Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5CGSCATMA1
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21 A

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
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OptiMOS

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IQE030N06NM5SCATMA1
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IAUC41N06S5N102ATMA1
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OptiMOS

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ISG0614N06NM5HATMA1
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ISG0614N06NM5HATMA1

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2 Channel

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3.3 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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IRFB7545PBF
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IRFB7545PBF

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942-IRFB7545PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

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Through Hole

TO-220-3

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Enhancement

StrongIRFET

Tube

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

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Infineon Technologies
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IAUC120N06S5L022ATMA1

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TDSON-8

N-Channel

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60 V

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AEC-Q101

OptiMOS

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Infineon Technologies
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IAUC120N06S5N032ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5N032

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TDSON-8

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120 A

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OptiMOS

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Infineon Technologies
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1.744En existencias

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IPT009N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N06NM5ATMA

Infineon Technologies

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$ 4.357,08

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1 Channel

60 V

427 A

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2.8 V

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300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.190,00
3.601En existencias

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IPTC012N06NM5ATMA1

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726-IPTC012N06NM5ATM

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$ 4.029,48

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

60 V

311 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

106 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQDH88N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.470,10
5.175En existencias

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IQDH88N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH88N06LM5CGAT

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$ 6.470,10

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$ 3.521,70

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SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

447 A

860 uOhms

- 10 V, 10 V

1.1 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.356,26
4.461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Cinta cortada

$ 5.356,26

$ 3.472,56

$ 2.555,28

$ 2.129,40

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$ 1.736,28

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SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.241,60
3.518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGSC

Infineon Technologies

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3.518En existencias

Cinta cortada

$ 5.241,60

$ 3.734,64

$ 3.718,26

$ 2.604,42

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$ 1.867,32

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WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

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+ 175 C

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.798,52
5.912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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5.912En existencias

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$ 5.798,52

$ 3.800,16

$ 2.653,56

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$ 1.867,32

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SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISC015N06NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.618,34
1.750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC015N06NM5LF2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC015N06NM5LF2A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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1.750En existencias

Cinta cortada

$ 5.618,34

$ 4.242,42

$ 4.176,90

$ 3.407,04

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Envase tipo carrete

$ 2.784,60

MouseReel Disponible

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3.45 V

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+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISG0614N06NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
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2.708En existencias
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ISG0614N06NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0614N06NM5HSC

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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2.708En existencias

Cinta cortada

$ 8.222,76

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$ 4.111,38

$ 3.669,12

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$ 3.292,38

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SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

60 V

233 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC007N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.433,24
2.498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC007N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TC007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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2.498En existencias

Cinta cortada

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$ 5.765,76

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Envase tipo carrete

$ 4.815,72

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Min.: 1
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SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

60 V

454 A

750 uOhms

- 20 V, 20 V

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+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH86N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IQFH86N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH86N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

290En existencias

Cinta cortada

$ 8.386,56

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$ 4.979,52

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Envase tipo carrete

$ 3.849,30

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH99N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.485,66
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH99N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH99N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

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300En existencias

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Envase tipo carrete

$ 3.341,52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

339 A

1.72 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUZ40N06S5L050ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.817,36
13.003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ40N06S5L050ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N06S5L050A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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$ 1.210,48

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$ 877,97

Envase tipo carrete

$ 715,81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8-33

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

5 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IST011N06NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.468,46
2.869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IST011N06NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST011N06NM5AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$ 3.128,58

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Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

399 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

3.3 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH68N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.320,22
280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH68N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH68N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

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Cinta cortada

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Envase tipo carrete

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

460 A

1.12 Ohms

- 20 V, 20 V

2.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

273 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
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20.575En existencias
15.000Se espera el 6/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC022N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC022N04LS6ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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20.575En existencias

15.000Se espera el 6/3/2026

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 A
40 A
41 A
46 A
69 A
84 A
95 A
100 A
120 A
137 A
151 A
170 A
233 A
275 A
311 A
330 A
339 A
394 A
399 A
427 A

750 uOhms
800 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.47 mOhms
1.55 mOhms
1.6 mOhms
1.72 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.23 mOhms
4 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
8 mOhms

12.5 nC
15 nC
28 nC
38 nC
39 nC
47 nC
49 nC
53 nC
56 nC
68 nC
75 nC
76 nC
77 nC
90 nC
106 nC
110 nC
115 nC
120 nC
133 nC
137 nC

2.5 W
36 W
38 W
42 W
71 W
79 W
94 W
100 W
107 W
125 W
136 W
139 W
167 W
214 W
217 W
250 W
273 W
278 W
300 W
313 W