Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
AFM907NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 7.780,50
20.767 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
20.767 En existencias
1
$ 7.780,50
10
$ 5.913,18
25
$ 5.438,16
100
$ 4.914,00
1.000
$ 3.898,44
4.000
Ver
250
$ 4.668,30
500
$ 4.520,88
4.000
$ 3.619,98
8.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
3 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
15 dB
8 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
DFN-16
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
1:
$ 297.591,84
244 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
244 En existencias
1
$ 297.591,84
10
$ 250.679,52
25
$ 238.918,68
50
$ 231.858,90
100
Ver
250
$ 185.552,64
100
$ 185.569,02
250
$ 185.552,64
500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
105 V
720 MHz to 960 MHz
19.2 dB
100 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-780-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1:
$ 585.928,98
41 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
41 En existencias
1
$ 585.928,98
10
$ 505.863,54
25
$ 485.896,32
50
$ 389.221,56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
36 A
133 V
1.8 MHz to 500 MHz
23 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
AFM906NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 6.076,98
1.038 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
1.038 En existencias
1
$ 6.076,98
10
$ 4.570,02
25
$ 4.193,28
100
$ 3.783,78
250
Ver
1.000
$ 2.932,02
250
$ 3.669,12
500
$ 3.538,08
1.000
$ 2.932,02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4.7 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
16.2 dB
6.5 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
HVSON-16
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 35.217,00
487 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
487 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 35.217,00
10
$ 28.091,70
25
$ 26.306,28
100
$ 22.899,24
250
Ver
500
$ 22.588,02
250
$ 22.604,40
500
$ 22.588,02
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
10 A
40 V
764 MHz to 941 MHz
15.7 dB
32 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 34.725,60
584 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
584 En existencias
1
$ 34.725,60
10
$ 27.682,20
25
$ 25.929,54
100
$ 23.996,70
250
Ver
1.000
$ 22.047,48
250
$ 23.063,04
500
$ 22.719,06
1.000
$ 22.047,48
4.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
50 mA
68 V
1 MHz to 2 GHz
19 dB
4 W
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
1:
$ 57.854,16
313 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
313 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 57.854,16
10
$ 46.879,56
25
$ 44.127,72
100
$ 41.113,80
250
Ver
500
$ 38.198,16
250
$ 39.672,36
500
$ 38.198,16
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
18.5 dB
70 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-WBG-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX1K80GNR5
NXP Semiconductors
1:
$ 546.027,30
5 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80GNR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
5 En existencias
1
$ 546.027,30
10
$ 470.613,78
25
$ 451.465,56
50
$ 439.950,42
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
24.4 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230G-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101AN
NXP Semiconductors
1:
$ 82.227,60
3.608 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
3.608 En existencias
1
$ 82.227,60
10
$ 67.239,90
25
$ 59.295,60
100
$ 56.691,18
250
Ver
250
$ 55.135,08
500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8.8 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
21.1 dB
115 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-220-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
NXP Semiconductors
1:
$ 163.177,56
365 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
365 En existencias
1
$ 163.177,56
10
$ 135.937,62
30
$ 127.993,32
120
$ 120.868,02
510
Ver
510
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
20.4 dB
330 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 750.220,38
65 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
65 En existencias
1
$ 750.220,38
10
$ 650.171,34
25
$ 625.208,22
50
$ 610.171,38
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
25.1 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 6.994,26
8.571 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
8.571 En existencias
1
$ 6.994,26
10
$ 5.274,36
25
$ 4.848,48
100
$ 4.373,46
250
Ver
1.000
$ 3.734,64
250
$ 4.144,14
500
$ 4.013,10
1.000
$ 3.734,64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
20.9 dB
4.9 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-89-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 18.935,28
5.623 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
5.623 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 18.935,28
10
$ 14.660,10
25
$ 13.595,40
100
$ 12.416,04
250
Ver
1.000
$ 11.220,30
250
$ 11.859,12
500
$ 11.515,14
1.000
$ 11.220,30
4.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
3 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
15.2 dB
7.3 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 731.956,68
46 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
46 En existencias
1
$ 731.956,68
10
$ 633.971,52
25
$ 609.516,18
50
$ 594.757,80
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
36 A
135 V
1.8 MHz to 500 MHz
23.7 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230H-4S
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 174.987,54
535 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
535 En existencias
1
$ 174.987,54
10
$ 146.060,46
25
$ 138.836,88
100
$ 130.925,34
250
Ver
500
$ 130.843,44
250
$ 130.892,58
500
$ 130.843,44
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
1.5 A
66 V
1 GHz
21.1 dB
14 W
+ 150 C
Screw Mount
TO-270
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 888.451,20
527 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
527 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
26.5 dB
300 W
+ 150 C
Screw Mount
NI-780-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
MW6S004NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 44.979,48
1.332 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
841-MW6S004NT1
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
1.332 En existencias
1
$ 44.979,48
10
$ 36.052,38
25
$ 33.824,70
100
$ 31.367,70
250
Ver
1.000
$ 29.500,38
250
$ 30.204,72
500
$ 29.500,38
1.000
$ 29.500,38
4.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
68 V
1 MHz to 2 GHz
18 dB
4 W
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1:
$ 631.088,64
21 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
21 En existencias
1
$ 631.088,64
10
$ 544.667,76
25
$ 523.111,68
50
$ 475.380,36
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
24.4 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 80.360,28
175 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
175 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 80.360,28
10
$ 65.601,90
25
$ 61.916,40
100
$ 57.870,54
250
Ver
500
$ 54.774,72
250
$ 57.084,30
500
$ 54.774,72
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
18.5 dB
70 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-WB-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
$ 59.803,38
510 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
510 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 59.803,38
10
$ 48.304,62
25
$ 45.421,74
100
$ 42.276,78
250
Ver
500
$ 39.836,16
250
$ 40.769,82
500
$ 39.836,16
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
7.5 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
17.7 dB
33 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 1.211.055,30
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
50 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 1.211.055,30
10
$ 1.062.914,58
25
$ 1.056.985,02
50
$ 1.004.552,64
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2 A
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1:
$ 567.452,34
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
1
$ 567.452,34
10
$ 486.027,36
25
$ 466.240,32
50
$ 461.948,76
100
Ver
150
$ 433.709,64
100
$ 453.775,14
150
$ 433.709,64
450
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 771.841,98
121 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
121 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 771.841,98
10
$ 669.368,70
25
$ 643.799,52
50
$ 628.369,56
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 600 MHz
24 dB
1.25 kW
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101BN
NXP Semiconductors
1:
$ 72.514,26
253 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
253 En existencias
1
$ 72.514,26
10
$ 58.984,38
25
$ 52.940,16
250
$ 51.138,36
500
Ver
500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
No
N-Channel
Si
8.8 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
21.1 dB
115 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-220-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 42.686,28
49 En existencias
500 Se espera el 16/2/2026
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
49 En existencias
500 Se espera el 16/2/2026
Embalaje alternativo
1
$ 42.686,28
10
$ 34.185,06
25
$ 32.072,04
100
$ 29.729,70
250
Ver
500
$ 26.633,88
250
$ 28.615,86
500
$ 26.633,88
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
7.5 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
17.7 dB
33 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel