Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ7414CENW-T1_JE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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$ 2.080,26

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Envase tipo carrete

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SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3481CEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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$ 755,12

$ 497,95

$ 391,48

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.5 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ4940CEY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

8 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11.2 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

850 mA

210 mOhms, 788 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2.6 V

1.4 nC, 1.6 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ3985EV-T1_GE3

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

20 V

3.9 A

130 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4425EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4425EY-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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$ 1.276,00

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

18 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified

SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ4949EY-T1_GE3

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

7.5 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1431EH-T1_GE3

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$ 339,07

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SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ2303ES-T1_GE3

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

170 mOhms

- 10 V, 10 V

2.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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541.237En existencias

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SQ3427AEEV-T1_GE3

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

SQ4431EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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38.977En existencias

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SQ4431EY-T1_BE3

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ1470AEH-T1_GE3

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.7 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

5.2 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1912AEEH-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.25 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 982,80
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SQ1912EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

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$ 224,41

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms, 200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.15 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1922AEEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

300 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

1.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

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TrenchFET

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SQ3419AEEV-T1_BE3
Vishay / Siliconix
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SQ3419AEEV-T1_BE3

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78-SQ3419AEEV-T1_BE3

Vishay / Siliconix

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$ 419,33

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

61 mOhms

- 12 V, 12 V

2.5 V

8.4 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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400.702En existencias

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SQ3427EV-T1_GE3

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78-SQ3427EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6

SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3989EV-T1_GE3

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78-SQ3989EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

2.5 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

11.1 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

SQ4064EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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SQ4064EY-T1_BE3

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78-SQ4064EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

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SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

25 A

5.1 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

101 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified

SQ4920EY-T1_GE3
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

4.4 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.4 nC

- 55 C

+ 100 C

2.7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

150 mOhms, 500 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV, 1.5 V

930 pC, 1 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12V (D-S)

SQ2315ES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

5 A

50 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30V (D-S)

SQ2348ES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.95 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

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SQ Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.57 A, 2.5 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A
4.6 A

3.1 mOhms
3.6 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
16.5 mOhms
20 mOhms, 20 mOhms
21 mOhms
21 mOhms, 56 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W