50V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low drain-source on-state resistance [RDS(ON)]. Each device is ESD-protected up to a 2KV human-body model. For design flexibility, these devices are available in six packages (SOT-363, SOT-563, SC-89, SOT-523, SOT-23, and SOT-323). All PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and have a Green molding compound as per the IEC 61249 standard.

Resultados: 29
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
6.615En existencias
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Min.: 1
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: 8.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 350 mA
Hoja de datos
3.765En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SC-89-3 N-Channel 1 Channel 50 V 350 mA 2.5 Ohms 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
80.868En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
279.256En existencias
3.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
20.041En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
7.988En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
1.249En existencias
3.000Se espera el 4/9/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
6.358En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
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4.927En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 400 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
3.026En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-523-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
6.080En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
3.576En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 400 mA 1.45 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
4.987En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 50 V 200 mA, 360 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected
Hoja de datos
6.096En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
24.000Se espera el 1/10/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-523-3 N-Channel 1 Channel 50 V 350 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
41.996Se espera el 3/8/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 400 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 8.000
Mult.: 8.000
: 8.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel