Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
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NRND

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SPD06N80C3ATMA1

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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Cinta cortada

$ 4.212,12

$ 2.622,00

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Envase tipo carrete

$ 1.283,93

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1 Channel

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6 A

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- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

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+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPA90R340C3XKSA2
Infineon Technologies
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594En existencias
NRND

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IPA90R340C3XKSA2

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726-IPA90R340C3XKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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594En existencias

$ 11.689,05

$ 7.257,02

$ 5.633,07

$ 4.262,87

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900 V

15 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

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35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
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IPD80R2K8CEATMA1

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726-IPD80R2K8CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

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8.654En existencias

Cinta cortada

$ 3.230,98

$ 2.013,02

$ 1.324,53

$ 1.042,03

Envase tipo carrete

$ 649,58

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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800 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
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IPAN70R360P7SXKSA1

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726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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$ 3.450,89

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$ 1.126,61

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CoolMOS

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IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
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822En existencias

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IPA60R125P6XKSA1

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726-IPA60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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$ 8.018,25

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$ 3.924,54

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$ 2.655,83

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

SPW55N80C3
Infineon Technologies
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451En existencias

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SPW55N80C3

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726-SPW55N80C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

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$ 28.097,69

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
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284En existencias

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SPW55N80C3FKSA1

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726-SPW55N80C3FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

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$ 29.535,56

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$ 17.000,71

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Min.: 1
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800 V

54.9 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

288 nC

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500 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPB90R340C3ATMA2
Infineon Technologies
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IPB90R340C3ATMA2

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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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$ 11.875,12

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Envase tipo carrete

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW90R120C3XKSA1
Infineon Technologies
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NRND

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IPW90R120C3XKSA1

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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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$ 31.074,93

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPA11N80C3XKSA2
Infineon Technologies
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317En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3XKSA2

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726-SPA11N80C3XKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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317En existencias

$ 6.022,14

$ 3.569,30

$ 2.740,41

$ 2.283,68

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1 A

450 mOhms

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3 V

85 nC

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+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

SPW20N60C3
Infineon Technologies
1: $ 10.640,25
1.135En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

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$ 10.640,25

$ 6.698,79

$ 4.990,26

$ 4.178,28

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TO-247-3

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1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

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2.1 V

87 nC

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208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 10.234,26
879En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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879En existencias

$ 10.234,26

$ 5.988,31

$ 4.939,51

$ 4.635,02

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

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+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.216,01
12.761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Cinta cortada

$ 2.216,01

$ 1.312,69

$ 925,31

$ 725,70

Envase tipo carrete

$ 541,32

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: $ 1.488,62
11.712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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11.712En existencias

Cinta cortada

$ 1.488,62

$ 877,95

$ 592,06

$ 427,98

Envase tipo carrete

$ 299,42

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.216,01
5.870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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5.870En existencias

Cinta cortada

$ 2.216,01

$ 1.378,66

$ 905,01

$ 707,09

Envase tipo carrete

$ 561,62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 3.027,99
922En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R500CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

922En existencias

$ 3.027,99

$ 1.427,72

$ 1.272,09

$ 996,36

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11.1 A

1.17 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 7.020,19
8En existencias
1.000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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8En existencias

1.000Se espera el 1/10/2026

$ 7.020,19

$ 3.839,96

$ 3.247,90

$ 2.571,25

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 5.125,59
736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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Hoja de datos

736En existencias

$ 5.125,59

$ 2.740,41

$ 2.266,76

$ 1.843,86

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $ 3.856,88
478En existencias
5.000Se espera el 17/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R280CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

478En existencias

5.000Se espera el 17/7/2026

Cinta cortada

$ 3.856,88

$ 2.419,01

$ 1.588,42

$ 1.260,25

Envase tipo carrete

$ 976,06

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32.6 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 3.467,81
63En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

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Hoja de datos

63En existencias

$ 3.467,81

$ 2.182,18

$ 1.461,55

$ 1.131,69

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

890 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 8.136,66
456En existencias
1.000Se espera el 3/7/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

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Hoja de datos

456En existencias

1.000Se espera el 3/7/2026

$ 8.136,66

$ 4.516,61

$ 3.823,05

$ 3.247,90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 4.533,52
1.274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7SXKSA1

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726-IPA60R180P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
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IPA60R230P6XKSA1

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726-IPA60R230P6XKSA1

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16.8 A

538 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
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IPA70R360P7SXKSA1

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726-IPA70R360P7XKSA1

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
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IPD60R360P7SAUMA1

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726-IPD60R360P7SAUMA

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Cinta cortada

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Envase tipo carrete

$ 776,45

MouseReel Disponible

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: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 A
1.9 A
2.4 A
3 A
5 A
5.1 A
6 A
8.5 A
9 A
9.9 A
10.1 A
11 A
11.1 A
12 A
12.5 A
13 A
13.8 A
14.7 A
15 A
16.8 A

77 mOhms
89 mOhms
113 mOhms
120 mOhms
144 mOhms
145 mOhms
170 mOhms
190 mOhms
214 mOhms
252 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
340 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
490 mOhms
538 mOhms
540 mOhms
600 mOhms
650 mOhms

3.8 nC
6 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
12 nC
13 nC
16.4 nC
18 nC
18.7 nC
20.5 nC
23 nC
25 nC
25.5 nC
28 nC
31 nC
32 nC
32.6 nC
44 nC
45 nC

5 W
6 W
6.9 W
7 W
26 W
26.5 W
28 W
30 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
41 W
42 W
53 W
82 W
83 W
92 W
119 W