Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

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Resultados: 79

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X

XP10N3R5XT
YAGEO XSemi
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XP10N3R5XT

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603-XP10N3R5XT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X

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Envase tipo carrete

$ 848,48

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

100 V

142 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251

XP10NA011J
YAGEO XSemi
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6.732En existencias

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XP10NA011J

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603-XP10NA011J

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251

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6.732En existencias

$ 1.916,46

$ 1.203,93

$ 665,03

$ 568,39

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Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

100 V

48.5 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL

XP10NA1R5TL
YAGEO XSemi
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XP10NA1R5TL

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603-XP10NA1R5TL

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL

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$ 8.255,52

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$ 3.914,82

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Envase tipo carrete

$ 3.030,30

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

347 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

190 nC

- 55 C

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3.75 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P

XP3832CMT
YAGEO XSemi
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XP3832CMT

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603-XP3832CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P

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$ 835,38

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SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

2 Channel

30 V

27 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

19 nC

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+ 150 C

2.27 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6

XP3N1R0MT
YAGEO XSemi
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XP3N1R0MT

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603-XP3N1R0MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6

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$ 1.916,46

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$ 1.017,20

Envase tipo carrete

$ 820,64

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SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

245 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

900 mV

75 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6

XP4NA1R4CMT-A
YAGEO XSemi
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XP4NA1R4CMT-A

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603-XP4NA1R4CMT-A

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6

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$ 791,15

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SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

45 V

223 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6

XP4NAR95CMT-A
YAGEO XSemi
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XP4NAR95CMT-A

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603-XP4NAR95CMT-A

YAGEO XSemi

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Envase tipo carrete

$ 1.035,22

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SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

45 V

264 A

950 uOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252

XP60SA290DH
YAGEO XSemi
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XP60SA290DH

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603-XP60SA290DH

YAGEO XSemi

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$ 1.030,30

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

600 V

13.3 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262

XP60SL115DR
YAGEO XSemi
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XP60SL115DR

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603-XP60SL115DR

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262

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$ 3.407,04

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Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

91 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252

XP65SL380DH
YAGEO XSemi
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XP65SL380DH

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YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252

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$ 2.358,72

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SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X

XP6NA1R4CXT
YAGEO XSemi
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2.960En existencias

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XP6NA1R4CXT

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603-XP6NA1R4CXT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X

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$ 4.766,58

$ 3.079,44

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$ 1.631,45

Envase tipo carrete

$ 1.441,44

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Mult.: 1

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SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

60 V

210 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6

XP6NA1R7CMT
YAGEO XSemi
1: $ 4.013,10
2.995En existencias

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XP6NA1R7CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA1R7CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6

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Cinta cortada

$ 4.013,10

$ 2.588,04

$ 1.769,04

$ 1.410,32

Envase tipo carrete

$ 1.154,79

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

60 V

190 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252

XP6NA3R0H
YAGEO XSemi
1: $ 2.948,40
2.982En existencias

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XP6NA3R0H

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA3R0H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252

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Cinta cortada

$ 2.948,40

$ 1.883,70

$ 1.257,98

$ 994,27

Envase tipo carrete

$ 800,98

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

60 V

126 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL

XP8NA1R2TL
YAGEO XSemi
1: $ 8.190,00
1.997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP8NA1R2TL

N.º de artículo de Mouser
603-XP8NA1R2TL

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL

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1.997En existencias

Cinta cortada

$ 8.190,00

$ 5.438,16

$ 3.882,06

$ 3.685,50

$ 3.669,12

Envase tipo carrete

$ 2.997,54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

400 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

265 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X

XP8NA2R2CXT
YAGEO XSemi
1: $ 4.193,28
3.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP8NA2R2CXT

N.º de artículo de Mouser
603-XP8NA2R2CXT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X

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Cinta cortada

$ 4.193,28

$ 2.702,70

$ 1.850,94

$ 1.484,03

Envase tipo carrete

$ 1.400,49

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

80 V

168 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

112 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1

XP10C150M
YAGEO XSemi
1: $ 1.343,16
2.958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10C150M

N.º de artículo de Mouser
603-XP10C150M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1

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2.958En existencias

Cinta cortada

$ 1.343,16

$ 833,74

$ 540,54

$ 412,78

Envase tipo carrete

$ 307,94

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel, P-Channel

1 Channel

100 V

2.5 A

150 mOhms, 160 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

11 nC, 32 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T

XP10N3R8IT
YAGEO XSemi
1: $ 4.045,86
1.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10N3R8IT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10N3R8IT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T

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$ 4.045,86

$ 1.981,98

$ 1.769,04

$ 1.423,42

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220CFM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

67.7 A

3.88 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

1.92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220

XP10N3R8P
YAGEO XSemi
1: $ 3.980,34
1.758En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10N3R8P

N.º de artículo de Mouser
603-XP10N3R8P

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220

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1.758En existencias

$ 3.980,34

$ 2.538,90

$ 1.736,28

$ 1.687,14

$ 1.140,05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

132 A

3.88 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252

XP10NA011H
YAGEO XSemi
1: $ 1.998,36
2.952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA011H

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA011H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252

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2.952En existencias

Cinta cortada

$ 1.998,36

$ 1.253,07

$ 825,55

$ 642,10

Envase tipo carrete

$ 506,14

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

100 V

48.5 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T

XP10NA8R4IT
YAGEO XSemi
1: $ 2.604,42
967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA8R4IT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA8R4IT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T

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$ 2.604,42

$ 1.212,12

$ 972,97

$ 830,47

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220CFM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

1.92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3

XP10TN028YT
YAGEO XSemi
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15.8 A

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5 W

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Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

53 mA
200 mA
1.6 A
2.5 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.9 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.4 A
5.5 A, 7.8 A
5.8 A
6.1 A, 8.7 A
6.4 A
7.5 A

950 uOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.4 mOhms
2.55 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.88 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
5 mOhms

700 pC
2.3 nC
2.5 nC
5 nC
5 nC, 5.8 nC
5 nC, 6 nC
5.2 nC, 6 nC
5.3 nC
5.5 nC
6.5 nC
7.2 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11 nC, 32 nC
12 nC
14 nC
14.5 nC