Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

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SQJ860EP-T1_GE3
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SQJ431EP-T1_GE3
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SQJ416EP-T1_GE3
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SQJ464EP-T1_GE3
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SQJ411EP-T1_GE3
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SQJ423EP-T1_GE3
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