StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a VDS range of 80V to 100V and an RDS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

Resultados: 74
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1.539En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 236 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
3.440En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.85 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
2.028En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 83 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 154 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Hoja de datos
5.472En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 210 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
3.047En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 131 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
1.551En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
782En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 282 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1.957En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1.856En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 77 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
465En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 259 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
2.137En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
768En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 126 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Hoja de datos
664En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Hoja de datos
706En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 122 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Hoja de datos
6.971En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 143 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1.092En existencias
3.600Se espera el 23/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 315 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 161 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
2.097En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
16.422En existencias
12.000Se espera el 16/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 143 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
3.476En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
1.832En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 351 A 1.23 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1.853En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 294 A 1.75 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
1.052En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
1.819En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 194 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
8.709En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 185 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Hoja de datos
2.829En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 137 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape