U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.

Resultados: 65
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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25.255En existencias
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET
Hoja de datos
43.046En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 67 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
23.774En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 840 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
Hoja de datos
2.372En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 45 V 150 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 99 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
26.398En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 22 nC - 55 C + 175 C 69 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W
Hoja de datos
26.135En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 188 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DPAK-OS PD=75W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
17.030En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W
Hoja de datos
5.191En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 60 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
5.165En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 180 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 86 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ
Hoja de datos
20.809En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 76 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W
Hoja de datos
20.067En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 30 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W
Hoja de datos
3.000En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 134 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 50 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm
Hoja de datos
2.605En existencias
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
32.208En existencias
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 78 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel
Hoja de datos
33.725En existencias
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 850 uOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
Hoja de datos
13.553En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 45 V 300 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 122 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
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13.088En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
19.545En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET ID=240A VDSS=100V
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1.067En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 240 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 161 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W
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3.248En existencias
2.500Se espera el 10/2/2026
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 106 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 48.2 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
Hoja de datos
10.530En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 74 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 40V 150A
Hoja de datos
5.977En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 62 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
2.629En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 260 A 1.34 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 91 nC + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
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5.269En existencias
9.000Se espera el 20/2/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 160 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
5.871En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 52 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel