.468 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NVTJD4001NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
929.468 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 879,64
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$ 258,82
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Carrete :3.000
Detalles
Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 16mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
CAB016M12FM3T
Wolfspeed
1:
$ 169.279,72
22 En existencias
39 Se espera el 16/10/2026
N.º de artículo de Mouser 941-CAB016M12FM3T
Wolfspeed
Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 16mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
22 En existencias
39 Se espera el 16/10/2026
1
$ 169.279,72
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108
$ 132.148,82
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Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
XP3832CMT
YAGEO XSemi
1:
$ 3.366,31
2.997 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP3832CMT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
2.997 En existencias
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Carrete :3.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
FDMS86300DC
onsemi
1:
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N.º de artículo de Mouser 512-FDMS86300DC
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
35.546 En existencias
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$ 3.467,81
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Carrete :3.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
+2 imágenes
SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
$ 2.486,67
51.294 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
51.294 En existencias
1
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$ 739,23
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$ 605,60
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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25.493 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
25.493 En existencias
1
$ 3.958,37
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1.000
$ 1.260,25
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$ 1.165,52
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Carrete :2.500
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