Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

IQE020N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
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IQE020N04LM6CGATMA1

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SMD/SMT

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1 Channel

40 V

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2.05 mOhms

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2.3 V

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+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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SMD/SMT

WTFN-9

N-Channel

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40 V

166 A

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2.3 V

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+ 175 C

107 W

Enhancement

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: 5.000

SMD/SMT

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Enhancement

OptiMOS

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Presupuesto

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TSDSON-FL-8

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1 Channel

40 V

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2.3 V

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83 W

Enhancement

OptiMOS

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: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.8 mOhms

20 V

2.3 V

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- 55 C

+ 175 C

75 W

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40 V

100 A

1 mOhms

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150 W

Enhancement

OptiMOS

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BSC059N04LS6ATMA1
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: 5.000

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TDSON-FL-8

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38 W

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BSC007N04LS6ATMA1
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726-BSC007N04LS6ATMA

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Min.: 1
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TDSON-FL-8

N-Channel

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40 V

381 A

700 uOhms

20 V

1.3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

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OptiMOS

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BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.097,60
168.348En pedido

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BSZ063N04LS6ATMA1

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726-BSZ063N04LS6ATMA

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Cinta cortada

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$ 703,71

$ 669,88

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$ 499,03

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TSDSON-FL-8

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40 V

40 A

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20 V

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 3.450,89
14.976En pedido

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BSZ021N04LS6ATMA1

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SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

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40 V

40 A

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