Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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IPW60R160P6
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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
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Envase tipo carrete

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Envase tipo carrete

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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IPP60R160P6

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Infineon Technologies
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IPD60R600P6ATMA1

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IPP60R099P6
Infineon Technologies
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IPP60R099P6

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Tube

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IPA60R099P6
Infineon Technologies
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463En existencias

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IPA60R099P6

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726-IPA60R099P6

Infineon Technologies

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$ 8.632,26

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TO-220-3

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34 W

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CoolMOS

Tube

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IPL60R210P6
Infineon Technologies
1: $ 5.503,68
1.510En existencias

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IPL60R210P6

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726-IPL60R210P6

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$ 5.503,68

$ 3.587,22

$ 2.751,84

$ 2.309,58

Envase tipo carrete

$ 1.818,18

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

ThinPAK-5

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1 Channel

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151 W

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IPB60R160P6ATMA1
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2.000Se espera el 2/3/2026

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IPB60R160P6ATMA1

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726-IPB60R160P6ATMA1

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2.000Se espera el 2/3/2026

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$ 5.716,62

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$ 2.882,88

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Envase tipo carrete

$ 2.162,16

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Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

23.8 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

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176 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 8.615,88
886En existencias

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IPA60R099P6XKSA1

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726-IPA60R099P6XKSA1

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$ 8.615,88

$ 5.716,62

$ 4.619,16

$ 4.111,38

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600 V

37.9 A

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- 20 V, 20 V

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6
Infineon Technologies
1: $ 5.814,90
30En existencias

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IPA60R160P6

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726-IPA60R160P6

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$ 5.814,90

$ 3.783,78

$ 2.899,26

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TO-220-3

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1 Channel

600 V

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+ 150 C

34 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 5.520,06
328En existencias

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IPA60R160P6XKSA1

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726-IPA60R160P6XKSA1

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$ 5.520,06

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$ 2.047,50

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TO-220-3

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1 Channel

600 V

23.8 A

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- 20 V, 20 V

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44 nC

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 9.336,60
242En existencias

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IPP60R099P6XKSA1

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726-IPP60R099P6XKSA1

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$ 5.651,10

$ 5.274,36

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37.9 A

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R041P6
Infineon Technologies
1: $ 16.183,44
68En existencias
240Se espera el 2/4/2026

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IPW60R041P6

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726-IPW60R041P6

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68En existencias

240Se espera el 2/4/2026

$ 16.183,44

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$ 10.548,72

$ 9.385,74

$ 8.370,18

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77.5 A

37 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

170 nC

- 55 C

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 5.929,56
139En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

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139En existencias

$ 5.929,56

$ 4.340,70

$ 3.832,92

$ 3.816,54

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TO-247-3

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600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

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- 55 C

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219 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
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IPW60R160P6FKSA1

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726-IPW60R160P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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$ 5.978,70

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1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

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44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
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