Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.

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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Enhancement

STripFET

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STH240N10F7-2
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Enhancement

STripFET

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STL60N10F7
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STripFET

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STL30N10F7
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STripFET

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STP110N10F7
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STripFET

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STH150N10F7-2
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STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-2AG
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STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-6AG
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180 A

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Enhancement

AEC-Q101

STripFET

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STH310N10F7-6
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Enhancement

STripFET

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STL110N10F7
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

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STripFET

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STP150N10F7AG
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511-STP150N10F7AG

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

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- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

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250 W

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AEC-Q100

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

STH240N10F7-6
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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

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2.5 V

160 nC

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Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL140N4F7AG
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STL140N4F7AG

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511-STL140N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i

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1 Channel

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120 A

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- 20 V, 20 V

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AEC-Q101

STripFET

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STL140N6F7
STMicroelectronics
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STL140N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL140N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

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PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

145 A

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2 V

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100 W

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STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

STP150N10F7
STMicroelectronics
1: $ 6.546,54
5.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP150N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP150N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

STL125N8F7AG
STMicroelectronics
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STL125N8F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL125N8F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

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120 A

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- 20 V, 20 V

4.5 V

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- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

STL3N10F7
STMicroelectronics
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STL3N10F7

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511-STL3N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

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SMD/SMT

PowerFLAT-2x2-6

N-Channel

1 Channel

100 V

4 A

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2.4 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

STP140N8F7
STMicroelectronics
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1.267En existencias

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STP140N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP140N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

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1.267En existencias

$ 5.565,41

$ 2.774,25

$ 2.503,59

$ 2.029,94

$ 1.843,86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

STO450N6F7
STMicroelectronics
1: $ 11.418,39
1.758En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STO450N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STO450N6F7

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

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Cinta cortada

$ 11.418,39

$ 6.072,89

$ 5.548,49

$ 5.176,34

$ 4.888,76

Envase tipo carrete

$ 4.888,76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TO-LL-8

N-Channel

1 Channel

60 V

545 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

STL160N6LF7
STMicroelectronics
1: $ 3.789,21
399En existencias
3.000Se espera el 25/9/2026
Nuevo producto

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STL160N6LF7

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511-STL160N6LF7

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

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399En existencias

3.000Se espera el 25/9/2026

Cinta cortada

$ 3.789,21

$ 1.843,86

$ 1.642,56

$ 1.307,62

$ 1.221,34

Envase tipo carrete

$ 1.097,86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

STH310N10F7-2
STMicroelectronics
1: $ 10.200,43
6.650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

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Cinta cortada

$ 10.200,43

$ 5.903,73

$ 5.125,59

Envase tipo carrete

$ 4.736,52

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

STB100N10F7
STMicroelectronics
1: $ 5.616,16
3.761En existencias
5.000Se espera el 11/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
STB100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STB100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

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5.000Se espera el 11/9/2026

Cinta cortada

$ 5.616,16

$ 2.926,49

$ 2.520,50

$ 2.182,18

Envase tipo carrete

$ 1.894,61

$ 1.826,94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

STD100N10F7
STMicroelectronics
1: $ 5.311,67
5.407En existencias
7.500Se espera el 30/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

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7.500Se espera el 30/10/2026

Cinta cortada

$ 5.311,67

$ 2.638,92

$ 2.317,51

$ 1.928,44

Envase tipo carrete

$ 1.742,36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

STD105N10F7AG
STMicroelectronics
1: $ 4.973,34
3.068En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD105N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD105N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

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$ 4.973,34

$ 2.469,76

$ 2.216,01

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Envase tipo carrete

$ 1.617,18

$ 1.585,04

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

STripFET™ F7 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
4.5 A
7 A
8 A
12 A
16 A
19 A
20 A
21 A
25 A
35 A
45 A
70 A
80 A
90 A
110 A
120 A
145 A
180 A
545 A

1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3.2 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
6 mOhms
6.8 mOhms
7 mOhms
7.3 mOhms
8 mOhms
10 mOhms

2.4 W
2.9 W
4.8 W
5 W
30 W
40 W
50 W
60 W
85 W
100 W
111 W
120 W
135 W
150 W
166 W
167 W
200 W
250 W
300 W
315 W