Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 3En existencias
7.500Se espera el 2/7/2027
Cinta cortada
$ 5.672,37
$ 3.671,38
$ 2.540,39
$ 2.105,39
$ 1.966,19
Envase tipo carrete
$ 1.966,19
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 35En existencias
25.500En pedido
Cinta cortada
$ 3.897,58
$ 2.470,79
$ 1.668,65
$ 1.351,97
$ 1.211,03
Envase tipo carrete
$ 1.211,03
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms 20 V 3.6 V 21 nC - 55 C + 170 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 10.394En existencias
37.500En pedido
Cinta cortada
$ 6.350,97
$ 4.123,78
$ 2.888,39
$ 2.418,59
$ 2.244,59
Envase tipo carrete
$ 2.122,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms 20 V 3.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
28.583En pedido
Cinta cortada
$ 14.998,73
$ 8.473,76
$ 7.777,76
$ 7.603,76
$ 6.716,37
Envase tipo carrete
$ 6.716,37
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 457 A 790 uOhms 20 V 3.6 V 174 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
28.438En pedido
Cinta cortada
$ 5.254,77
$ 2.940,59
$ 2.331,59
$ 1.913,99
$ 1.654,73
Envase tipo carrete
$ 1.654,73
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 154 A 2.6 mOhms 20 V 3.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
11.115En pedido
Cinta cortada
$ 7.568,96
$ 4.958,98
$ 3.688,78
$ 3.097,18
$ 2.870,99
Envase tipo carrete
$ 2.870,99
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO8FL-8 N-Channel 1 Channel 80 V 253 A 1.43 mOhms 20 V 3.6 V 83 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
5.747Se espera el 23/3/2027
Cinta cortada
$ 4.315,18
$ 2.766,59
$ 1.879,19
$ 1.600,79
$ 1.416,35
Envase tipo carrete
$ 1.416,35
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel