Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 27

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
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IQE050N08NM5CGSCATMA1

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726-IQE050N08NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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$ 5.683,86

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$ 2.604,42

$ 2.260,44

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Envase tipo carrete

$ 1.834,56

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6.000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

16 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.651,10
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726-IQE065N10NM5CGSC

Infineon Technologies

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4.990En existencias

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$ 5.651,10

$ 3.701,88

$ 2.571,66

$ 2.227,68

Envase tipo carrete

$ 1.801,80

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6.000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IST026N10NM5AUMA1
Infineon Technologies
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726-IST026N10NM5AUMA

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$ 7.076,16

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$ 2.751,84

Envase tipo carrete

$ 2.489,76

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Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

248 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
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IQE050N08NM5ATMA1

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726-IQE050N08NM5ATMA

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$ 5.339,88

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$ 2.080,26

Envase tipo carrete

$ 1.687,14

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

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IQE065N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
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IQE065N10NM5CGATMA1

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Infineon Technologies

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$ 3.226,86

$ 2.244,06

$ 1.818,18

Envase tipo carrete

$ 1.638,00

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IST019N08NM5AUMA1
Infineon Technologies
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NRND

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IST019N08NM5AUMA1

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726-IST019N08NM5AUMA

NRND

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$ 3.046,68

$ 2.768,22

Envase tipo carrete

$ 2.473,38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

290 A

1.9 Ohms

- 20 V, 20 V

3.8 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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ISG0616N10NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
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ISG0616N10NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0616N10NM5HSC

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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$ 4.095,00

Envase tipo carrete

$ 3.521,70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

100 V

139 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IQE046N08LM5ATMA1
Infineon Technologies
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IQE046N08LM5ATMA1

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726-E046N08LM5ATMA1

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$ 5.290,74

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$ 2.113,02

Envase tipo carrete

$ 1.916,46

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPTC011N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
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IPTC011N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC011N08NM5ATM

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$ 9.844,38

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Envase tipo carrete

$ 3.832,92

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

80 V

408 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

223 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPTC014N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.500,40
2.818En existencias
3.600Se espera el 19/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC014N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC014N10NM5ATM

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2.818En existencias

3.600Se espera el 19/3/2026

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$ 9.500,40

$ 6.371,82

$ 6.355,44

$ 4.586,40

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Envase tipo carrete

$ 3.652,74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

365 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQD016N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.814,08
3.887En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQD016N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD016N08NM5CGAT

Infineon Technologies

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$ 6.814,08

$ 5.176,08

$ 4.750,20

$ 4.307,94

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Envase tipo carrete

$ 3.407,04

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

323 A

1.57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQD020N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.748,56
4.353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQD020N10NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD020N10NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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4.353En existencias

Cinta cortada

$ 6.748,56

$ 4.701,06

$ 4.029,48

$ 3.914,82

$ 3.783,78

Envase tipo carrete

$ 3.374,28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

100 V

273 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.110,56
3.298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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3.298En existencias

Cinta cortada

$ 5.110,56

$ 3.456,18

$ 2.457,00

$ 2.096,64

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Envase tipo carrete

$ 1.785,42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.487,30
2.664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

2.664En existencias

Cinta cortada

$ 5.487,30

$ 3.800,16

$ 2.653,56

$ 2.276,82

$ 2.227,68

Envase tipo carrete

$ 1.916,46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.880,42
3.300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

3.300En existencias

Cinta cortada

$ 5.880,42

$ 3.849,30

$ 2.686,32

$ 2.358,72

Ver

Envase tipo carrete

$ 1.916,46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

16 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC025N08NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.141,68
3.835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM5LF2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM5LF2A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

3.835En existencias

Cinta cortada

$ 7.141,68

$ 5.045,04

$ 3.603,60

$ 2.997,54

$ 2.964,78

Envase tipo carrete

$ 2.800,98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

198 A

2.55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

IPP023N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 8.501,22
199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP023N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP023N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

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Hoja de datos

199En existencias

$ 8.501,22

$ 4.373,46

$ 4.013,10

$ 3.390,66

$ 3.325,14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 4.062,24
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP083N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP083N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

500En existencias

$ 4.062,24

$ 1.998,36

$ 1.801,80

$ 1.434,89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT013N08NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1: $ 10.958,22
949En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT013N08NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT013N08NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

949En existencias

Cinta cortada

$ 10.958,22

$ 8.452,08

$ 6.486,48

$ 6.240,78

Envase tipo carrete

$ 5.290,74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

333 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.1 V

158 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 3.783,78
141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP034N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP034N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

141En existencias

$ 3.783,78

$ 2.113,02

$ 1.981,98

$ 1.818,18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.307,12
158En existencias
10.000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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158En existencias

10.000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

$ 5.307,12

$ 3.456,18

$ 2.407,86

$ 2.047,50

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Envase tipo carrete

$ 1.654,38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.700,24
104En existencias
6.000Se espera el 10/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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6.000Se espera el 10/9/2026

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$ 5.700,24

$ 3.718,26

$ 2.669,94

$ 2.293,20

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Envase tipo carrete

$ 1.900,08

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.208,84
102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGAT

Infineon Technologies

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$ 5.208,84

$ 3.390,66

$ 2.358,72

$ 1.998,36

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$ 1.624,90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.782,14
12.000En pedido

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IQE046N08LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Cinta cortada

$ 5.782,14

$ 3.832,92

$ 2.882,88

$ 2.473,38

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$ 2.014,74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP027N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP027N08N5XKSA1

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$ 2.768,22

$ 2.686,32

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

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80 V

120 A

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- 20 V, 20 V

3.8 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

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