MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (VDS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (VGS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V
5.850En existencias
Cinta cortada
$ 1.252,79
$ 568,98
$ 501,12
$ 381,06
Envase tipo carrete
$ 288,84
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms 20 V 800 mV 6 nC + 150 C 1.6 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
82.224En existencias
Cinta cortada
$ 1.009,20
$ 438,48
$ 408,90
$ 307,98
Envase tipo carrete
$ 233,16
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
16.466En existencias
Cinta cortada
$ 2.244,59
$ 1.565,99
$ 990,06
$ 612,48
Envase tipo carrete
$ 401,94
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V
32.847En existencias
Cinta cortada
$ 487,20
$ 294,06
$ 264,48
$ 198,36
Envase tipo carrete
$ 97,44
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 100 mA 20 Ohms 7 V 900 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package
9.791En existencias
Cinta cortada
$ 1.217,99
$ 546,36
$ 480,24
$ 363,66
Envase tipo carrete
$ 278,40
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 440 mOhms 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
7.308En existencias
Cinta cortada
$ 783,00
$ 344,52
$ 318,42
$ 297,54
Envase tipo carrete
$ 167,04
$ 144,42
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 2 Channel 50 V 100 mA 20 Ohms 7 V 900 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
67.500Se espera el 13/11/2026
Cinta cortada
$ 1.513,79
$ 683,82
$ 603,78
$ 459,36
Envase tipo carrete
$ 353,22
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms 20 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel