Resultados: 10
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
Hoja de datos
3.936En existencias
Cinta cortada
$ 4.645,78
$ 2.279,39
$ 2.053,19
$ 1.639,07
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Envase tipo carrete
$ 1.433,75
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
Hoja de datos
4.704En existencias
Cinta cortada
$ 5.080,77
$ 2.522,99
$ 2.261,99
$ 1.826,99
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Envase tipo carrete
$ 1.407,65
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
33.582En existencias
Cinta cortada
$ 3.688,78
$ 1.913,99
$ 1.703,45
$ 1.355,45
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Envase tipo carrete
$ 1.139,69
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.1 mOhms 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
28.297En existencias
5.000Se espera el 3/12/2026
Cinta cortada
$ 3.601,78
$ 1.724,33
$ 1.541,63
$ 1.219,73
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Envase tipo carrete
$ 934,38
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.8 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
203En existencias
30.000Se espera el 8/4/2027
Cinta cortada
$ 4.280,38
$ 2.296,79
$ 1.861,79
$ 1.489,43
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Envase tipo carrete
$ 1.247,57
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5.000
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms 20 V 1.3 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
738En existencias
50.000En pedido
Cinta cortada
$ 1.896,59
$ 1.151,87
$ 810,84
$ 584,64
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Envase tipo carrete
$ 363,66
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 5.9 mOhms 20 V 1.3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
38.763En pedido
Cinta cortada
$ 8.264,96
$ 5.411,37
$ 4.036,78
$ 3.375,58
Ver
Envase tipo carrete
$ 2.940,59
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms 20 V 1.3 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
339.761En pedido
Cinta cortada
$ 2.766,59
$ 1.294,55
$ 1.151,87
$ 901,32
Envase tipo carrete
$ 709,92
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 7.000
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
159.714En pedido
Cinta cortada
$ 2.192,39
$ 1.078,79
$ 894,36
$ 697,74
$ 689,04
Envase tipo carrete
$ 523,74
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7 mOhms 20 V 2.3 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
14.976En pedido
Cinta cortada
$ 3.549,58
$ 1.706,93
$ 1.527,71
$ 1.343,27
$ 1.247,57
Envase tipo carrete
$ 1.023,11
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel