MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
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MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
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MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
SCT3030ALGC11
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MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
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900 Se espera el 29/10/2026
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MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
SCT3080ALGC11
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900 Se espera el 22/3/2027
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MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
SCT3120ALGC11
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MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
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3.150 Se espera el 21/12/2026
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MOSFETs de SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
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870 Se espera el 12/11/2026
1.350 Se espera el 14/1/2027
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas
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MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
SCT3040KLGC11
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446 Se espera el 8/2/2027
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446 Se espera el 8/2/2027
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Herramientas de desarrollo de administración de IC Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
BD7682FJ-LB-EVK-402
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755-BD7682FJLBEVK402
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