Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

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Resultados: 35

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package STP43N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 11.135,94 2.760En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP43N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STP43N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	2.760En existencias	$ 11.135,94 $ 5.881,17 $ 5.376,57 $ 5.132,97 $ 4.593,58	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	93 mOhms	25 V	3 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag STW56N65DM2 STMicroelectronics 1: $ 21.106,10 568En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW56N65DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STW56N65DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	568En existencias	$ 21.106,10 $ 12.788,94 $ 11.866,74 $ 10.735,75	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	48 A	58 mOhms	25 V	3 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	360 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package STB33N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 10.370,35 5En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB33N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STB33N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	5En existencias	Cinta cortada $ 10.370,35 $ 5.446,17 $ 4.976,38 $ 4.523,98 Envase tipo carrete $ 4.262,98 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	130 mOhms	25 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package STB35N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 12.336,54 564En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB35N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STB35N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	564En existencias	Cinta cortada $ 12.336,54 $ 7.882,16 $ 5.950,77 $ 5.289,57 Envase tipo carrete $ 4.837,18 $ 4.732,78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	28 A	110 mOhms	25 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 150 C	210 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package STD13N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 4.297,78 3.072En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD13N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STD13N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	3.072En existencias	Cinta cortada $ 4.297,78 $ 2.105,39 $ 1.896,59 $ 1.503,35 $ 1.421,57 Envase tipo carrete $ 1.292,81 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	310 mOhms	25 V	3 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 STL24N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 7.690,76 7.581En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL24N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STL24N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	7.581En existencias	Cinta cortada $ 7.690,76 $ 3.932,38 $ 3.566,98 $ 2.975,39 Ver Envase tipo carrete $ 2.853,59 $ 2.957,99 $ 2.853,59 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	15 A	195 mOhms	25 V	3 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag STF10N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 4.123,78 1.740En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF10N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF10N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1.740En existencias	$ 4.123,78 $ 2.000,99 $ 1.809,59 $ 1.432,01 Ver $ 1.355,45 $ 1.264,97 $ 1.217,99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	8 A	440 mOhms	25 V	3 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa STF35N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 11.240,34 518En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF35N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF35N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	518En existencias	$ 11.240,34 $ 5.950,77 $ 5.446,17 $ 4.750,18	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	28 A	110 mOhms	25 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 STL33N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 10.265,95 1.370En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL33N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STL33N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1.370En existencias	Cinta cortada $ 10.265,95 $ 5.393,97 $ 4.924,18 $ 4.454,38 $ 4.210,78 Envase tipo carrete $ 4.210,78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	115 mOhms	25 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag STF24N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 6.716,37 1.022En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF24N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF24N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1.022En existencias	$ 6.716,37 $ 3.827,98 $ 3.062,38 $ 2.575,19 Ver $ 2.366,39 $ 2.314,19	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	175 mOhms	25 V	3 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package STD12N50DM2 STMicroelectronics 1: $ 4.349,98 1.078En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD12N50DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STD12N50DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1.078En existencias	Cinta cortada $ 4.349,98 $ 2.122,79 $ 1.913,99 $ 1.524,23 $ 1.478,99 Envase tipo carrete $ 1.313,69 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	11 A	350 mOhms	25 V	4 V	120 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag STF43N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 11.344,74 1.240En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF43N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF43N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1.240En existencias	$ 11.344,74 $ 6.020,37 $ 5.498,37 $ 4.802,38	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	93 mOhms	25 V	3 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 STL13N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 5.185,17 1.985En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL13N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STL13N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1.985En existencias	Cinta cortada $ 5.185,17 $ 2.575,19 $ 2.314,19 $ 1.861,79 $ 1.792,19 Envase tipo carrete $ 1.644,29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-8	N-Channel	1 Channel	600 V	8 A	350 mOhms	25 V	3 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package STW43N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 14.963,93 785En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW43N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STW43N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	785En existencias	$ 14.963,93 $ 7.951,76 $ 7.325,36 $ 6.959,97	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	93 mOhms	25 V	3 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package STW70N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 20.392,70 483En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW70N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STW70N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	483En existencias	$ 20.392,70 $ 12.980,34 $ 11.327,34 $ 10.405,15	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	66 A	42 mOhms	25 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 150 C	446 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package STB28N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 8.125,76 62En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB28N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STB28N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	62En existencias	Cinta cortada $ 8.125,76 $ 4.315,18 $ 3.914,98 $ 3.340,78 Envase tipo carrete $ 2.905,79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	130 mOhms	25 V	3 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package STD5N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 2.505,59 1.082En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD5N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STD5N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1.082En existencias	Cinta cortada $ 2.505,59 $ 1.174,49 $ 1.043,99 $ 890,88 Envase tipo carrete $ 631,62 Ver $ 831,72 $ 579,42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	3.5 A	1.38 Ohms	30 V	3 V	8.6 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack STF12N50DM2 STMicroelectronics 1: $ 5.011,18 94En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF12N50DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF12N50DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	94En existencias	$ 5.011,18 $ 2.470,79 $ 2.227,19 $ 1.792,19 Ver $ 1.680,83 $ 1.623,41 $ 1.590,35	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	11 A	299 mOhms	25 V	4 V	120 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack STF13N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 5.063,37 797En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF13N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF13N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	797En existencias	$ 5.063,37 $ 2.522,99 $ 2.227,19 $ 1.879,19 Ver $ 1.739,99 $ 1.682,57 $ 1.565,99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	310 mOhms	25 V	3 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa STF28N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 7.760,36 431En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF28N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF28N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	431En existencias	$ 7.760,36 $ 3.967,18 $ 3.601,78 $ 2.957,99 $ 2.870,99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	130 mOhms	25 V	3 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack STF33N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 9.204,55 72En existencias 2.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante STF33N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF33N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	72En existencias 2.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STF33N60DM2 Existencias: 72 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1.000 Se espera el 7/5/2027 1.000 Se espera el 29/10/2027 Plazo de entrega de fábrica: 36 Semanas	$ 9.204,55 $ 4.784,98 $ 4.349,98 $ 3.601,78 $ 3.584,38	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	24 A	110 mOhms	25 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 STP24N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 7.412,36 610En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP24N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STP24N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	610En existencias	$ 7.412,36 $ 3.775,78 $ 3.427,78 $ 2.818,79 Ver $ 2.801,39 $ 2.783,99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	200 mOhms	25 V	4 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package STP33N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 9.065,36 684En existencias 1.000Se espera el 14/5/2027	N.º de artículo del Fabricante STP33N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STP33N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	684En existencias 1.000Se espera el 14/5/2027	$ 9.065,36 $ 4.715,38 $ 4.280,38 $ 4.210,78 $ 3.549,58	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	130 mOhms	25 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 STW24N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 8.143,16 325En existencias 600Se espera el 16/4/2027	N.º de artículo del Fabricante STW24N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STW24N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	325En existencias 600Se espera el 16/4/2027	$ 8.143,16 $ 4.088,98 $ 3.723,58 $ 3.131,98 $ 3.114,58	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	200 mOhms	25 V	4 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package STW28N60DM2 STMicroelectronics 1: $ 9.604,75 260En existencias 1.800En pedido	N.º de artículo del Fabricante STW28N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STW28N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	260En existencias 1.800En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STW28N60DM2 Existencias: 260 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 600 Se espera el 19/2/2027 1.200 Se espera el 26/3/2027 Plazo de entrega de fábrica: 36 Semanas	$ 9.604,75 $ 6.298,77 $ 4.697,98 $ 3.932,38 $ 3.653,98	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	130 mOhms	25 V	3 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Tube

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