OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs set industry benchmark performance with a wide portfolio offering, including PQFN 3.3mm x 3.3mm, SuperSO8, PQFN 5mm x 6mm Dual-Side Cooling, and PQFN 3.3mm x 3.3mm Source-Down. The 80V family is ideal for high switching frequency applications such as telecom, servers, and solar. The performance improvements of OptiMOS™ 6 80V also demonstrate benefits in battery management systems (BMS).

Resultados: 16
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
Hoja de datos
987En existencias
Cinta cortada
$ 12.092,94
$ 7.934,36
$ 5.846,37
$ 5.185,17
Envase tipo carrete
$ 4.645,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin
Hoja de datos
1.000En existencias
Cinta cortada
$ 12.614,94
$ 6.751,17
$ 6.176,97
$ 5.863,77
Envase tipo carrete
$ 4.854,58
$ 4.767,58
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
Hoja de datos
909En existencias
Cinta cortada
$ 17.713,11
$ 9.778,75
$ 9.187,15
$ 8.682,56
Envase tipo carrete
$ 8.682,56
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
5.861En existencias
Cinta cortada
$ 6.925,17
$ 3.514,78
$ 3.184,18
$ 2.627,39
$ 2.522,99
Envase tipo carrete
$ 2.470,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
6.064En existencias
Cinta cortada
$ 6.838,17
$ 4.071,58
$ 3.062,38
$ 2.505,59
Envase tipo carrete
$ 2.348,99
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
Hoja de datos
676En existencias
Cinta cortada
$ 9.517,75
$ 4.958,98
$ 4.523,98
$ 4.019,38
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Envase tipo carrete
$ 3.271,18
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 2.5 mOhms 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
Hoja de datos
420En existencias
$ 11.553,54
$ 7.760,36
$ 5.602,77
$ 4.871,98
Min.: 1
Mult.: 1
Si OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
870En existencias
Cinta cortada
$ 6.524,97
$ 3.340,78
$ 2.975,39
$ 2.453,39
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Envase tipo carrete
$ 2.157,59
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
240En existencias
Cinta cortada
$ 6.698,97
$ 3.375,58
$ 3.044,98
$ 2.488,19
Ver
Envase tipo carrete
$ 2.157,59
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
Hoja de datos
643En existencias
Cinta cortada
$ 6.055,17
$ 3.027,59
$ 2.749,19
$ 2.227,19
Ver
Envase tipo carrete
$ 2.035,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 171 A 2.5 mOhms 20 V 3.5 V 80 V - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
3.275En existencias
Cinta cortada
$ 12.388,74
$ 6.611,97
$ 6.055,17
$ 5.724,57
Envase tipo carrete
$ 4.663,18
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
5.543En existencias
Cinta cortada
$ 3.827,98
$ 1.844,39
$ 1.652,99
$ 1.313,69
Ver
Envase tipo carrete
$ 1.084,01
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
4.655Se espera el 11/2/2027
Cinta cortada
$ 11.814,54
$ 6.281,37
$ 5.759,37
$ 5.376,57
Envase tipo carrete
$ 5.028,58
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
4.982Se espera el 17/6/2027
Cinta cortada
$ 8.125,76
$ 4.280,38
$ 3.793,18
$ 3.218,98
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Envase tipo carrete
$ 2.836,19
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
4.997Se espera el 11/3/2027
Cinta cortada
$ 4.593,58
$ 2.261,99
$ 2.035,79
$ 1.621,67
Envase tipo carrete
$ 1.395,47
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
3.990Se espera el 29/4/2027
Cinta cortada
$ 10.370,35
$ 5.602,77
$ 5.098,17
$ 4.663,18
$ 4.558,78
Envase tipo carrete
$ 3.793,18
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
OptiMOS Reel, Cut Tape