UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs

Toshiba UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs are ideal for high-efficiency DC-to-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers. These MOSFETs boast a small gate charge, a small output charge, low drain-source on-resistance, and low leakage current. The UMOS9-H N-channel MOSFETs feature 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 175°C channel temperature. These MOSFETs also feature ±0.1µA gate leakage current, 10µA drain cut-off current, and a -55°C to 175°C storage temperature range. The UMOS9-H N-channel MOSFETs are RoHS-compliant and come in a 0.108g 2-5W1A (SOP Advance (N)) package.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=132W F=1MHZ
Hoja de datos
4.703En existencias
Cinta cortada
$ 4.262,98
$ 2.749,19
$ 1.861,79
$ 1.487,69
Envase tipo carrete
$ 1.155,35
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 120 A 1.96 mOhms 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=170W F=1MHZ
Hoja de datos
4.583En existencias
Cinta cortada
$ 5.359,17
$ 2.662,19
$ 2.401,19
$ 1.948,79
Ver
Envase tipo carrete
$ 1.739,99
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 150 A 1.3 mOhms 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm
Hoja de datos
2.647En existencias
Cinta cortada
$ 2.783,99
$ 1.310,21
$ 1.165,79
$ 913,50
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 107 A 6 mOhms 20 V 3.5 V 38 nC + 175 C 135 W Enhancement Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
Hoja de datos
3.683En existencias
Cinta cortada
$ 2.331,59
$ 1.089,23
$ 965,70
$ 751,68
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 79 A 8.8 mOhms 20 V 3.5 V 26 nC + 175 C 109 W Enhancement Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 40V 150A
Hoja de datos
3.763En existencias
5.000Se espera el 2/11/2026
Cinta cortada
$ 4.419,58
$ 2.801,39
$ 1.879,19
$ 1.534,67
Envase tipo carrete
$ 1.219,73
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1.2 mOhms 20 V 2 V 62 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm
Hoja de datos
15.000Se espera el 13/11/2026
Cinta cortada
$ 3.984,58
$ 2.279,39
$ 1.726,07
$ 1.374,59
Envase tipo carrete
$ 1.144,91
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 3 mOhms 20 V 3.5 V 71 nC + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape