MOSFETs de SiC – Mouser Argentina

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Resultados: 8

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 IMZC120R017M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: $ 37.322,82 979En existencias 720En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMZC120R017M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZC120R017M2HXK	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	979En existencias 720En pedido	$ 37.322,82 $ 27.874,66 $ 24.098,88 $ 22.811,29 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	97 A	17 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	382 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 IMZC120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: $ 27.526,66 212En existencias 720Se espera el 21/10/2027	N.º de artículo del Fabricante IMZC120R026M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZC120R026M2HXK	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	212En existencias 720Se espera el 21/10/2027	$ 27.526,66 $ 20.966,90 $ 17.469,51 $ 15.555,52 $ 14.546,33	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	69 A	25 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	289 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: $ 21.645,49 1.539En existencias 240En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMZC120R040M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZC120R040M2HXK	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	1.539En existencias 240En pedido	$ 21.645,49 $ 15.659,92 $ 13.049,94 $ 11.605,74 $ 10.857,55	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	48 A	40 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	218 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 IMZC120R053M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: $ 17.974,11 394En existencias 480En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMZC120R053M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZC120R053M2HXK	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	394En existencias 480En pedido	$ 17.974,11 $ 9.778,75 $ 9.030,56 $ 9.013,16 $ 8.786,96	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	38 A	53 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 IMZC120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: $ 49.815,95 96En existencias 1.920En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMZC120R012M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZC120R012M2HXK	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	96En existencias 1.920En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZC120R012M2HXKSA1 Existencias: 96 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 240 Se espera el 26/11/2026 1.680 Se espera el 16/9/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	$ 49.815,95 $ 39.880,60 $ 34.486,63 $ 32.642,24 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	12 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C		Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 IMZC120R034M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: $ 22.271,89 22En existencias 960En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMZC120R034M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZC120R034M2HXK	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	22En existencias 960En pedido	$ 22.271,89 $ 12.336,54 $ 11.588,34	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A		- 10 V, + 25 V	5.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	244 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 IMZC120R078M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: $ 16.025,32 1.680En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMZC120R078M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZC120R078M2HXK	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	1.680En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZC120R078M2HXKSA1 Existencias: 0 En pedido: 1.200 Se espera el 21/10/2027 480 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	$ 16.025,32 $ 10.944,55 $ 9.030,56 $ 8.038,76 $ 7.516,76	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	28 A	78 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	143 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 IMZC120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: $ 33.112,04 Plazo de entrega 53 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IMZC120R022M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZC120R022M2HXK	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega 53 Semanas	$ 33.112,04 $ 25.229,88 $ 21.019,10 $ 18.722,31 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	80 A	22 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	329 W	Enhancement	CoolSiC

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