Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R099CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
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CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
6.897 En existencias
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
914 En existencias
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R165CP
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
2.498 En existencias
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1
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB50R140CP
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500 Se espera el 5/3/2026
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726-IPB50R140CP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
789 En existencias
500 Se espera el 5/3/2026
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1
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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500 V
23 A
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Enhancement
CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB50R199CPATMA1
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726-IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
447 En existencias
2.000 Se espera el 23/2/2026
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1
$ 6.044,22
10
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Si
SMD/SMT
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N-Channel
1 Channel
500 V
17 A
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139 W
Enhancement
CoolMOS
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IPD80R2K8CEATMA1
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
8.765 En existencias
1
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500
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10.000
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1.000
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
1.9 A
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Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
IPL60R385CP
Infineon Technologies
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726-IPL60R385CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
2.106 En existencias
1
$ 1.736,28
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Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
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27 A
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3.5 V
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Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
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IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
13.928 En existencias
1
$ 1.539,72
10
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100
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500
$ 481,57
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Ver
1.000
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5.000
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10.000
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25.000
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
6.8 A
1 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
13 nC
- 40 C
+ 150 C
61 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
IPL60R199CP
Infineon Technologies
1:
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R199CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
2.495 En existencias
1
$ 6.601,14
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1.000
Ver
3.000
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1.000
$ 2.604,42
3.000
$ 2.244,06
24.000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
ThinPAK-5
N-Channel
1 Channel
600 V
16.4 A
199 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
32 nC
- 40 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 3.423,42
2.236 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
2.236 En existencias
1
$ 3.423,42
10
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100
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500
$ 1.177,72
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5.000
Ver
1.000
$ 1.095,82
5.000
$ 910,73
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
9 A
399 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
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4.737 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4.737 En existencias
1
$ 1.441,44
10
$ 899,26
100
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500
$ 447,17
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5.000
Ver
1.000
$ 404,59
5.000
$ 296,48
10.000
$ 275,18
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
6.6 A
2.25 Ohms
- 20 V, 20 V
3 V
10.5 nC
- 55 C
+ 150 C
53 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
+1 imagen
IPW50R250CP
Infineon Technologies
1:
$ 4.897,62
172 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW50R250CP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
172 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 4.897,62
10
$ 3.849,30
100
$ 3.063,06
480
$ 2.555,28
1.200
Ver
1.200
$ 2.194,92
2.640
$ 2.080,26
5.040
$ 2.014,74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
500 V
13 A
220 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
114 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$ 1.998,36
2.588 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2.588 En existencias
1
$ 1.998,36
10
$ 971,33
100
$ 689,60
500
$ 573,30
2.500
$ 455,36
5.000
Ver
1.000
$ 527,44
5.000
$ 445,54
10.000
$ 434,07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
9.9 A
540 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
20.5 nC
- 40 C
+ 150 C
82 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 2.948,40
1.780 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
1.780 En existencias
1
$ 2.948,40
10
$ 1.883,70
100
$ 1.257,98
500
$ 994,27
2.500
$ 774,77
5.000
Ver
1.000
$ 909,09
5.000
$ 742,01
25.000
$ 730,55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
3.9 A
1.4 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 1.244,88
7.857 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
7.857 En existencias
1
$ 1.244,88
10
$ 774,77
100
$ 501,23
500
$ 383,29
3.000
$ 265,36
6.000
Ver
1.000
$ 342,34
6.000
$ 245,70
9.000
$ 227,68
24.000
$ 224,41
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
600 V
5 A
3.51 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
9.4 nC
- 40 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R165CP
Infineon Technologies
1:
$ 7.747,74
375 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
375 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 7.747,74
10
$ 5.126,94
100
$ 4.095,00
500
$ 3.456,18
1.000
Ver
1.000
$ 3.046,68
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$ 2.932,02
5.000
$ 2.866,50
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
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