N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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1.774En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 346 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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5.063En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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1.779En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 166 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
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4.077En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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9.397En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 135 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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1.177En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-3-2 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 670 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 88 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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976En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 225 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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1.310En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 120 V 180 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 211 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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1.973En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 155 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
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63.734En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 2.9 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Depletion AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
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2.884En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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581En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2
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1.111En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
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3.837En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
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879En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 98 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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5.582En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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5.256En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 120 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 211 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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991En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 286 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
741En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 176 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2
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1.002En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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971En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 91 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
883En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.58 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 134 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
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980En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 20.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
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11.923En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 250 V 100 mA 7.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 360 mW Depletion AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
3.000En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 150 V 130 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 93 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel