Resultados: 20
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 771En existencias
Cinta cortada
$ 12.127,74
$ 6.455,37
$ 5.915,97
$ 5.707,17
Envase tipo carrete
$ 5.254,77
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 99 mOhms 20 V 3 V 127 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 786En existencias
Cinta cortada
$ 10.457,35
$ 5.498,37
$ 4.315,18
Envase tipo carrete
$ 4.315,18
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 1.110En existencias
$ 19.940,30
$ 10.909,75
$ 10.161,55
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 815En existencias
Cinta cortada
$ 14.302,73
$ 7.742,96
$ 7.116,56
$ 6.925,17
Envase tipo carrete
$ 6.542,37
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 139 mOhms 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 151En existencias
$ 20.044,70
$ 10.979,35
$ 10.474,75
$ 10.213,75
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 771En existencias
Cinta cortada
$ 12.214,74
$ 6.507,57
$ 5.968,17
$ 5.620,17
Envase tipo carrete
$ 5.306,97
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 183 mOhms 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 170En existencias
$ 24.272,88
$ 13.554,53
$ 13.067,34
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 1.062En existencias
Cinta cortada
$ 7.133,96
$ 3.619,18
$ 3.288,58
$ 2.731,79
Envase tipo carrete
$ 2.575,19
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 375En existencias
1.000Se espera el 27/5/2027
Cinta cortada
$ 16.999,72
$ 9.343,75
$ 8.699,96
Envase tipo carrete
$ 8.230,16
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 1.019En existencias
$ 16.060,12
$ 8.595,56
$ 7.934,36
$ 7.916,96
$ 7.638,56
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms 20 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 403En existencias
Cinta cortada
$ 10.996,75
$ 5.811,57
$ 5.306,97
$ 4.889,38
Envase tipo carrete
$ 4.610,98
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 460En existencias
Cinta cortada
$ 7.725,56
$ 3.967,18
$ 3.584,38
$ 3.044,98
Envase tipo carrete
$ 2.870,99
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 208En existencias
$ 12.162,54
$ 7.777,76
$ 6.646,77
$ 5.272,17
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 201En existencias
$ 11.222,94
$ 7.342,76
$ 5.411,37
$ 4.802,38
$ 4.262,98
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms 20 V 4.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 60En existencias
$ 13.693,73
$ 7.203,56
$ 6.629,37
$ 6.176,97
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
3.004En pedido
Cinta cortada
$ 18.496,11
$ 10.370,35
$ 9.726,55
$ 9.187,15
Envase tipo carrete
$ 8.682,56
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 92 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
$ 8.264,96
Min.: 500
Mult.: 500
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
$ 12.632,34
$ 6.664,17
$ 6.107,37
$ 5.202,57
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
$ 13.850,33
$ 13.223,93
$ 13.015,14
Min.: 240
Mult.: 240
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
$ 7.899,56
$ 7.603,76
Min.: 240
Mult.: 240
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms 20 V 4.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube