Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
SSM6K809R,LXHF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
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Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
RN1901FE,LXHF(CT
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Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
SSM6K819R,LXHF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
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Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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Transistores digitales AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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Transistores digitales AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)
2SC4116-BL,LXHF
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)
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Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346)
RN2411,LXHF
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Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346)
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Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
5.985 En existencias
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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
RN2111,LXHF(CT
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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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N.º de artículo de Mouser 757-RN2405LXHF
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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
2.730 En existencias
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Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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N.º de artículo de Mouser 757-RN2416LXHF
Toshiba
Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
5.985 En existencias
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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
RN2115,LXHF(CT
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-RN2115LXHFCT
Toshiba
Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
5.998 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
HN1A01FE-GR,LXHF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-HN1A01FE-GRLXHF
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
7.700 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
HN1B04FE-GR,LXHF
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-HN1B04FE-GRLXHF
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
7.772 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
HN1C01FU-Y,LXHF
Toshiba
1:
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5.762 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-HN1C01FU-YLXHF
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
5.762 En existencias
1
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Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
HN1C01FU-GR,LXHF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-HN1C01FU-GRLXHF
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
5.644 En existencias
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$ 183,46
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
SSM6K810R,LXHF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K810RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
4.724 En existencias
1
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323
DF3D18FU,LXHF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-DF3D18FULXHF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
SSM6J808R,LXHF
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5.911 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J808RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
5.911 En existencias
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Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
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4.515 En existencias
3.000 Se espera el 2/3/2026
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B18FUH3XHF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
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3.000 Se espera el 2/3/2026
1
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$ 72,07
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
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Toshiba
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9.186 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B36FUH3XHF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
RN1102MFV,L3XHF(CT
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N.º de artículo de Mouser 757-RN1102MFVL3XHFCT
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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
2SA1162-GR,LXHF
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N.º de artículo de Mouser 757-2SA1162-GRLXHF
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
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