Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
1:
$ 297.591,84
244 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
244 En existencias
1
$ 297.591,84
10
$ 250.679,52
25
$ 238.918,68
50
$ 231.858,90
100
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250
$ 190.220,94
100
$ 190.237,32
250
$ 190.220,94
500
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
AFM906NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 6.076,98
1.038 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFM906NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
1.038 En existencias
1
$ 6.076,98
10
$ 4.570,02
25
$ 4.193,28
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250
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1.000
$ 2.997,54
250
$ 3.751,02
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$ 2.997,54
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
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1:
$ 639.147,60
41 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
41 En existencias
1
$ 639.147,60
10
$ 551.399,94
25
$ 529.630,92
50
$ 515.986,38
100
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 38.820,60
487 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
487 En existencias
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1
$ 38.820,60
10
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25
$ 28.992,60
100
$ 22.915,62
250
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500
$ 22.604,40
250
$ 22.669,92
500
$ 22.604,40
1.000
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 37.854,18
584 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
584 En existencias
1
$ 37.854,18
10
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25
$ 28.255,50
100
$ 26.158,86
250
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1.000
$ 23.963,94
250
$ 25.143,30
500
$ 24.537,24
1.000
$ 23.963,94
4.000
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX1K80GNR5
NXP Semiconductors
1:
$ 546.060,06
5 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80GNR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
5 En existencias
1
$ 546.060,06
10
$ 470.646,54
25
$ 451.825,92
50
$ 440.474,58
100
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100
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
1:
$ 63.128,52
313 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
313 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 63.128,52
10
$ 51.121,98
25
$ 48.075,30
100
$ 44.799,30
250
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500
$ 39.508,56
250
$ 43.226,82
500
$ 39.508,56
1.000
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101AN
NXP Semiconductors
1:
$ 82.227,60
3.618 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF101AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
3.618 En existencias
1
$ 82.227,60
10
$ 67.239,90
25
$ 59.295,60
100
$ 56.691,18
250
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250
$ 55.135,08
500
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
NXP Semiconductors
1:
$ 163.177,56
365 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF300AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
365 En existencias
1
$ 163.177,56
10
$ 135.937,62
30
$ 127.993,32
120
$ 120.868,02
510
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510
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 750.220,38
65 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
65 En existencias
1
$ 750.220,38
10
$ 650.171,34
25
$ 625.208,22
50
$ 610.171,38
100
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100
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 6.994,26
8.571 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
8.571 En existencias
1
$ 6.994,26
10
$ 5.274,36
25
$ 4.848,48
100
$ 4.373,46
250
Ver
1.000
$ 3.734,64
250
$ 4.144,14
500
$ 4.013,10
1.000
$ 3.734,64
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 18.935,28
5.630 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
5.630 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 18.935,28
10
$ 14.660,10
25
$ 13.595,40
100
$ 12.416,04
250
Ver
1.000
$ 11.220,30
250
$ 11.859,12
500
$ 11.515,14
1.000
$ 11.220,30
4.000
Presupuesto
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 731.956,68
46 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
46 En existencias
1
$ 731.956,68
10
$ 633.971,52
25
$ 609.516,18
50
$ 594.757,80
100
Ver
100
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 174.987,54
535 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
535 En existencias
1
$ 174.987,54
10
$ 146.060,46
25
$ 138.836,88
100
$ 130.925,34
250
Ver
500
$ 130.843,44
250
$ 130.892,58
500
$ 130.843,44
1.000
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 888.451,20
527 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
527 En existencias
Embalaje alternativo
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1:
$ 631.088,64
21 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
21 En existencias
1
$ 631.088,64
10
$ 544.667,76
25
$ 523.111,68
50
$ 475.380,36
100
Ver
100
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 80.360,28
175 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
175 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 80.360,28
10
$ 65.601,90
25
$ 61.916,40
100
$ 57.870,54
250
Ver
500
$ 54.774,72
250
$ 57.084,30
500
$ 54.774,72
1.000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
$ 59.803,38
513 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
513 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 59.803,38
10
$ 48.304,62
25
$ 45.421,74
100
$ 42.276,78
250
Ver
500
$ 39.836,16
250
$ 40.769,82
500
$ 39.836,16
1.000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 1.211.055,30
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
50 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 1.211.055,30
10
$ 1.062.914,58
25
$ 1.056.985,02
50
$ 1.004.552,64
100
Ver
100
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1:
$ 567.452,34
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
1
$ 567.452,34
10
$ 486.027,36
25
$ 466.240,32
50
$ 461.948,76
100
Ver
150
$ 433.709,64
100
$ 453.775,14
150
$ 433.709,64
450
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 771.841,98
121 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
121 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 771.841,98
10
$ 669.368,70
25
$ 643.799,52
50
$ 628.369,56
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101BN
NXP Semiconductors
1:
$ 72.514,26
253 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF101BN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
253 En existencias
1
$ 72.514,26
10
$ 58.984,38
25
$ 52.940,16
250
$ 51.138,36
500
Ver
500
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
No
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 42.686,28
49 En existencias
500 Se espera el 16/2/2026
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
49 En existencias
500 Se espera el 16/2/2026
Embalaje alternativo
1
$ 42.686,28
10
$ 34.185,06
25
$ 32.072,04
100
$ 29.729,70
250
Ver
500
$ 26.633,88
250
$ 28.615,86
500
$ 26.633,88
1.000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1:
$ 317.264,22
1 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
1 En existencias
1
$ 317.264,22
10
$ 269.107,02
20
$ 257.100,48
50
$ 254.250,36
100
$ 243.881,82
200
Ver
200
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
NXP Semiconductors MHT1803B
MHT1803B
NXP Semiconductors
1:
$ 72.759,96
368 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MHT1803B
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
368 En existencias
1
$ 72.759,96
10
$ 59.197,32
25
$ 55.528,20
100
$ 52.776,36
240
Ver
240
$ 52.383,24
480
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Argentina
