Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSL211SPH6327XTSA1

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726-BSL211SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4.7 A

94 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3

BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $ 1.638,00
38.780En existencias

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BSP316PH6327XTSA1

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726-BSP316PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3

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$ 669,94

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Envase tipo carrete

$ 355,45

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SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

100 V

680 mA

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

BSS215PH6327XT
Infineon Technologies
1: $ 687,96
27.743En existencias

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BSS215PH6327XT

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726-BSS215PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

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$ 687,96

$ 483,21

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$ 208,03

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

105 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH

BSD316SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $ 606,06
27.426En existencias
NRND

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BSD316SNH6327XTSA1

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726-BSD316SNH6327XTS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH

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$ 124,49

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.4 A

192 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

BSD235CH6327XT
Infineon Technologies
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145.549En existencias

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BSD235CH6327XT

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726-BSD235CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

950 mA, 530 mA

266 mOhms, 745 mOhms

- 12 V, 12 V

700 mV, 1.2 V

340 pC, 400 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSR315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSR315PH6327XTSA1

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726-BSR315PH6327XTSA

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$ 250,61

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SMD/SMT

SC-59-3

P-Channel

1 Channel

60 V

620 mA

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- 20 V, 20 V

2 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL316CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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98.173En existencias

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BSL316CH6327XTSA1

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726-BSL316CH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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$ 206,39

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.4 A, 1.5 A

113 mOhms, 119 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V, 1.5 V

600 pC, 2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS315PH6327XT
Infineon Technologies
1: $ 671,58
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BSS315PH6327XT

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726-BSS315PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

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$ 152,33

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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.3 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
1: $ 671,58
134.163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSD235NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSD235NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

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$ 671,58

$ 476,66

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

950 mA

266 mOhms, 415 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

320 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

2N7002 H6327
Infineon Technologies
1: $ 409,50
27.920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2N7002 H6327

N.º de artículo de Mouser
726-2N7002H6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

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$ 409,50

$ 288,29

$ 181,82

$ 113,02

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$ 81,90

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS314PEH6327XT
Infineon Technologies
1: $ 720,72
16.954En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS314PEH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS314PEH6327SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

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16.954En existencias

Cinta cortada

$ 720,72

$ 530,71

$ 299,75

$ 203,11

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$ 134,32

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

107 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

BSP297H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $ 1.900,08
66.245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP297H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP297H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

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$ 1.900,08

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$ 637,18

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$ 543,82

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SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

200 V

660 mA

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

12.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3

BSP171PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $ 1.867,32
5.295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP171PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP171PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3

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$ 1.867,32

$ 1.171,17

$ 769,86

$ 596,23

Envase tipo carrete

$ 507,78

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SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

BSP296NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $ 720,72
33.642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP296NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP296NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

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33.642En existencias

Cinta cortada

$ 720,72

$ 556,92

$ 457,00

$ 448,81

Envase tipo carrete

$ 373,46

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SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.2 A

329 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

4.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -430mA SOT-223-3

BSP317PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $ 1.883,70
14.605En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP317PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP317PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -430mA SOT-223-3

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Cinta cortada

$ 1.883,70

$ 1.194,10

$ 784,60

$ 609,34

Envase tipo carrete

$ 525,80

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SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

250 V

430 mA

3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 1A SOT-223-3

BSP322PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $ 1.818,18
8.067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP322PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP322PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 1A SOT-223-3

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Cinta cortada

$ 1.818,18

$ 1.140,05

$ 748,57

$ 579,85

Envase tipo carrete

$ 524,16

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Carrete: 1.000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

100 V

1 A

808 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

BSS806NEH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $ 589,68
32.049En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS806NEH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS806NEH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

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32.049En existencias

Cinta cortada

$ 589,68

$ 293,20

$ 219,49

$ 158,89

Envase tipo carrete

$ 114,66

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.3 A

41 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 150mA SOT-323-3

BSS84PWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $ 360,36
108.288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS84PWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS84PWH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 150mA SOT-323-3

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108.288En existencias

Cinta cortada

$ 360,36

$ 180,18

$ 129,40

$ 106,47

Envase tipo carrete

$ 67,16

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

60 V

150 mA

4.6 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSL308CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL308CH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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70.608En existencias

Cinta cortada

$ 1.457,82

$ 910,73

$ 591,32

$ 453,73

Envase tipo carrete

$ 352,17

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

2.3 A, 2 A

44 mOhms, 62 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V, 1.5 V

650 pC, 1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
1: $ 1.556,10
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BSP125H6433XTMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

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$ 389,84

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MouseReel Disponible

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Carrete: 4.000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

25 Ohms

- 20 V, 20 V

1.9 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3

BSP170PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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726-BSP170PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3

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$ 1.140,05

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$ 540,54

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Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

239 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3

BSP613PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSP613PH6327XTSA1

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726-BSP613PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3

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$ 846,85

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Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

2.9 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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71.400Se espera el 26/2/2026

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BSS123NH6327XTSA1

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726-BSS123NH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
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3.042En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL202SNH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL202SNH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

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$ 573,30

$ 479,93

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$ 360,36

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

26 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $ 1.392,30
3.431En existencias
3.000Se espera el 26/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSL307SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL307SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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$ 961,51

$ 637,18

$ 496,31

Envase tipo carrete

$ 327,60

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

5.5 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 mA
110 mA
120 mA
140 mA
150 mA
170 mA
190 mA
200 mA
230 mA
260 mA
280 mA
300 mA
330 mA
350 mA
360 mA
390 mA
430 mA
540 mA
620 mA
630 mA

23 mOhms
26 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
43 mOhms
44 mOhms, 62 mOhms
52 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
69 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
105 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
108 mOhms, 173 mOhms
113 mOhms
113 mOhms, 119 mOhms
119 mOhms

550 mV
600 mV
700 mV, 1.2 V
750 mV
800 mV
900 mV
950 mV
950 mV, 900 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.6 V, 1.5 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.6 V

73 pC, 3 nC
320 pC
340 pC, 400 pC
500 pC
600 pC
600 pC, 2.4 nC
630 pC
650 pC
650 pC, 1.2 nC
800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.7 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.38 nC
2.9 nC
3.6 nC
3.7 nC