Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 3.873,79
8.908 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ021N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
8.908 En existencias
1
$ 3.873,79
10
$ 2.435,92
100
$ 1.596,88
500
$ 1.267,02
5.000
$ 987,90
10.000
Ver
1.000
$ 1.126,61
2.500
$ 1.028,50
10.000
$ 954,07
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
IQE020N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 4.651,94
3.500 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-IQE020N04LM6CGAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
3.500 En existencias
1
$ 4.651,94
10
$ 2.994,16
100
$ 2.029,94
500
$ 1.725,45
1.000
Ver
5.000
$ 1.263,63
1.000
$ 1.530,91
2.500
$ 1.448,02
5.000
$ 1.263,63
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
40 V
166 A
2.05 mOhms
20 V
2.3 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
IQE020N04LM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 5.210,17
4.193 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-IQE020N04LM6CGSC
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
4.193 En existencias
1
$ 5.210,17
10
$ 3.349,39
100
$ 2.300,59
500
$ 1.860,77
1.000
Ver
6.000
$ 1.475,09
1.000
$ 1.725,45
2.500
$ 1.679,77
6.000
$ 1.475,09
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6.000
Detalles
Si
SMD/SMT
WTFN-9
N-Channel
1 Channel
40 V
166 A
2.05 mOhms
20 V
2.3 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 3.163,32
33.238 En existencias
190.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC022N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
33.238 En existencias
190.000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
33.238 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
95.000 Se espera el 29/7/2026
95.000 Se espera el 27/5/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$ 3.163,32
10
$ 1.962,27
100
$ 1.283,93
500
$ 1.086,02
5.000
$ 1.001,43
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
79 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC010N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 4.347,45
3.211 En existencias
30.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC010N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
3.211 En existencias
30.000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
3.211 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10.000 Se espera el 11/2/2027
20.000 Se espera el 25/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$ 4.347,45
10
$ 2.757,33
100
$ 1.860,77
500
$ 1.505,54
1.000
Ver
5.000
$ 1.324,53
1.000
$ 1.349,91
2.500
$ 1.326,22
5.000
$ 1.324,53
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC059N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 2.926,49
19.743 En existencias
50.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC059N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
19.743 En existencias
50.000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
19.743 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
20.000 Se espera el 13/8/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$ 2.926,49
10
$ 1.810,03
100
$ 1.194,28
500
$ 938,85
5.000
$ 644,50
10.000
Ver
1.000
$ 801,82
2.500
$ 727,39
10.000
$ 622,51
25.000
$ 603,91
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
59 A
5.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
9.4 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ018N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 3.027,99
12.541 En existencias
20.000 Se espera el 11/3/2027
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ018N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
12.541 En existencias
20.000 Se espera el 11/3/2027
1
$ 3.027,99
10
$ 2.469,76
100
$ 1.996,10
500
$ 1.681,46
1.000
Ver
5.000
$ 1.314,38
1.000
$ 1.488,62
2.500
$ 1.409,11
5.000
$ 1.314,38
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC007N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 9.016,30
40.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC007N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
40.000 En pedido
Ver fechas
En pedido:
25.000 Se espera el 31/12/2026
15.000 Se espera el 7/1/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$ 9.016,30
10
$ 5.700,74
100
$ 4.195,20
500
$ 3.450,89
1.000
$ 3.078,74
5.000
$ 3.061,82
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
381 A
700 uOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
94 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ024N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 3.636,97
28.336 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ024N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
28.336 En pedido
Ver fechas
En pedido:
8.336 Se espera el 20/8/2026
15.000 Se espera el 15/10/2026
5.000 Se espera el 28/1/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$ 3.636,97
10
$ 2.283,68
100
$ 1.502,15
500
$ 1.190,90
1.000
Ver
5.000
$ 896,55
1.000
$ 1.058,95
2.500
$ 967,60
5.000
$ 896,55
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 2.080,68
169.119 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ063N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
169.119 En pedido
Ver fechas
En pedido:
29.119 Se espera el 1/4/2027
50.000 Se espera el 3/6/2027
90.000 Se espera el 17/6/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$ 2.080,68
10
$ 1.331,30
100
$ 932,08
500
$ 767,99
1.000
Ver
5.000
$ 497,33
1.000
$ 698,64
2.500
$ 639,43
5.000
$ 497,33
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
9.5 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Argentina