Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
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TO-220-3
N-Channel
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Tube
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SMD/SMT
TO-263-7
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OptiMOS
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Si
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TO-263-7
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OptiMOS
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Si
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OptiMOS
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Si
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Si
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1.751 En existencias
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Si
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OptiMOS
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
5.222 En existencias
1
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Presupuesto
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Si
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1.746 En existencias
Embalaje alternativo
1
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1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
1.654 En existencias
1
$ 7.866,00
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Min.: 1
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1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
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160 A
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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555 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 3.569,30
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Ver
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
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70 A
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Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-00
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
983 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 9.134,71
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Ver
2.000
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Presupuesto
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Min.: 1
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Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
180 A
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AEC-Q100
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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698 En existencias
1
$ 6.512,71
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Min.: 1
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1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
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OptiMOS
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
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1
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
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90 A
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AEC-Q100
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
3.837 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 17.897,27
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Ver
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Presupuesto
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Min.: 1
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Carrete :
1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
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1 Channel
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88 A
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OptiMOS
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4-04
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1.515 En existencias
1
$ 4.195,20
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$ 1.260,25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
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1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
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- 20 V, 20 V
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AEC-Q100
OptiMOS
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IPB80N06S2L07ATMA3
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S2L07ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
631 En existencias
1
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$ 2.452,84
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Min.: 1
Mult.: 1
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1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
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6.7 mOhms
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
856 En existencias
Embalaje alternativo
1
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AEC-Q100
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
IPB35N10S3L-26
Infineon Technologies
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726-IPB35N10S3L-26
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
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726-IPB037N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
824 En existencias
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
1.784 En existencias
2.500 Se espera el 25/8/2026
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DPAK-3 (TO-252-3)
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IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
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726-IQEH46NE2LM7ZCGS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
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OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
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726-IQEH64NE2LM7UCGS
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
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25 V
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130 W
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OptiMOS
Reel, Cut Tape