Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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LFPAK4 Industrial N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Industrial N-channel Power MOSFETs are single MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These industrial-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide, -55°C to +175°C operating temperature range.

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Resultados: 8

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

NTMYS014N06CLTWG
onsemi
1: $ 3.890,71
2.840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

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Cinta cortada

$ 3.890,71

$ 2.435,92

$ 1.603,65

$ 1.272,09

$ 1.216,27

Envase tipo carrete

$ 1.033,58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel

NTMYS7D3N04CLTWG
onsemi
1: $ 3.806,13
4.007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS7D3N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS7D3N04CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel

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4.007En existencias

Cinta cortada

$ 3.806,13

$ 2.419,01

$ 1.625,64

$ 1.317,77

Envase tipo carrete

$ 1.140,15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

NTMYS025N06CLTWG
onsemi
1: $ 3.890,71
1.853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS025N06CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

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1.853En existencias

Cinta cortada

$ 3.890,71

$ 2.435,92

$ 1.601,96

$ 1.270,40

$ 1.130,00

Envase tipo carrete

$ 964,22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.7 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel

NTMYS8D0N04CTWG
onsemi
1: $ 3.772,30
3.020En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS8D0N04CTWG

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863-NTMYS8D0N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel

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Cinta cortada

$ 3.772,30

$ 2.402,09

$ 1.612,11

$ 1.307,62

Envase tipo carrete

$ 1.092,78

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

NTMYS011N04CTWG
onsemi
1: $ 3.636,97
1.109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS011N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS011N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

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Cinta cortada

$ 3.636,97

$ 2.317,51

$ 1.556,28

$ 1.261,94

$ 1.130,00

Envase tipo carrete

$ 1.014,97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 26A 21Ohm

NTMYS021N06CLTWG
onsemi
1: $ 3.383,23
1.022En existencias
3.000Se espera el 11/8/2026

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NTMYS021N06CLTWG

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863-NTMYS021N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 26A 21Ohm

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3.000Se espera el 11/8/2026

Cinta cortada

$ 3.383,23

$ 2.165,26

$ 1.449,71

$ 1.148,61

$ 1.092,78

Envase tipo carrete

$ 937,15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel

NTMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: $ 3.975,29
1.038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS5D3N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS5D3N04CTWG

onsemi

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1.038En existencias

Cinta cortada

$ 3.975,29

$ 2.520,50

$ 1.708,53

$ 1.376,97

$ 1.234,88

Envase tipo carrete

$ 1.094,47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

NTMYS2D4N04CTWG
onsemi
1: $ 4.296,70
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS2D4N04CTWG

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863-NTMYS2D4N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

$ 4.296,70

$ 2.774,25

$ 1.894,61

$ 1.508,92

$ 1.387,12

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$ 1.304,23

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: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

138 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

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