Semiconductores – Mouser Argentina

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Residential Energy Storage Systems (ESS)

Infineon Residential Storage Solutions (ESS) offers various products to create and manage resilient energy infrastructures. Infineon's distinctive expertise in energy generation, power conversion, transmission, and battery management makes it an ideal natural partner to advance Energy Storage Solutions, especially in terms of efficiency, innovation, performance, and optimal cost.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 33.529,86
1.492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R017C7XKSA1

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726-IPW60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$ 33.529,86

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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER

2EDF9275FXUMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.798,52
8.222En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
2EDF9275FXUMA1

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726-2EDF9275FXUMA1

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas ISOLATED DRIVER

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$ 5.798,52

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$ 3.947,58

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$ 3.013,92

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: 2.500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $ 1.883,70
2.996En existencias

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IPU80R4K5P7AKMA1

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726-IPU80R4K5P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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$ 1.883,70

$ 807,53

$ 717,44

$ 589,68

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.597,04
1.990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R075CFD7XTMA1

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726-IPT60R075CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$ 11.597,04

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$ 5.667,48

$ 5.339,88

$ 4.995,90

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 10.270,26
437En existencias
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IMZA65R107M1HXKSA1

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726-IMZA65R107M1HXKS

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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$ 10.270,26

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.309,58
2.153En existencias
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IPU95R3K7P7AKMA1

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726-IPU95R3K7P7AKMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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$ 2.309,58

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$ 909,09

$ 709,25

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.973,78
25.981En existencias

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IPB017N10N5ATMA1

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726-IPB017N10N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
1: $ 13.742,82
7.755En existencias

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IPB048N15N5LFATMA1

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726-IPB048N15N5LF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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$ 7.387,38

$ 6.568,38

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$ 5.814,90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 10.925,46
36.414En existencias

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IPT015N10N5ATMA1

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726-IPT015N10N5ATMA1

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$ 4.635,54

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: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.809,98
8.059En existencias
6.000Se espera el 14/9/2026

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IPT012N08N5ATMA1

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726-IPT012N08N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

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$ 11.809,98

$ 7.895,16

$ 5.782,14

$ 5.470,92

$ 5.290,74

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$ 5.110,56

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: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 21.523,32
2.692En existencias

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IPW60R040C7XKSA1

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726-IPW60R040C7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$ 21.523,32

$ 16.036,02

$ 13.349,70

$ 11.908,26

$ 11.138,40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.187,54
3.139En existencias

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IPB020N10N5ATMA1

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726-IPB020N10N5ATMA1

Infineon Technologies

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$ 7.485,66

$ 6.011,46

$ 5.339,88

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$ 4.733,82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPB020N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.777,22
696En existencias
6.000En pedido

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IPB020N10N5LFATMA1

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726-IPB020N10N5LFATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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$ 11.777,22

$ 7.878,78

$ 6.339,06

$ 5.634,72

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$ 4.995,90

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: 1.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 15.348,06
533En existencias

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IPW60R055CFD7XKSA1

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726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$ 15.348,06

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$ 7.698,60

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Microcontroladores ARM - MCU XMC1000

XMC1404F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.861,58
3.871En existencias

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XMC1404F064X0200AAXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1404F064X0200AAX

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Microcontroladores ARM - MCU XMC1000

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$ 8.861,58

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$ 5.339,88

$ 4.537,26

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$ 3.243,24

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: 1.900

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.040,12
1.202En existencias
1.000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB048N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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1.000Se espera el 22/10/2026

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$ 11.040,12

$ 7.223,58

$ 5.323,50

$ 4.733,82

Envase tipo carrete

$ 4.193,28

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: 1.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.990,16
1.679En existencias

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IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$ 11.990,16

$ 8.091,72

$ 5.880,42

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Envase tipo carrete

$ 5.241,60

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: 3.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.009,00
2.989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$ 9.009,00

$ 5.945,94

$ 4.275,18

$ 3.816,54

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$ 3.554,46

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT059N15N3
Infineon Technologies
1: $ 10.303,02
1.182En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT059N15N3

N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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$ 10.303,02

$ 6.748,56

$ 4.979,52

$ 4.422,60

$ 4.291,56

Envase tipo carrete

$ 3.931,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.318,58
1.227En existencias
3.890En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT059N15N3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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1.227En existencias

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$ 11.318,58

$ 7.403,76

$ 5.454,54

$ 4.848,48

$ 4.307,94

Envase tipo carrete

$ 4.307,94

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: $ 15.331,68
985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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985En existencias

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$ 15.331,68

$ 10.483,20

$ 7.747,74

$ 7.239,96

Envase tipo carrete

$ 7.239,96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $ 16.281,72
577En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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577En existencias

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$ 16.281,72

$ 11.171,16

$ 8.370,18

$ 8.075,34

Envase tipo carrete

$ 7.829,64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 20.491,38
625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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625En existencias

$ 20.491,38

$ 15.266,16

$ 12.727,26

$ 11.334,96

$ 10.597,86

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 17.264,52
767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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767En existencias

$ 17.264,52

$ 12.203,10

$ 10.171,98

$ 9.058,14

$ 8.468,46

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC093N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.158,06
90En existencias
35.000En pedido

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BSC093N15NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC093N15NS5ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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$ 7.158,06

$ 4.717,44

$ 3.423,42

$ 3.030,30

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$ 2.637,18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

Residential Energy Storage Systems (ESS)

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