Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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Envase tipo carrete

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Envase tipo carrete

$ 2.473,38

MouseReel Disponible

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N-Channel

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Envase tipo carrete

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Envase tipo carrete

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Envase tipo carrete

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$ 3.947,58

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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726-IPT60R090CFD7XTM

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Envase tipo carrete

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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272En existencias

$ 11.908,26

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Infineon Technologies
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$ 1.064,70

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R140CFD7AUMA1
Infineon Technologies
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1.468En existencias
Fin de vida útil

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IPL60R140CFD7AUMA1

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726-IPL60R140CFD7AUM

Fin de vida útil

Infineon Technologies

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Cinta cortada

$ 6.371,82

$ 4.373,46

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Envase tipo carrete

$ 2.194,92

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125CFD7XKS

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778En existencias

$ 6.846,84

$ 3.521,70

$ 3.357,90

$ 2.833,74

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Mult.: 1

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N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

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3.5 V

36 nC

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+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 5.012,28
1.199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

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1.199En existencias

$ 5.012,28

$ 2.506,14

$ 2.325,96

$ 1.883,70

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

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1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

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+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R055CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.957,40
1.983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R055CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R055CFD7ATM

Infineon Technologies

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1.983En existencias

Cinta cortada

$ 11.957,40

$ 8.910,72

$ 7.207,20

$ 6.404,58

Envase tipo carrete

$ 5.487,30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 4.799,34
3.816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R170CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R170CFD7ATM

Infineon Technologies

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Hoja de datos

3.816En existencias

Cinta cortada

$ 4.799,34

$ 3.112,20

$ 2.227,68

$ 1.850,94

Envase tipo carrete

$ 1.654,38

$ 1.389,02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 12.563,46
465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

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Hoja de datos

465En existencias

$ 12.563,46

$ 7.305,48

$ 6.142,50

$ 5.520,06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 20.081,88
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R029CFD7XK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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240En existencias

$ 20.081,88

$ 12.121,20

$ 10.384,92

$ 10.221,12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 8.026,20
191En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R105CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R105CFD7XKS

NRND

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191En existencias

$ 8.026,20

$ 5.880,42

$ 4.750,20

$ 4.226,04

$ 3.619,98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 13.447,98
840En existencias
2.000Se espera el 2/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

Infineon Technologies

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840En existencias

2.000Se espera el 2/3/2026

Cinta cortada

$ 13.447,98

$ 9.238,32

$ 7.190,82

$ 7.174,44

Envase tipo carrete

$ 5.864,04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.274,36
4.315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

4.315En existencias

Cinta cortada

$ 5.274,36

$ 3.521,70

$ 2.538,90

$ 2.178,54

Envase tipo carrete

$ 1.769,04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.072,88
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3.000Se espera el 11/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R060CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R060CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1.029En existencias

3.000Se espera el 11/6/2026

Cinta cortada

$ 11.072,88

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$ 6.552,00

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Envase tipo carrete

$ 4.979,52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 40 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.763,30
1.784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Carrete: 3.000

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VSON-4

N-Channel

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33 A

66 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

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IPP60R070CFD7XKSA1
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TO-220-3

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600 V

31 A

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- 20 V, 20 V

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IPT60R045CFD7XTMA1
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HSOF-8

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- 20 V, 20 V

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79 nC

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IPW60R018CFD7XKSA1
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IPW60R018CFD7XKSA1

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726-IPW60R018CFD7XKS

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TO-247-3

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600 V

101 A

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3.5 V

251 nC

- 55 C

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Tube

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Recursos

Soporte

6 A
7 A
8 A
9 A
11 A
14 A
16 A
18 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
31 A
33 A
36 A
38 A
40 A
44 A
50 A

18 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms
125 mOhms
140 mOhms

24 W
26 W
32 W
43 W
52 W
75 W
76 W
83 W
85 W
92 W
95 W
106 W
124 W
125 W
127 W
140 W
147 W
156 W
160 W
171 W