Si71 MOSFETs

Vishay Si71 MOSFETs feature TrenchFET® Gen III Power MOSFET technology in low thermal resistance PowerPAK® 1212-8 and PowerPak SO-8 packages. The MOSFETs are 100% Rg and UIS tested, ensuring reliability and performance. The N- and P-channel MOSFETs are halogen-free under the IEC 61249-2-21 definition. These compact MOSFETs are ideal for applications where space and thermal management are critical.

Resultados: 44
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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16.585En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 250 V 14.4 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 14.9 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
23.216En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 20 V 19.5 A 6.2 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
89.455En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 200 V 3.8 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 16.2 nC - 50 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
103.642En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 7.2 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
80.289En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 150 V 2.17 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 21.1A 0.0053Ohm
Hoja de datos
5.440En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 20 V 21.1 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V
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6.457En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 16.4 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
5.201En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 150 V 8.9 A 295 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 27.5 nC - 50 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
6.120En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 40 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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7.995En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 75 V 28 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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15.281En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 200 V 17.2 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 35A
Hoja de datos
2.775En existencias
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 12 V 35 A 3.7 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 46 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 22A 0.0049Ohm
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4.756En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 20 V 22 A 4.9 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V
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4.038En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 20 V 22 A 4.9 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V
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5.238En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 20 V 21.1 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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127.374En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 220 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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15.971En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.95 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 390 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
18.662En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 265 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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14.432En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 200 V 25 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
35.745En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 100 V 10.8 A 132 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 27.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
8.816En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 2 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 415 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
4.350En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 20 V 19.5 A 6.2 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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7.186En existencias
2.900Se espera el 2/3/2026
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 50 C + 150 C 39 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
4.771En existencias
6.000Se espera el 16/2/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 11.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 47.5 nC - 50 C + 150 C 52.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET
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25.214En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8PT N-Channel 1 Channel 40 V 65 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 31.4 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel