Amplificador de RF Low Noise Amplifier, 2mm PDFN-8LD
MAAL-011134-TR3000
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Amplificador de RF Low Noise Amplifier, 2mm PDFN-8LD
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Rectificadores y diodos Schottky 60V 20A
DST2060DJF
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Rectificadores y diodos Schottky 60V 20A
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Memoria flash tipo NOR Serial Memoria flash tipo NOR(Micron), 64Mb, 3V, 108Mhz, Multiple IO, Automotive, 8pin DFN(8x6), Tray
N25Q064A13EF8A0E
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Memoria flash tipo NOR Serial Memoria flash tipo NOR(Micron), 64Mb, 3V, 108Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin DFN(6x5), Tray
N25Q064A13EF640E
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Memoria flash tipo NOR Serial Memoria flash tipo NOR(Micron), 64Mb, 3V, 108Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin DFN(6x5), Tray
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
iS20M028S1C-7SR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Amplificador de RF Broadband LNA, 0.03-8GHz, 2mmPDFN
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Amplificador de RF Broadband LNA, 0.03-8GHz, 2mmPDFN
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Amplificador de RF Amplifier,0.5-6 GHz,2mm-8LD,1k reel
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Amplificador de RF Low Noise Amplifier,2-18GHz,2mm,3k reel
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Amplificador de RF .05-4GHz NF 2.2dBmax -40C +85C
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Circuitos integrados de interruptores de RF DC-8.0GHz ISO 29dB IL .5dB @2.0-6.0GHz
MASW-007107-TR3000
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Circuitos integrados de interruptores de RF DC-8.0GHz ISO 29dB IL .5dB @2.0-6.0GHz
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm
IS15M7R1S1C
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Amplificador de RF .5-1.6GHz NF .5dB Gain=21dB
MAAL-010705-TR3000
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937-MAAL-010705-T3
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Amplificador de RF .5-1.6GHz NF .5dB Gain=21dB
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm
IS15M7R1S1C-7SR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm
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GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
TSG65N195CE RVG
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821-TSG65N195CERVG
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GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
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Memoria flash tipo NOR Serial Memoria flash tipo NOR(Micron), 64Mb, 3V, 108Mhz, Multiple IO, Automotive, 8pin DFN(8x6), T&R
N25Q064A13EF8A0F
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Atenuadores Attenuator,ED-PHEMT,1BT 20dB,2mmPDFN-8LD
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MAADSS0012TR
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937-MAADSS0012TR
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Atenuadores Attenuator,ED-PHEMT,1BT 20dB,2mmPDFN-8LD
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Circuitos integrados de interruptores de RF DC-7.0GHz ISO 27dB IL .7dB @3.5GHz
MASW-007921-TR3000
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937-MASW-007921-T
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Circuitos integrados de interruptores de RF DC-7.0GHz ISO 27dB IL .7dB @3.5GHz
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Memoria flash tipo NOR Serial Memoria flash tipo NOR(Micron), 64Mb, 3V, 108Mhz, Multiple IO, Industrial HR, 8pin DFN(8x6), Tray
N25Q064A13EF8H0E
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980 Se espera el 10/11/2026
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913-N25Q064A13EF8H0E
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Memoria flash tipo NOR Serial Memoria flash tipo NOR(Micron), 64Mb, 3V, 108Mhz, Multiple IO, Industrial HR, 8pin DFN(8x6), Tray
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Rectificadores y diodos Schottky 60V 30A
DST3060DJF
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
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576-DST3060DJF
Littelfuse
Rectificadores y diodos Schottky 60V 30A
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 150V 100A 7.4mOhms
XP15NA7R4CDT
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603-XP15NA7R4CDT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 150V 100A 7.4mOhms
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 16A 5mOhms
XP3832CDT
YAGEO XSemi
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603-XP3832CDT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 16A 5mOhms
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 19.5A 5.2mOhms
XP3838CDT33
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser
603-XP3838CDT33
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 19.5A 5.2mOhms
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms
XP3840CDT33
YAGEO XSemi
3.000:
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N.º de artículo de Mouser
603-XP3840CDT33
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms
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GaN FETs GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88
NV6026C
Navitas Semiconductor
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N.º de artículo del Fabricante
NV6026C
N.º de artículo de Mouser
740-NV6026C
Nuevo producto
Navitas Semiconductor
GaN FETs GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88
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