Semiconductores – Mouser Argentina

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Residential Energy Storage Systems (ESS)

Infineon Residential Storage Solutions (ESS) offers various products to create and manage resilient energy infrastructures. Infineon's distinctive expertise in energy generation, power conversion, transmission, and battery management makes it an ideal natural partner to advance Energy Storage Solutions, especially in terms of efficiency, innovation, performance, and optimal cost.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.846,02
2.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R075CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$ 7.846,02

$ 6.126,12

$ 4.389,84

$ 4.275,18

$ 3.882,06

Envase tipo carrete

$ 3.488,94

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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER

2EDF9275FXUMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.028,66
8.222En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
2EDF9275FXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-2EDF9275FXUMA1

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas ISOLATED DRIVER

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$ 5.028,66

$ 3.783,78

$ 3.456,18

$ 3.112,20

Envase tipo carrete

$ 2.522,52

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 7.714,98
444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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$ 7.714,98

$ 5.552,82

$ 4.914,00

$ 4.373,46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB110N20N3LFATMA1
Infineon Technologies
1: $ 12.203,10
853En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB110N20N3LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB110N20N3LFATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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$ 12.203,10

$ 8.271,90

$ 6.257,16

$ 6.240,78

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$ 5.094,18

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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDH08G65C6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 6.437,34
832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDH08G65C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDH08G65C6XKSA1

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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$ 6.437,34

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$ 2.260,44

$ 2.244,06

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: $ 12.104,82
1.497En existencias

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IPT60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$ 12.104,82

$ 8.190,00

$ 6.191,64

$ 6.175,26

$ 5.585,58

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$ 5.045,04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC093N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.372,64
12.837En existencias

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BSC093N15NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC093N15NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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$ 4.029,48

$ 2.997,54

$ 2.702,70

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$ 2.276,82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 10.057,32
11.864En existencias

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IPB017N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

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$ 10.057,32

$ 6.420,96

$ 5.192,46

$ 5.012,28

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$ 4.275,18

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.680,58
6.598En existencias

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IPB020N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N10N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

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$ 9.680,58

$ 6.240,78

$ 4.684,68

$ 4.619,16

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$ 3.751,02

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPB020N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.762,48
5.565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N10N5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N10N5LFATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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$ 9.762,48

$ 6.764,94

$ 4.897,62

$ 4.864,86

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$ 3.963,96

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.813,26
12.589En existencias
12.000Se espera el 26/2/2026

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IPT015N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1

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12.589En existencias

12.000Se espera el 26/2/2026

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$ 7.813,26

$ 5.700,24

$ 4.226,04

$ 3.947,58

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$ 3.325,14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 29.615,04
1.702En existencias

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IPW60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$ 29.615,04

$ 18.132,66

$ 16.691,22

$ 16.674,84

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.419,32
1.070En existencias

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IPB048N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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1.070En existencias

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$ 8.419,32

$ 5.913,18

$ 4.226,04

$ 4.078,62

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$ 3.325,14

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Mult.: 1

Carrete: 1.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.318,58
2.941En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB048N15N5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5LF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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2.941En existencias

Cinta cortada

$ 11.318,58

$ 7.649,46

$ 5.667,48

Envase tipo carrete

$ 4.619,16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 12.563,46
465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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465En existencias

$ 12.563,46

$ 7.305,48

$ 6.142,50

$ 5.520,06

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Mult.: 1

Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000

XMC1404F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.747,74
5.821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XMC1404F064X0200AAXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1404F064X0200AAX

Infineon Technologies

Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000

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5.821En existencias

Cinta cortada

$ 7.747,74

$ 5.159,70

$ 4.766,58

$ 4.144,14

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Envase tipo carrete

$ 2.981,16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.900

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 21.670,74
222En existencias
720Se espera el 30/7/2026

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IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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222En existencias

720Se espera el 30/7/2026

$ 21.670,74

$ 13.153,14

$ 11.547,90

$ 11.007,36

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 13.529,88
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

332En existencias

$ 13.529,88

$ 8.583,12

$ 7.354,62

$ 6.945,12

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.763,30
1.784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1.784En existencias

Cinta cortada

$ 8.763,30

$ 6.339,06

$ 4.570,02

$ 4.471,74

$ 4.242,42

Envase tipo carrete

$ 3.636,36

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.336,60
3.350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

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Hoja de datos

3.350En existencias

Cinta cortada

$ 9.336,60

$ 6.240,78

$ 4.488,12

$ 4.389,84

Envase tipo carrete

$ 3.570,84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT059N15N3
Infineon Technologies
1: $ 7.977,06
1.712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT059N15N3

N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

1.712En existencias

Cinta cortada

$ 7.977,06

$ 6.519,24

$ 5.274,36

$ 4.684,68

Envase tipo carrete

$ 3.767,40

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.452,08
1.157En existencias
2.000Se espera el 9/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT059N15N3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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1.157En existencias

2.000Se espera el 9/4/2026

Cinta cortada

$ 8.452,08

$ 6.191,64

$ 4.602,78

$ 4.471,74

Envase tipo carrete

$ 3.751,02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.072,88
740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

740En existencias

Cinta cortada

$ 11.072,88

$ 8.730,54

$ 8.714,16

$ 6.699,42

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Envase tipo carrete

$ 5.454,54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 16.527,42
806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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806En existencias

$ 16.527,42

$ 9.369,36

$ 9.352,98

$ 8.140,86

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 14.119,56
847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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847En existencias

$ 14.119,56

$ 7.665,84

$ 6.977,88

$ 6.961,50

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Min.: 1
Mult.: 1

Residential Energy Storage Systems (ESS)

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