Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5CGSCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Envase tipo carrete

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
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Envase tipo carrete

$ 1.364,45

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Enhancement

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IQE030N06NM5CGATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

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Envase tipo carrete

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TSON-12

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ISG0614N06NM5HATMA1
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Infineon Technologies

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Envase tipo carrete

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

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$ 2.391,48

$ 932,02

$ 843,57

$ 692,87

$ 661,75

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

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Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

IAUC120N06S5L022ATMA1
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IAUC120N06S5L022ATMA1

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726-IAUC120N06S5L022

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

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Envase tipo carrete

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

IAUC120N06S5N032ATMA1
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IAUC120N06S5N032ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

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Envase tipo carrete

$ 954,95

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TDSON-8

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AEC-Q101

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT009N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
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IPT009N06NM5ATMA1

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726-IPT009N06NM5ATMA

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Envase tipo carrete

$ 4.520,88

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HSOF-8

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60 V

427 A

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300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
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832En existencias

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IPTC012N06NM5ATMA1

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726-IPTC012N06NM5ATM

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$ 9.484,02

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$ 3.783,78

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

60 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQDH88N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
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5.165En existencias

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IQDH88N06LM5CGATMA1

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726-IQDH88N06LM5CGAT

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$ 6.470,10

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Envase tipo carrete

$ 3.685,50

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: 5.000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

447 A

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- 10 V, 10 V

1.1 V

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- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.552,82
4.461En existencias

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IQE022N06LM5CGATMA1

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726-IQE022N06LM5CGAT

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$ 5.552,82

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$ 1.867,32

Min.: 1
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: 5.000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

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2.3 V

53 nC

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100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.978,70
5.492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5SCAT

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$ 5.978,70

$ 3.914,82

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$ 2.162,16

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SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5SCATMA1
Infineon Technologies
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1.673En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5SCAT

Infineon Technologies

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1.673En existencias

Cinta cortada

$ 6.093,36

$ 3.996,72

$ 2.800,98

$ 2.571,66

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$ 2.309,58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

3 mOhms

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3.3 V

49 nC

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Enhancement

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ISG0614N06NM5HSCATMA1
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ISG0614N06NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0614N06NM5HSC

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1.504En existencias

Cinta cortada

$ 8.632,26

$ 5.749,38

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$ 3.882,06

Envase tipo carrete

$ 3.685,50

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: 3.000

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TFN-10

N-Channel

2 Channel

60 V

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT008N06NM5LFATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPT008N06NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT008N06NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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4.024En existencias

Cinta cortada

$ 12.661,74

$ 8.632,26

$ 6.519,24

$ 6.355,44

$ 6.224,40

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$ 5.929,56

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

454 A

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- 20 V, 20 V

3.6 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH86N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IQFH86N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH86N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

290En existencias

Cinta cortada

$ 10.319,40

$ 6.912,36

$ 4.995,90

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$ 4.406,22

Envase tipo carrete

$ 4.406,22

Min.: 1
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: 3.000

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TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

394 A

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+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH99N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
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300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH99N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH99N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

300En existencias

Cinta cortada

$ 8.959,86

$ 6.109,74

$ 4.389,84

$ 4.111,38

Envase tipo carrete

$ 3.832,92

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

339 A

1.72 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IST011N06NM5AUMA1
Infineon Technologies
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2.869En existencias

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IST011N06NM5AUMA1

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726-IST011N06NM5AUMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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2.869En existencias

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$ 8.746,92

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$ 3.603,60

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: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

399 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

3.3 V

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- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
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6.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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87En existencias

6.000En pedido

Cinta cortada

$ 7.289,10

$ 4.750,20

$ 3.718,26

$ 3.128,58

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Envase tipo carrete

$ 2.702,70

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WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.473,38
7.931En existencias

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BSC097N06NSATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

46 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUZ40N06S5L050ATMA1
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Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8-33

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

5 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISC010N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
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726-ISC010N06NM5ATMA

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Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

330 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
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IPP029N06NXKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

84 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
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BSC022N04LS6ATMA1

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726-BSC022N04LS6ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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140.000Se espera el 2/7/2026

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$ 1.241,60

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SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 A
40 A
41 A
46 A
69 A
84 A
95 A
100 A
120 A
137 A
151 A
170 A
233 A
259 A
275 A
276 A
311 A
330 A
339 A
394 A

750 uOhms
800 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.55 mOhms
1.6 mOhms
1.72 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.23 mOhms
4 mOhms
4.9 mOhms

12.5 nC
15 nC
28 nC
38 nC
39 nC
47 nC
49 nC
53 nC
56 nC
68 nC
70 nC
75 nC
76 nC
77 nC
90 nC
106 nC
110 nC
115 nC
120 nC
133 nC

2.5 W
36 W
38 W
42 W
71 W
79 W
94 W
100 W
107 W
125 W
136 W
139 W
167 W
188 W
214 W
217 W
250 W
273 W
278 W
300 W