Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS260N10S5N019TATMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.746,10
6.476En existencias

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IAUS260N10S5N019TATMA1

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726-US260N10S5N019T1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Cinta cortada

$ 9.746,10

$ 6.535,62

$ 4.717,44

$ 4.651,92

$ 4.193,28

Envase tipo carrete

$ 3.783,78

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

250 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ20N08S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 1.981,98
6.515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ20N08S5L300ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ20N08S5L300A

Infineon Technologies

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6.515En existencias

Cinta cortada

$ 1.981,98

$ 1.244,88

$ 819,00

$ 637,18

Envase tipo carrete

$ 460,28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

20 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ30N10S5L240ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.162,16
18.526En existencias

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IAUZ30N10S5L240ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ30N10S5L240A

Infineon Technologies

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$ 2.162,16

$ 1.364,45

$ 902,54

$ 714,17

Envase tipo carrete

$ 519,25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

45.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA210N10S5N024AUMA1
Infineon Technologies
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IAUA210N10S5N024AUMA1

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$ 3.325,14

$ 3.046,68

$ 2.768,22

Envase tipo carrete

$ 2.473,38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

210 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.158,06
990En existencias

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IAUS200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023

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$ 7.158,06

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$ 3.374,28

$ 3.128,58

$ 2.784,60

Envase tipo carrete

$ 2.522,52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
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6.045En existencias

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IAUT200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT200N08S5N023

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Cinta cortada

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$ 4.095,00

$ 3.144,96

$ 2.850,12

$ 2.833,74

Envase tipo carrete

$ 2.309,58

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA180N10S5N029AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.568,38
1.617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA180N10S5N029AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA180N10S5N029

Infineon Technologies

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$ 4.324,32

$ 3.030,30

$ 2.735,46

$ 2.457,00

Envase tipo carrete

$ 2.211,30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.273,54
6.984En existencias

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IAUT150N10S5N035ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT150N10S5N035

Infineon Technologies

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$ 4.111,38

$ 2.882,88

$ 2.571,66

$ 2.309,58

Envase tipo carrete

$ 2.080,26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N012TATMA1
Infineon Technologies
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3.353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N012TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N08S5N012T1

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$ 10.466,82

$ 7.436,52

$ 5.470,92

$ 4.930,38

Envase tipo carrete

$ 4.455,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16-2

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA220N08S5N021AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.749,38
2.370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA220N08S5N021AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA220N08S5N021

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2.370En existencias

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$ 4.307,94

$ 3.095,82

$ 2.915,64

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Envase tipo carrete

$ 2.358,72

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

220 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 6.126,12
972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT165N08S5N029ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT165N08S5N029

Infineon Technologies

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972En existencias

Cinta cortada

$ 6.126,12

$ 4.029,48

$ 2.817,36

$ 2.489,76

$ 2.293,20

Envase tipo carrete

$ 2.014,74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

165 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.108,10
3.900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS240N08S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS240N08S5N019

Infineon Technologies

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Cinta cortada

$ 8.108,10

$ 5.389,02

$ 3.832,92

$ 3.619,98

$ 3.259,62

Envase tipo carrete

$ 2.948,40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA170N10S5N031AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.158,88
898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA170N10S5N031AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA170N10S5N031

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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898En existencias

Cinta cortada

$ 6.158,88

$ 4.045,86

$ 2.833,74

$ 2.538,90

$ 2.293,20

Envase tipo carrete

$ 2.031,12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUCN10S5L094DATMA1
Infineon Technologies
1: $ 3.390,66
2.460En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S5L094DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S5L094DAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

2.460En existencias

Cinta cortada

$ 3.390,66

$ 2.538,90

$ 2.096,64

$ 1.801,80

Ver

Envase tipo carrete

$ 1.470,92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUCN10S5L280DATMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.391,48
4.120En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S5L280DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S5L280DAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

4.120En existencias

Cinta cortada

$ 2.391,48

$ 1.670,76

$ 1.323,50

$ 1.239,97

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Envase tipo carrete

$ 969,70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN08S5N013GAUMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.993,44
3.650En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN08S5N013GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N013GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

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Hoja de datos

3.650En existencias

Cinta cortada

$ 7.993,44

$ 5.700,24

$ 4.815,72

$ 4.373,46

$ 4.209,66

Envase tipo carrete

$ 3.570,84

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

80 V

350 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

307 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN10S5N016GAUMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.502,04
3.989En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN10S5N016GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN10S5N016GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

3.989En existencias

Cinta cortada

$ 7.502,04

$ 6.240,78

$ 5.257,98

$ 4.799,34

$ 4.619,16

Envase tipo carrete

$ 3.914,82

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

100 V

310 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

142 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUTN08S5N012LATMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.795,24
2.875En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN08S5N012LATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN08S5N012LAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

2.875En existencias

Cinta cortada

$ 9.795,24

$ 6.814,08

$ 4.914,00

$ 4.897,62

Envase tipo carrete

$ 4.782,96

$ 3.980,34

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-2

N-Channel

2 Channel

80 V

410 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N10S5N015TATMA1
Infineon Technologies
1: $ 10.483,20
8.387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N10S5N015TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N10S5N015T1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

8.387En existencias

Cinta cortada

$ 10.483,20

$ 8.026,20

$ 6.486,48

$ 5.765,76

$ 4.930,38

Envase tipo carrete

$ 4.930,38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ30N08S5N186ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.162,16
4.997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ30N08S5N186ATMA1

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726-IAUZ30N08S5N186A

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SMD/SMT

TSDSON-8-33

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

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SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

410 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

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IAUA250N08S5N018AUMA1
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1 Channel

80 V

250 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

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IAUC100N08S5N043ATMA1
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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

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OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

18 A
20 A
24 A
28 A
30 A
40 A
70 A
90 A
100 A
150 A
165 A
170 A
180 A
200 A
210 A
220 A
240 A
250 A
260 A
290 A

1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms

5.4 nC
7.6 nC
8.1 nC
9.5 nC
11.6 nC
17 nC
30 nC
36 nC
56 nC
67 nC
76 nC
78 nC
81 nC
90 nC
91 nC
96 nC
110 nC
128 nC
130 nC
131 nC

30 W
38 W
45.5 W
68 W
83 W
115 W
125 W
166 W
167 W
179 W
197 W
200 W
211 W
221 W
230 W
238 W
300 W
307 W
325 W
375 W