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Soluciones automotrices

Las soluciones automotrices de Toshiba ofrecen varios dispositivos semiconductores automotrices que están diseñados para mejorar la seguridad de la conducción. Esto incluye sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS) que utilizan un procesador de reconocimiento de imágenes. Toshiba ofrece tecnologías de semiconductores de vanguardia desde una perspectiva futura para ofrecer soluciones integrales de conducción asistida. Estas soluciones incluyen la autoconducción que emula los ojos humanos y otros sentidos humanos complejos.

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DF3D18FU,LF
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type

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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

1SS302A,LF
Toshiba
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1SS302A,LF

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757-1SS302ALF

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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type

DF3D36FU,LF
Toshiba
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DF3D36FU,LF

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757-DF3D36FULF

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

TK55S10N1,LQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK

TK100S04N1L,LQ
Toshiba
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TB9061AFNG,EL
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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TJ40S04M3L(T6L1,NQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK15S04N1L,LQ
Toshiba
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Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q

TC32306FTG,EL
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063

TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $ 2.751,84
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
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51.000Se espera el 6/3/2026

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
1: $ 687,96
67.009En existencias

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SSM3J356R,LF

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757-SSM3J356RLF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K2615R,LF
Toshiba
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SSM3K2615R,LF

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757-SSM3K2615RLF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K318R,LF
Toshiba
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SSM3K318R,LF

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757-SSM3K318RLF

Toshiba

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

SSM3K341R,LF
Toshiba
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36.271En existencias

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SSM3K341R,LF

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757-SSM3K341RLF

Toshiba

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

SSM3K361R,LF
Toshiba
1: $ 1.244,88
52.443En existencias
6.000Se espera el 20/2/2026

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SSM3K361R,LF

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757-SSM3K361RLF

Toshiba

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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10

TB9051FTG,EL
Toshiba
1: $ 12.940,20
931En existencias

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TB9051FTG,EL

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757-TB9051FTG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $ 3.718,26
5.662En existencias

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TJ30S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ30S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

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$ 1.069,61

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

SSM3K341TU,LF
Toshiba
1: $ 1.031,94
7.347En existencias

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SSM3K341TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULF

Toshiba

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$ 226,04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM3K361TU,LF
Toshiba
1: $ 1.162,98
3.829En existencias
3.000Se espera el 6/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K361TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

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$ 260,44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: $ 868,14
73En existencias
9.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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$ 868,14

$ 540,54

$ 327,60

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$ 160,52

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Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

1SS307E,L3F
Toshiba
1: $ 245,70
17.729En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS307E,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS307EL3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

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$ 245,70

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$ 103,19

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Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

1SS403,H3F
Toshiba
1: $ 360,36
14.488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS403,H3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403H3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

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$ 360,36

$ 281,74

$ 175,27

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available

DF2B18FU,H3F
Toshiba
1: $ 458,64
16.086En existencias
9.000Se espera el 2/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
DF2B18FU,H3F

N.º de artículo de Mouser
757-DF2B18FUH3F

Toshiba

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available

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9.000Se espera el 2/3/2026

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$ 188,37

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