Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

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Id - Corriente de drenaje continua

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D0N08XT1G
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239En existencias
16.500En pedido

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NTMFS4D0N08XT1G

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863-NTMFS4D0N08XT1G

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Cinta cortada

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$ 2.097,60

$ 1.591,81

$ 1.265,33

Envase tipo carrete

$ 1.014,97

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500

: 1.500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

21 nC

- 55 C

+ 170 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
1: $ 6.005,23
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$ 3.552,39

$ 2.740,41

$ 2.266,76

$ 2.013,02

Envase tipo carrete

$ 2.013,02

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D0N08XT1G
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$ 3.230,98

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$ 1.674,70

Envase tipo carrete

$ 1.613,80

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500

: 1.500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

154 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

NTBLS0D8N08XTXG
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28.583En pedido

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$ 9.506,87

$ 7.020,19

$ 6.800,28

Envase tipo carrete

$ 6.411,21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000

: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

457 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

174 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

NTMFWS1D5N08XT1G
onsemi
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12.755En pedido

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NTMFWS1D5N08XT1G

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863-NTMFWS1D5N08XT1G

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$ 4.635,02

$ 3.332,48

$ 2.858,83

$ 2.554,34

Envase tipo carrete

$ 2.554,34

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500

: 1.500

SMD/SMT

SO8FL-8

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
onsemi
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NTMFS2D5N08XT1G

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863-NTMFS2D5N08XT1G

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Cinta cortada

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$ 2.655,83

$ 2.334,43

$ 1.945,36

$ 1.742,36

Envase tipo carrete

$ 1.742,36

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: $ 4.144,45
5.897En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

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$ 2.622,00

$ 1.793,11

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

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