Resultados: 106
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified 38.013En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 260 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified 71.554En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified 50.696En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified 42.008En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified 34.318En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 72 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified 202.044En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.7 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 5.2 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252 31.107En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified 60.677En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 55 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified 60.499En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 97 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified 288.561En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 60 V 15 A 25.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified 64.103En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 14.7 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified 13.802En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 220 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 119.341En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified 76.888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 60 V 32 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified 9.685En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 18 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 62.5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 4.301En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 150 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 144 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 3.039En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 32 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified 2.393En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 291 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified 2.426En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 7 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified 22.256En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 14 A 76.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 4.7 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 4.677En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 6 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified 12.038En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 300 V 10 A 275 mOhms - 30 V, 30 V 3.4 V 47 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified 6.731En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 14.790En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 23 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified 30.584En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8W-8 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel