Resultados: 17
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL<BR> N-Channel PowerTrench 3.587En existencias
Cinta cortada
$ 11.971,14
$ 6.472,77
$ 5.933,37
$ 5.567,97
$ 5.272,17
Envase tipo carrete
$ 5.272,17
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 2.2 mOhms 20 V 2 V 170 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab 10.398En existencias
Cinta cortada
$ 4.175,98
$ 2.035,79
$ 1.826,99
$ 1.451,15
$ 1.292,81
Envase tipo carrete
$ 1.237,13
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.5 mOhms 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET 3.916En existencias
Cinta cortada
$ 10.387,75
$ 5.463,57
$ 4.976,38
$ 4.523,98
$ 4.262,98
Envase tipo carrete
$ 4.262,98
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 240 A 2 mOhms 20 V 2 V 130 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench 3.401En existencias
Cinta cortada
$ 11.692,74
$ 6.211,77
$ 5.672,37
$ 5.289,57
$ 4.993,78
Envase tipo carrete
$ 4.993,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 60 V 240 A 2.9 mOhms 20 V 2 V 130 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET 888En existencias
$ 20.740,70
$ 12.145,14
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 184 mOhms 20 V 3 V 126 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET 358En existencias
$ 27.439,66
$ 17.469,51
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 96 mOhms 20 V 3 V 234 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL<BR>N-Channel PowerTrench 8.314En existencias
Cinta cortada
$ 12.945,54
$ 6.942,57
$ 6.368,37
$ 6.072,57
$ 5.724,57
Envase tipo carrete
$ 5.724,57
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.1 mOhms 20 V 2 V 172 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A 124.847En existencias
Cinta cortada
$ 1.931,39
$ 894,36
$ 748,20
$ 575,94
$ 544,62
Envase tipo carrete
$ 433,26
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000
Si SMD/SMT SSOT-3 N-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 98 mOhms 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK<BR> N-Channel PowerTrench 5.688En existencias
Cinta cortada
$ 9.796,15
$ 5.115,57
$ 4.663,18
$ 3.949,78
Envase tipo carrete
$ 3.949,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-2 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 3.2 mOhms 20 V 2 V 126 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A 451En existencias
2.000Se espera el 12/1/2027
Cinta cortada
$ 13.380,53
$ 8.317,16
$ 7.203,56
$ 5.811,57
$ 5.724,57
Envase tipo carrete
$ 5.724,57
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 150 V 169 A 5 mOhms 20 V 2.8 V 70 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET 1.544En existencias
Cinta cortada
$ 8.386,76
$ 4.993,78
$ 4.019,38
$ 3.410,38
$ 3.271,18
Envase tipo carrete
$ 3.079,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 220 A 6.1 mOhms 20 V 2 V 86 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET 2.349En existencias
Cinta cortada
$ 5.620,17
$ 2.801,39
$ 2.522,99
$ 2.053,19
$ 2.000,99
Envase tipo carrete
$ 1.861,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 8.4 mOhms 20 V 2 V 68 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench 2.804En existencias
Cinta cortada
$ 4.315,18
$ 2.105,39
$ 1.896,59
$ 1.506,83
$ 1.425,05
Envase tipo carrete
$ 1.296,29
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 17.4 mOhms 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET 900En existencias
$ 13.502,33
$ 7.829,96
$ 7.046,97
$ 6.646,77
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 275 mOhms 20 V 3 V 109 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A 244En existencias
45.000En pedido
Cinta cortada
$ 2.174,99
$ 1.550,33
$ 963,96
$ 664,68
$ 558,54
Envase tipo carrete
$ 501,12
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000
Si SMD/SMT SSOT-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.3 A 47 mOhms 20 V 1 V 19 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK<BR>N-Channel PowerTrench 142En existencias
2.500Se espera el 14/7/2027
Cinta cortada
$ 6.176,97
$ 4.001,98
$ 2.818,79
$ 2.348,99
$ 2.227,19
Envase tipo carrete
$ 2.053,19
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 6 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET 27En existencias
2.500Se espera el 23/3/2027
Cinta cortada
$ 4.436,98
$ 2.870,99
$ 1.966,19
$ 1.639,07
$ 1.578,17
Envase tipo carrete
$ 1.539,89
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3.2 mOhms 20 V 3.2 V 42 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel