Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 26

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.669,94
38.437En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD02N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD02N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Obtenga más información

Hoja de datos

38.437En existencias

Cinta cortada

$ 2.669,94

$ 1.703,52

$ 1.130,22

$ 889,43

$ 812,45

Envase tipo carrete

$ 742,01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

SPP11N80C3
Infineon Technologies
1: $ 5.962,32
3.993En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

3.993En existencias

$ 5.962,32

$ 3.882,06

$ 3.046,68

$ 2.538,90

$ 2.211,30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

SPP08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 4.602,78
873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPP08N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

873En existencias

$ 4.602,78

$ 2.293,20

$ 2.063,88

$ 1.654,38

$ 1.634,72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

560 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA06N80C3
Infineon Technologies
1: $ 4.226,04
2.286En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA06N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA06N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

2.286En existencias

$ 4.226,04

$ 2.735,46

$ 1.949,22

$ 1.626,53

$ 1.410,32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

780 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 3.046,68
1.362En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD04N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Obtenga más información

Hoja de datos

1.362En existencias

Cinta cortada

$ 3.046,68

$ 2.211,30

$ 1.510,24

$ 1.202,29

$ 1.125,31

Envase tipo carrete

$ 1.069,61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 4.995,90
567En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA08N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA08N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

567En existencias

$ 4.995,90

$ 2.506,14

$ 2.260,44

$ 1.834,56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

560 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB17N80C3
Infineon Technologies
1: $ 7.551,18
2.000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB17N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

2.000En existencias

Cinta cortada

$ 7.551,18

$ 4.995,90

$ 3.914,82

$ 3.472,56

Envase tipo carrete

$ 3.079,44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB17N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.879,60
1.482En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB17N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPB17N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

1.482En existencias

Cinta cortada

$ 6.879,60

$ 4.684,68

$ 3.538,08

$ 3.292,38

Envase tipo carrete

$ 3.079,44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 3.783,78
4.131En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD06N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Obtenga más información

Hoja de datos

4.131En existencias

Cinta cortada

$ 3.783,78

$ 2.424,24

$ 1.654,38

$ 1.320,23

$ 1.246,52

Envase tipo carrete

$ 1.197,38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

SPP11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 5.733,00
2.043En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

2.043En existencias

$ 5.733,00

$ 2.899,26

$ 2.620,80

$ 2.211,30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

SPP08N80C3
Infineon Technologies
1: $ 4.897,62
132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPP08N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

132En existencias

$ 4.897,62

$ 3.161,34

$ 2.260,44

$ 1.883,70

$ 1.634,72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: $ 23.587,20
119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPW55N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW55N80C3FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

119En existencias

$ 23.587,20

$ 14.447,16

$ 14.365,26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

54.9 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

288 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA08N80C3
Infineon Technologies
1: $ 5.290,74
396En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA08N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA08N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

396En existencias

$ 5.290,74

$ 3.439,80

$ 2.522,52

$ 2.096,64

$ 1.834,56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

560 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N80C3
Infineon Technologies
1: $ 5.307,12
42En existencias
500Se espera el 12/3/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

42En existencias

500Se espera el 12/3/2026

$ 5.307,12

$ 3.456,18

$ 2.653,56

$ 2.211,30

$ 1.916,46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

SPP04N80C3
Infineon Technologies
1: $ 3.652,74
289En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP04N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP04N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

289En existencias

$ 3.652,74

$ 2.342,34

$ 1.615,07

$ 1.367,73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

SPP04N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 3.423,42
42En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP04N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP04N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

42En existencias

$ 3.423,42

$ 1.670,76

$ 1.484,03

$ 1.181,00

$ 1.087,63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

SPW11N80C3
Infineon Technologies
1: $ 6.552,00
60En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

60En existencias

$ 6.552,00

$ 4.291,56

$ 3.161,34

$ 2.800,98

$ 2.489,76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: $ 6.273,54
31En existencias
240Se espera el 9/4/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW11N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

31En existencias

240Se espera el 9/4/2026

$ 6.273,54

$ 3.439,80

$ 2.817,36

$ 2.489,76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

SPW17N80C3
Infineon Technologies
1: $ 7.977,06
233En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW17N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

233En existencias

$ 7.977,06

$ 6.388,20

$ 5.159,70

$ 4.570,02

$ 4.062,24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: $ 7.796,88
276En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW17N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW17N80C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

276En existencias

$ 7.796,88

$ 5.094,18

$ 4.226,04

$ 4.062,24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

SPP06N80C3
Infineon Technologies
1: $ 3.963,96
70En existencias
500Se espera el 30/4/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP06N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP06N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

70En existencias

500Se espera el 30/4/2026

$ 3.963,96

$ 2.538,90

$ 1.736,28

$ 1.436,53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 8.042,58
348En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP17N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

348En existencias

$ 8.042,58

$ 4.193,28

$ 3.816,54

$ 3.488,94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3
Infineon Technologies
1: $ 8.419,32
378En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

378En existencias

$ 8.419,32

$ 5.585,58

$ 4.520,88

$ 3.832,92

$ 3.488,94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

SPP06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 3.767,40
1En existencias
500Se espera el 2/7/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP06N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP06N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

1En existencias

500Se espera el 2/7/2026

$ 3.767,40

$ 1.850,94

$ 1.611,79

$ 1.320,23

$ 1.244,88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

780 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 5.176,08
387Se espera el 4/3/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

387Se espera el 4/3/2026

$ 5.176,08

$ 2.588,04

$ 2.342,34

$ 1.916,46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte