Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

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Resultados: 40

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

NVMFS5C612NWFT1G
onsemi
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NVMFS5C612NWFT1G

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863-NVMFS5C612NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

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$ 8.370,18

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Envase tipo carrete

$ 3.996,72

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Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
onsemi
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NVMFSC0D9N04C

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863-NVMFSC0D9N04C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

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Cinta cortada

$ 10.417,68

$ 7.403,76

$ 5.438,16

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$ 4.438,98

Presupuesto

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

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166 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
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NVMFS5C628NT1G

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863-NVMFS5C628NT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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Envase tipo carrete

$ 2.293,20

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC1D6N06CL
onsemi
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NVMFSC1D6N06CL

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863-NVMFSC1D6N06CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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$ 11.842,74

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$ 6.568,38

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Envase tipo carrete

$ 5.372,64

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

224 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFT1G
onsemi
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NRND

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NVMFS5C604NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVM604NLWFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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$ 7.272,72

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$ 4.455,36

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SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

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+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

NVTFS5C658NLWFTAG
onsemi
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NVTFS5C658NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C658NWFTAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

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$ 1.176,08

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WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

109 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

NVMFS5C628NWFT1G
onsemi
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NVMFS5C628NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NWFT1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

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$ 5.061,42

$ 3.800,16

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$ 1.949,22

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C456NT1G
onsemi
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NRND

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NVMFS5C456NT1G

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863-NVMFS5C456NT1G

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

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$ 990,99

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SMD/SMT

SO-8FL-4

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1 Channel

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80 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

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+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NWFT1G
onsemi
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6.000En pedido
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NVMFS5C604NWFT1G

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863-FS5C604NWFT1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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$ 7.125,30

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SMD/SMT

DFNW-5

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1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

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4 V

80 nC

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+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWS024N06CT1G
onsemi
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1.326En existencias
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NVMFWS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS024N06CT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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$ 1.305,49

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$ 1.007,37

Envase tipo carrete

$ 864,86

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

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+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NT1G
onsemi
1: $ 15.364,44
2.644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NT1G

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$ 15.364,44

$ 10.548,72

$ 8.484,84

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Envase tipo carrete

$ 7.076,16

Presupuesto

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NT1G
onsemi
1: $ 7.616,70
1.480En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NT1G

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$ 7.616,70

$ 5.634,72

$ 4.029,48

$ 3.849,30

$ 3.488,94

Envase tipo carrete

$ 3.128,58

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
onsemi
1: $ 10.548,72
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NVMFS5C604NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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$ 10.548,72

$ 7.485,66

$ 5.405,40

$ 5.274,36

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Envase tipo carrete

$ 4.488,12

MouseReel Disponible

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Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

NVTFS5C658NLTAG
onsemi
1: $ 2.882,88
25.263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C658NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C658NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

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Cinta cortada

$ 2.882,88

$ 2.014,74

$ 1.570,84

$ 1.298,93

Envase tipo carrete

$ 1.143,32

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

109 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLAFT1G
onsemi
1: $ 5.733,00
1.657En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLFT1G

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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Cinta cortada

$ 5.733,00

$ 3.963,96

$ 3.390,66

$ 3.276,00

Envase tipo carrete

$ 3.013,92

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Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

NVTFS5C466NLTAG
onsemi
1: $ 2.784,60
2.805En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NLTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

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Cinta cortada

$ 2.784,60

$ 1.769,04

$ 1.261,26

$ 1.244,88

Envase tipo carrete

$ 1.058,15

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Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

51 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLAFT1G
onsemi
1: $ 8.222,76
1.247En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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1.247En existencias

Cinta cortada

$ 8.222,76

$ 5.454,54

$ 3.898,44

$ 3.701,88

$ 3.013,92

Envase tipo carrete

$ 2.997,54

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C426NLT1G
onsemi
1: $ 5.208,84
2.180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C426NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C426NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

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2.180En existencias

Cinta cortada

$ 5.208,84

$ 3.947,58

$ 3.374,28

$ 3.259,62

Envase tipo carrete

$ 2.817,36

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

237 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
onsemi
1: $ 10.253,88
1.158En existencias
3.000Se espera el 27/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NWFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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1.158En existencias

3.000Se espera el 27/2/2026

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$ 5.012,28

$ 4.897,62

$ 4.782,96

Envase tipo carrete

$ 4.176,90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C638NLT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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287 A

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2 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

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22 mOhms

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NVMx & NVTx Power MOSFETs

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25 A
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51 A
52 A, 370 A
80 A
85 A
107 A
109 A
120 A
133 A
150 A
185 A
224 A
225 A
235 A
237 A

520 uOhms
870 uOhms
930 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.36 mOhms
1.5 mOhms
1.65 mOhms
2.3 mOhms
2.6 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
6.1 mOhms
7.3 mOhms
7.4 mOhms
11.5 mOhms
12 mOhms
22 mOhms

5.7 nC
5.8 nC
7.9 nC
8 nC
12 nC
16 nC
18 nC
27 nC
34 nC
35 nC
40.7 nC
41 nC
51 nC
62 nC
80 nC
86 nC
91 nC
93 nC
113 nC
120 nC