Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 Optimized 40V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimized 40V N-Channel Power MOSFETs are optimized motor drivers that offer tailored solutions for efficient power conversion in drives, power, and gardening tools. The Infineon 40V portfolio offers additional voltage nodes and low on-state resistance [RDS(on)] with standard package options, including PG-TDSON (PQFN 5mm x 6mm), PG-TSDSON (PQFN 3.3mm x 3.3mm), and PG-WSON-8 (PQFN 5mm x 6mm dual-side cooled). Target applications include motor control, battery management systems (BMS), cordless vacuum cleaners, gardening tools, and power tools.

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Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V ISC012N04NM7VATMA1 Infineon Technologies 1: $ 4.036,78 16En existencias 50.000Se espera el 24/12/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC012N04NM7VATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC012N04NM7VATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	16En existencias 50.000Se espera el 24/12/2026	Cinta cortada $ 4.036,78 $ 2.070,59 $ 1.609,49 $ 1.277,15 $ 1.223,21 Envase tipo carrete $ 941,34	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	219 A	1.15 mOhms	20 V	3.15 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package ISCH75N04NM7VSCATMA1 Infineon Technologies 1: $ 9.395,95 2.522En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISCH75N04NM7VSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISCH75N04NM7VSCA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	2.522En existencias	Cinta cortada $ 9.395,95 $ 6.159,57 $ 4.593,58 $ 3.845,38 Ver Envase tipo carrete $ 3.027,59 $ 3.566,98 $ 3.323,38 $ 3.027,59	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	339 A	650 uOhms	20 V	3.2 V	81 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package. ISCH92N04NM7VSCATMA1 Infineon Technologies 1: $ 8.003,96 3.144En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISCH92N04NM7VSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISCH92N04NM7VSCA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package. Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	3.144En existencias	Cinta cortada $ 8.003,96 $ 5.237,37 $ 3.897,58 $ 3.271,18 Ver Envase tipo carrete $ 2.575,19 $ 3.027,59 $ 2.836,19 $ 2.575,19	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	289 A	820 uOhms	20 V	3.2 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V ISC011N04NM7VATMA1 Infineon Technologies 1: $ 4.384,78 9.980En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC011N04NM7VATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC011N04NM7VATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	9.980En existencias	Cinta cortada $ 4.384,78 $ 2.140,19 $ 1.896,59 $ 1.513,79 Ver Envase tipo carrete $ 1.204,07 $ 1.435,49 $ 1.386,77 $ 1.204,07	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	256 A	1.05 mOhms	20 V	3.15 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V ISC016N04NM7VATMA1 Infineon Technologies 1: $ 3.549,58 17.337En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC016N04NM7VATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC016N04NM7VATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	17.337En existencias	Cinta cortada $ 3.549,58 $ 2.227,19 $ 1.463,33 $ 1.160,57 Ver Envase tipo carrete $ 885,66 $ 1.031,81 $ 995,28 $ 885,66	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	174 A	1.49 mOhms	20 V	3.15 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V ISCH99N04NM7VATMA1 Infineon Technologies 1: $ 5.045,98 2.288En existencias 5.000Se espera el 20/5/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISCH99N04NM7VATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISCH99N04NM7VATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	2.288En existencias 5.000Se espera el 20/5/2027	Cinta cortada $ 5.045,98 $ 3.236,38 $ 2.209,79 $ 1.879,19 Ver Envase tipo carrete $ 1.482,47 $ 1.652,99 $ 1.628,63 $ 1.482,47	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	284 A	900 uOhms	20 V	3.15 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V ISCH54N04NM7VATMA1 Infineon Technologies 1: $ 6.368,37 118En existencias 12.245En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISCH54N04NM7VATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISCH54N04NM7VATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	118En existencias 12.245En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISCH54N04NM7VATMA1 Existencias: 118 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 7.245 Se espera el 20/5/2027 5.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $ 6.368,37 $ 3.758,38 $ 2.905,79 $ 2.296,79 Envase tipo carrete $ 2.122,79	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	458 A	500 uOhms	20 V	3.15 V	117 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package. ISCH57N04NM7VSCATMA1 Infineon Technologies 1: $ 10.213,75 57En existencias 12.000Se espera el 28/1/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISCH57N04NM7VSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISCH57N04NM7VSCA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package. Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	57En existencias 12.000Se espera el 28/1/2027	Cinta cortada $ 10.213,75 $ 6.681,57 $ 4.924,18 $ 4.367,38 Ver Envase tipo carrete $ 3.514,78 $ 3.862,78 $ 3.671,38 $ 3.514,78	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	443 A	520 uOhms	20 V	3.2 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V ISZ015N04NM7VATMA1 Infineon Technologies 1: $ 4.036,78 60En existencias 45.000En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISZ015N04NM7VATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ015N04NM7VATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	60En existencias 45.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISZ015N04NM7VATMA1 Existencias: 60 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 5.000 Se espera el 11/3/2027 10.000 Se espera el 25/3/2027 30.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $ 4.036,78 $ 2.348,99 $ 1.757,39 $ 1.445,93 Ver Envase tipo carrete $ 1.311,95 $ 1.341,53 $ 1.311,95 $ 1.311,95	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	177 A	1.4 mOhms	20 V	3.15 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS7Power Transistor,40V ISC011N04LM7SCATMA1 Infineon Technologies 1: $ 5.393,97 4.000Se espera el 30/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC011N04LM7SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC011N04LM7SCAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS7Power Transistor,40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	4.000Se espera el 30/11/2026	Cinta cortada $ 5.393,97 $ 3.497,38 $ 2.418,59 $ 2.018,39 Envase tipo carrete $ 1.632,11 Ver $ 1.861,79 $ 1.739,99 $ 1.590,35	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	GaN	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	255 A	1.1 mOhms	12 V	1.7 V	20 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS7Power Transistor,40V ISCH65N04LM7SCATMA1 Infineon Technologies 1: $ 7.603,76 4.000Se espera el 30/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISCH65N04LM7SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISCH65N04LM7SCAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS7Power Transistor,40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	4.000Se espera el 30/11/2026	Cinta cortada $ 7.603,76 $ 4.976,38 $ 3.706,18 $ 3.097,18 Ver Envase tipo carrete $ 2.435,99 $ 2.888,39 $ 2.679,59 $ 2.435,99	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	GaN	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	424 A	0.65 mOhms	12 V	1.7 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS7Power Transistor,40V ISCH69N04LM7SCATMA1 Infineon Technologies 1: $ 7.551,56 4.000Se espera el 30/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISCH69N04LM7SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISCH69N04LM7SCAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS7Power Transistor,40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	4.000Se espera el 30/11/2026	Cinta cortada $ 7.551,56 $ 4.941,58 $ 3.688,78 $ 3.079,78 Ver Envase tipo carrete $ 2.418,59 $ 2.853,59 $ 2.662,19 $ 2.418,59 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	GaN	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	380 A	0.69 mOhms	12 V	1.7 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V ISCH69N04NM7VATMA1 Infineon Technologies 1: $ 6.159,57 10.000En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISCH69N04NM7VATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISCH69N04NM7VATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 40v mosfets	Hoja de datos	10.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISCH69N04NM7VATMA1 Existencias: 0 En pedido: 5.000 Se espera el 28/1/2027 5.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $ 6.159,57 $ 4.019,38 $ 2.818,79 $ 2.366,39 Ver Envase tipo carrete $ 2.053,19 $ 2.192,39 $ 2.053,19 $ 2.053,19	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	357 A	650 uOhms	20 V	3.15 V	85 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape

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